【郑益慧】模拟电子技术：7.Mos管的工作原理

Mos管的工作原理

Mos管的出现，几乎不怎么耗电。因此在集成电路中起了非常大的作用

在某些方面确实比晶体三极管强。

基本原理：依靠电场效应来控制。

电场效应几乎是没有电流的，没有电流几乎是没有功率的。

从控制上来说，消耗的功率特别小。

输入电阻非常高。

场效应管不和三极管一样，有双极，受温度影响大。

它只有多子的存在，因此受温度影响小。

分为两种类型：

结型场效应管

下节讲

绝缘栅型场效应管

比晶体三极管晚了10年(金属氧化物场效应半导体)

在它的基础上，又造出了CMOS电路（相机图像处理大多用的都是CMOS，耗能更小）

N沟道增强型MOS管

结构：

绝缘层，二氧化硅特别薄，

g：栅极，控制器。

s：源极，载流子的发源地

d：漏极，载流子的漏出地

栅极完全绝缘，和谁都不沾边。因此省电

工作原理

如果需要MOS拥有和三极管一样的能力，比如放大能力，就需要让栅极控制某一个输出量（电压或者电流）。

设计成，源极和衬极连在一起。

一旦衬底是单独的，那么d和s是可以互换的。

设计成，源极和衬极连在一起。

1. 一旦给Ugs加电压，在电场力（方向向下）的作用下，d区的空穴全部都被提走。因此就变成了耗尽层。

2. 继续加电压，空穴全提跑了，自由电子都吸上去了。自由电子上去了以后就形成了N沟道（反型层）。

   

   

沟道越宽，d和s之间的电阻越小，越窄，d和s之间的电阻越大。

在这种情况下，我的场效应管就和一个可变电阻器一样。

形成N沟道以后，下一步就是如何产生电流：很简单，给电压就行。

1. 如下在

现在需要研究Uds之间的电压，就需要保持UGS不变。让Uds逐渐上升。

可以看出，随着UDs的增大，Id也在增大。但是斜率没变，我们控制了UGs不变，此时斜率就是UGS。

增加的电压都去抵抗增加的电阻了。

UGS变化，RDs就变化，因此如上图。

一旦进入恒流区域，这里的电流Id，只和UGS有关，通过控制电阻阻值的大小控制电流大大小。

UGS越大，沟道越宽，电阻阻值越小，电流越大。

因此UGS和iD成比例。

结型（PN结型）：是天生就导通的。

根据下面的图，第一部分，可变电阻区的控制，你可以控制它的导通和关闭。

第二部分可以控制电流放大。

结型：天生就有沟道，那绝缘栅可不可以做到这一点？

N沟道耗尽型MOS管

符号变为：