SCQ08GS04M1F1C-32AA 紫光动态存储芯片

1概览
本章概述了260针DDR4无缓冲SODIMM产品系列，并介绍了其主要
特点啊
1.1特点
·260针PC4-3200 DDr4 SODIMM。
频率/CAS潜伏期
0.625纳克级@CL=22(DDR4-3200)
VDD=1.2V±60mV
VPP=2.5V（2.375V～2.75V）
VDDSPD=2.5伏(NOM)
可编程CAS延迟9、10、11、12、13、14、15和
支持了16、17、18、19、20、21、22和24个
可编程附加延迟0、CL-1和CL支持（仅X4/X8）
可编程CAS写入延迟(CWL)= 9, 10, 11, 12,
14, 16,18, 20
可编程爆裂长度4/8与双方轻咬
顺序交织模式
BL开关在飞
公称和动态上模终止（ODT）
频闪和掩膜信号
低功耗自动刷新
数据总线的数据总线反转（DBI）
现场VREFDQ生成和校准
8家内部银行；2组，每组4家银行
固定爆裂斩（BC）的4和爆裂长度（BL）的8通过
模式寄存器组
黄金边缘触点
无卤
·飞靠拓扑结构
终止控制命令和地址总线
平均刷新周期（0°C～95°C）
在0°C～85°C时为7.8μs
在85°C～95°C时，温度为3.9μs