Melissa''-CSDN博客

原创 LP883X 1.8A DFN2*2 单通道全桥电机驱动芯片

LP883X器件为智能水表、智能燃气表、摄像机、消费类产品、玩具和其他低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案，此器件能够驱动一个直流电机或其他器件(如螺线管)。智能水表一般采用四节干电池或锂亚电池给系统供电，所以产品芯片器件的选择一定要求低功耗，LP8837是国硅集成推出的一款高性价比、低功耗H桥电机驱动芯片，高达1.8A的驱动电流，休眠模式下电流仅120nA，可广泛应用于智能水表产品中。– LP8837：脉宽调制(PWM)，IN1/IN2。– VCC 欠压保护(UVP)

2024-04-13 17:29:07 233

原创高速风筒专用电机驱动芯片NSG6000 SOP-8

高速风筒专用电机驱动芯片采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 650V。高速风筒专用电机驱动芯片采用SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。○兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。○dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns。– VCC欠压锁定阈值 8.7V/7.7V。

2024-04-13 17:28:13 230

原创 NSG2184/IRS2184 SOP-8 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低侧驱动系列芯片

dV/dt耐受能力可达±50V/nsec。–拉电流/灌电流=4.0A/4.0A。NSG2184可替代 IRS2184。兼容3.3V,5V和15V输入逻辑。栅极驱动电压：10 V 到 20V。– 内置 400ns 死区时间。–欠压锁定正向阈值8.9V。–欠压锁定负向阈值8.2V。Vs负压耐受能力达-9V。最高工作电压为700V。芯片开通/关断传输延时。高、低侧欠压锁定电路。

2024-04-13 17:26:56 260

原创 G2061 TSSOP20 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片

开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns。输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A。dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns。栅极驱动电压范围 8V 至 20V。– 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V。– 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V。– 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V。兼容 3.3 /5V 输入逻辑。– 低侧欠压锁定正向阈值 7V。– 延迟匹配时间小于 50ns。– 死区时间设定 200ns。Vs 负偏压能力达-9V。高、低侧欠压锁定电路。符合 RoSH 标准。

2024-04-13 17:26:16 219

原创 G2061 TSSOP20 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片

开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns。输出级拉电流/灌电流能力 1.5A/1.8A。dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns。栅极驱动电压范围 8V 至 20V。– 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V。– 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V。– 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V。兼容 3.3 /5V 输入逻辑。– 低侧欠压锁定正向阈值 7V。– 延迟匹配时间小于 50ns。– 死区时间设定 200ns。Vs 负偏压能力达-9V。高、低侧欠压锁定电路。符合 RoSH 标准。

2024-04-13 17:25:39 258

原创 NSG7385 SOP-14 双通道高侧驱动芯片

NSG7385 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片。–开通/关断传输延时Ton/Toff=130ns/130ns。国硅集成NSG7385完美替代国外厂商7385。输出级拉电流/灌电流能力350mA/650mA。应用开关电源、驱动器、逆变器、电机控制。型号国外厂商7385 NSG7385。dVs/dt耐受能力可达±50V/ns。兼容3.3V,5V和15V输入逻辑。PIN脚定义 PIN对PIN。工作电压 600V 700V。–欠压锁定正向阈值8.9V。–欠压锁定负向阈值8.2V。

2024-04-11 13:19:22 241

原创 G2021/LM5109— SOP-8 250V 1.5A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2021采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。–开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns。★ 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A。★ dVS/dt耐受能力可达±80V/ns。★ 宽温度范围-40°C~125°C。★ 栅极驱动电压从6V到20V。

2024-04-11 13:18:35 331

原创 NSG2113 /IRS2113 700V，SOP-16 4A半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2113内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。● NSG2113逻辑和电源地±5V 偏移。● 兼容3.3V、5V和15V 输入逻辑。

2024-04-11 13:17:42 262

原创 NSG44272/IRS44272 SOT-23-5 2A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片

1 产品特性  CMOS 施密特触发输入  输入输出同相位  兼容 3.3 V 输入逻辑  输出拉/灌电流能力：2A/2A  工作范围：5V~25V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 100ns  宽温度范围：-40℃~125℃  欠压锁定 – 欠压锁定正向阈值 4.0V – 欠压锁定负向阈值 3.9V  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =50ns/50ns  符合 RoSH 标准 SOT23-5。可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

2024-04-11 13:17:01 395

原创 NSG2186/IRS2181 SOP-8 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2186 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。2 应用范围  电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。

2024-04-11 13:16:08 269

原创 NSG27324/UCC27324 SOP-8 双通道 4A 超高速功率开关驱动器

产品概述 NSG27324 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。产品特性  锁存保护：可承受 0.5A 反向电流  低至-10V 的输入逻辑保护  输出阻抗低  单芯片集成两路驱动  输出峰值电流：4A  工作范围：4.5V~25V  高电容负载驱动能力  上升/下降时间匹配  宽温度范围：-40℃~125℃  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =25ns/25ns  符合 RoSH 标准 SOIC。

2024-04-11 13:10:29 341

原创 NSG4426/IR4426 SOP-8 双通道 2A 超高速功率开关驱动IC

产品特性  锁存保护：可承受 0.5A 反向电流  低至-10V 的输入逻辑保护  输出阻抗低  单芯片集成两路驱动  输出峰值电流：2A  工作范围：4.5V~25V  最大输入负压可达 -5V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 25ns  上升/下降时间匹配  传播延时：40ns  宽温度范围：-40℃~125℃  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =70ns/70ns  符合 RoSH 标准 SOIC8/DFN8。

