STM32笔记——常用的存储器

存储器是用来存储程序源码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。存储器按其存储介质特性主要怕分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。在计算机当中，易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

RAM
RAM是Random Access Memory的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入的时候，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM和静态随机存储器SRAM两种。

DRAM
动态随机存储器DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷的表示1，无电荷的表示0。但时间一长，代表1的电容就会放电，代表0的电容就会重吸收电荷，因此它们需要定期刷新操作，这就是“动态”一词所形容的特性。刷新操作会对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保证数据的正确性。

SDRAM
根据DRAM的通信方式，又分为同步和异步两种，这两种通信方式根据通信时是否需要时钟信号来区分。由于使用时钟同步信号的通信速度更快，所以同步DRAM的使用更加广泛，这种DRAM被称为SDRAM。

SRAM
静态随机存储器SRAM的存储单元以锁存器来存储数据。SRAM根据其通信方式也分为同步和异步SRAM，相对来说，异步SRAM用得比较广泛。

非易失性存储器
非易失性存储器的种类很多，半导体类的有ROM和Flash,其他还有光盘、软盘和机械硬盘。

ROM
ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器，现在一般用于非易失性半导体存储器，包括后面介绍的Flash存储器。

MASK ROM
MSAK ROM就是正宗的“Read Only Memory”，存储在它内部的数据是在出厂时候使用特殊工艺固化的，生产后就不修改，其主要优势是大批生产时成本低。

OTPROM
OTPROM（One Time Programable ROM）是一次可编程存储器。这种存储器在出厂时里面并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不再可以修改。

EPROM
EPROM（Erasable Programmable ROM）是可重复擦写的存储器，它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要用专用的设备。

EEPROM
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制的，不需要外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需擦除整个芯片。

FLASH存储器
FLASH存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的存储器，部分书籍会把Flash存储器称为Flash ROM,但它的容量一般比EEPROM大得多，一般以多个字节为单位。如有的Flash存储器以4096个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。Flash存储器又分为NOR Flash和NAND Flash。

NOR和NAND的共性是在数据写入前都需要进行擦除操作，而擦除操作一般以“扇区/块”为单位的。而NOR和NAND的差别主要在于其内部的“地址/数据线”是否分开。

由于NOR的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合CPU的指令译码执行要求，所以假如NOR中存储了代码指令，CPU给NOR一个地址，NOR就能向CPU返回一个数据让CPU执行，中间不需要额外的处理操作。

而由于NAND的数据线和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如NAND上存储了代码指令，CPU给给NAND地址后，它无法返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。

由于两种Flash存储器的差异，NOR Flash一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND Flash一般应用在大数据存储的场合，包括SD卡、U盘以及固态硬盘等，这些都是NAND Flash类型的。

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