1208——三极管和MOS管区别

概述

        玛德，不知道是不是总胡思乱想的原因，总感觉自己和别人的沟通方式有点问题，怎么说呢，能达到效果，但总感觉不是很顺畅。还好在我有这种意识后，也不是很在乎care it，因为我知道别人压根也不会当回事儿。反正就无所吊谓。下面纯属瞎掰，有用或无用，且写且珍惜。

        三极管和mos管有啥区别？在面试硬件开发相关岗位时好像经常会问这个问题，所以现在让我回答，该怎么回答呢？想一下，大概我会从结构，导通方式，功耗..........来介绍它们的区别。

区别        

        1.结构

MOS管有一个金属栅极（G栅极）、一个绝缘层（S源极）和一个半导体底座（D漏极），而三极管有一个集电极（C）、一个基极（B）和一个发射极（E）。MOS管G和D之间是寄生电容，三极管的B和E之间相当于一个二极管。

        2.导通方式

三极管导通，需要在B极提供电流，从而使CE导通

MOS管导通，需要在GD之间提供电压

        3.导通阻抗

 MOS管的导通阻抗非常小，单位基本是m欧级别，因为导通阻抗非常小，即使通过较大的电流，在MOS管上的功耗也较小。

        而三极管的CE之间的压降约0.4V左右，如果通过5A的电流，功耗就达到了2W。相同电流的情况下，MOS管的功耗仅仅是P=I*I*R=5A*5A*5m欧=0.125W.

        4.功耗

三级管导通需要有电流流通，功耗较大

MOS管导通无需电流，功耗小