ROM和RAM

RAM与ROM都是内存，硬盘、光盘等为外存

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RAM和ROM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。总体上来说RAM的单位容量价格明显高于ROM的单位容量价格。

一、随机访问存储器：RAM

随机访问存储器分为两类：静态的（SRAM）和动态的（DRAM）。静态的RAM比动态RAM更快，但也贵很多。SRAM用来作为高速缓存存储器，可以贴合在CPU芯片上/下。DRAM用来作为图形系统的帧缓冲区。

SRAM：SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。SRAM存储器单元具有双稳态特性，只要有电，它就会永远的保持它的值（有点类似ROM易失性）。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。

DRAM：DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5为目前最新版本。以下为不同类型的DRAM:

1、SDRAM（Synchronous DRAM）：同步DRAM。

2、DDR SDRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）：双倍数据速率同步 DRAM。

3、DDR2~5：不同类型的DDR SDRAM。

4、LPDDR：低功耗DDR SDRAM，RAM断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。现在手机中的RAM一般是由LPDDR担当，尤其是速度快功耗低的LPDDR4x/5x在市面上的旗舰手机中占比较大，广泛应用于手机、平板、超薄笔记本等领域。

二、只读存储器：ROM

与主存储器（RAM）不同，即使计算机关闭，ROM也会保留其内容。ROM被称为非易失性，现在有很多非易失性存储器。由于历史原因，虽然ROM中有的类型可以读也可以写，但是整体上都被称为只读存储器（Read Only Memory）。

ROM是以它们能够被重新编程（写）的次数和对它们进行重编程所用的机制来区分的。

PROM（Programmable ROM）：可编程ROM，只能被编程一次。

EPROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦写可编程ROM，擦写可达1000次。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）电子可擦除EPROM。闪存（flash memmory）：基于EEPROM，它已经成为一种重要的存储技术。固态硬盘（SSD）U盘等就是一种基于闪存的存储器。

NOR flash ：NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

Nand falsh：NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。