模拟电子技术-PN结形成

PN结的形成
1.本征激发，粒子的热运动
2.半导体参杂，粒子的扩散运动
3.多子扩散运动，少子漂移运动
4.多子基数大，受温度影响小，少子基数少，受温度影响大
5.少子的漂移运动形成PN结的反向电流
6.PN结击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿，雪崩击穿掺杂浓度少，齐纳击穿掺杂浓度高。只要不是热击穿，二极管雪崩击穿和齐纳击穿都可以恢复。利用二极管的反向击穿特性，可以制作稳压管，根据不同的掺杂浓度，可以制作不同电压等级的二极管。
7.对于雪崩击穿而言，温度越高，由于掺杂浓度少，PN结宽度宽，粒子需要突破势垒电压，所需要的能量越高，粒子所需要的速度越快，外部所需要施加的电场力越强，外部所需偏置偏置电压就越大。对于齐纳击穿而言，由于掺杂浓度高，PN结宽度小，单位面积内场强大，温度升高之后，粒子运动加剧，PN结宽度变小，单位面积场强增加，无需很大的偏置电压即可以让离子脱离共价键束缚，形成齐纳击穿。