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原创 Verilog-二级边沿检测电路

Verilog边沿检测电路

2022-09-13 10:46:26 123

原创 模拟电子技术学习-三极管的伏安特性

三极管伏安特性

2022-08-10 12:54:17 1191

原创 模拟电子技术学习笔记-NPN三极管的内部结构

NPN三极管内部原理

2022-08-09 09:42:13 1731

原创 模拟电子技术-稳压二极管的应用

稳压二级管电路

2022-08-08 12:42:26 159

原创 模拟电子技术-二极管的交流等效电路求解方法

3.将直流电源短路,由于动态电阻rd和负载电阻RL均为线性电阻,可以运用电路原理(KCL和KVL等)可以求出二极管在只有交流小信号作用时的交流电流id。2.根据rd=UT/ID,求出二极管的交流等效电阻。UT为温度当量,室温时UT=26mV,ID为二极管的额静态工作电流,rd为二极管的动态电阻。4,最终交直流混合作用时的负载电流iD=ID+id,这样也即求出了负载电阻上面的电流iD.1.先根据二极管的伏安特性曲线和直流等效电路,求出二极管的静态工作点的电流 ID;...

2022-08-05 12:47:47 2606

原创 SI仿真笔记

1.经验法则:当信号传输延时小于信号上升时间的1/6时,互连线处在集总区域,不会体现出传输线效应。也就是说如果信号线的传播延迟小于1/6信号上升时间,可以考虑采用直连形式,而不需要使用任何端接匹配。...

2022-08-02 12:19:42 109

原创 模拟电子技术-PN结形成

PN结的形成1.本征激发,粒子的热运动2.半导体参杂,粒子的扩散运动3.多子扩散运动,少子漂移运动4.多子基数大,受温度影响小,少子基数少,受温度影响大5.少子的漂移运动形成PN结的反向电流6.PN结击穿分为血崩击穿和齐纳击穿,血崩击穿不可恢复,齐纳击穿可恢复,利用齐纳击穿可以制作稳压二极管,齐纳击穿主要是利用PN结的反向击穿特性,根据不同的掺杂浓度,可以制作不同电压等级的二极管。7.对于血崩击穿而言,由于需要突破势垒电压,温度越高,所需要施加的电场力越强,即所需要的偏置电压越大,对于齐纳击穿

2022-08-02 09:55:36 301

原创 光模块信号判断

光模块信号判断(根据SFF-8431标准)1,TX_Disable " 1 " Disable " 0 " Enable2, TX_Fault " 1 " Detected a fault " 0 " Normal operation3, Present " 1 " 不在位 " 0 " 在位4,Rx_LOS " 1 " 有中断产生 " 0 " 没有中断产

2020-12-02 15:35:14 2378

原创 硬件设计笔记

RC延时电路1.关于RC延时电路,t=RC,当R单位为M欧,C单位为UF时,计算出来t的单位为S。并且RC充电电路永远不可能将电压充至电源电压VCC,经过大概3个充电周期t,充电电压可以达到0.98 VCC

2020-12-02 15:12:48 56

原创 IEEE以太网标准学习笔记

IEEE标准笔记(-)1.当本地端口与对端端口,一方设置为强制,一方设置为自适应的时候,端口能正常link,但是端口之间的通讯模式会变成半双工模式。

2020-12-02 15:05:01 365

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