G2061Q 是一组高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯 片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可 以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
G2061Q 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通 的死区逻辑。G2061Q 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。 G2061Q 为 QFN24 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3 /5V 输入逻辑
dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围 8V 至 20V
高、低侧欠压锁定电路
– 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V
– 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V
– 低侧欠压锁定正向阈值 7V
– 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V
防直通死区逻辑
– 死区时间设定 200ns
芯片传输延时特性
– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns
– 延迟匹配时间小于 50ns
宽温度范围-40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A
符合 RoSH 标准
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
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