2024-04-11 13:09:57 241

原创 NSG4427 /IR4427 双通道 2A 超高速功率开关驱动器

产品特性  锁存保护：可承受 0.5A 反向电流  低至-10V 的输入逻辑保护  输出阻抗低  单芯片集成两路驱动  输出峰值电流：2A  工作范围：4.5V~25V  最大输入电压可达 5V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 25ns  上升/下降时间匹配  传播延时：40ns  宽温度范围：-40℃~125℃  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =70ns/70ns  符合 R。产品概述 NSG4427 是功率开关系列驱动器。

2024-04-11 13:09:23 232

原创 NSG4427 /IR4427 双通道 2A 超高速功率开关驱动器

产品特性  锁存保护：可承受 0.5A 反向电流  低至-10V 的输入逻辑保护  输出阻抗低  单芯片集成两路驱动  输出峰值电流：2A  工作范围：4.5V~25V  最大输入电压可达 5V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 25ns  上升/下降时间匹配  传播延时：40ns  宽温度范围：-40℃~125℃  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =70ns/70ns  符合 R。产品概述 NSG4427 是功率开关系列驱动器。

2024-04-11 13:08:51 921

原创 NSG2023/UCC27282 SOP-8 250V 4A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。MOSFET ，浮地通道最高工作电压可达 250V。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns。NSG2023 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电。路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的。兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns。输出级拉电流/灌电流能力 4A/4A。

2024-04-11 13:08:12 263

原创 NSG2023/UCC27282 SOP-8 250V 4A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。MOSFET ，浮地通道最高工作电压可达 250V。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns。NSG2023 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电。路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的。兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns。输出级拉电流/灌电流能力 4A/4A。

2024-04-11 13:07:19 363

原创 NSG21814/IR21814 SOP-14 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。NSG21814 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。可达 700V。

2024-04-11 13:05:51 243

原创 NSG21864/IR21814 SOP-14 700V 高压、高速功率 MOSFET/IGBT 驱动IC芯片

内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。高、低侧欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 8.9V – 欠压锁定负向阈值 8.2V 芯片开通/关断传输延时 – Ton/Toff =130ns/130ns）驱动电流能力： --拉电流/灌电流=4.0A/4.0A。dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec。

2024-04-11 13:05:17 257

原创 NSG21864/IR21814 SOP-14 700V 高压、高速功率 MOSFET/IGBT 驱动IC芯片

内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。高、低侧欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 8.9V – 欠压锁定负向阈值 8.2V 芯片开通/关断传输延时 – Ton/Toff =130ns/130ns）驱动电流能力： --拉电流/灌电流=4.0A/4.0A。dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec。

2024-04-11 13:04:42 202

原创 NSG2183/IR2183 SOP-8 单相驱动IC芯片，高同低反 700V

NSG2183 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有两个非独立传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。

2024-04-11 13:03:56 265

原创 NSG2183/IR2183 SOP-8 单相驱动IC芯片，高同低反 700V

NSG2183 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动系列芯片，具有两个非独立传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。

2024-04-03 16:09:46 266

原创 G2020 250V 1.2A SOP-8 单相高低测功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片IC SOP-8

用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/140ns。兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑。dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns。栅极驱动电压从 6 V 到 20V。– 欠压锁定负向阈值 5V。

2024-04-03 16:07:44 232

原创 NSG44273/IRS442723 SOT23-5 2A 单通道低侧同相栅极驱动芯片

 CMOS 施密特触发输入  输入输出同相位  兼容 3.3 V 输入逻辑  工作范围：5V~25V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 100ns  宽温度范围：-40℃~125℃  欠压锁定 – 欠压锁定正向阈值 4.0V – 欠压锁定负向阈值 3.9V  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =50ns/50ns  驱动电流能力： – 拉电流/灌电流=2A/2A  符合 RoSH 标准 SOT23-5。可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

2024-04-03 16:06:58 311

原创 NSG27323/UCC27323 SOP-8 双通道 4A 超高速功率开关驱动器

在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。锁存保护：可承受 0.5A 反向电流  低至-10V 的输入逻辑保护  输出阻抗低  单芯片集成两路驱动  输出峰值电流：4A  工作范围：4.5V~20V  高电容负载驱动能力： – 在 1nF 负载时，开关时间< 25ns  上升/下降时间匹配  传播延时：40ns  宽温度范围：-40℃~125℃  芯片开通/关断延时特性 – Ton/Toff =70ns/70ns  符合 RoSH 标准 SOIC8/DFN8。

2024-04-03 16:06:13 175

原创 NSG2101/IRS2101 700V SOP-8 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2101 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2101 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2101 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 700V。NSG2101 采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。

2024-04-03 16:05:31 258

原创 NSG2104/IRS2104 SOP-8 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2104 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2104 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 700V。NSG2104 采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。

2024-04-03 16:02:17 173

原创 NSG2106/IRS2106 SOP-8 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2106 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2106 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 700V。NSG2106 采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。

2024-04-03 16:01:25 176

原创 NSG2181/IR2181 SOP-8 700V 高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片驱动芯片

NSG2181 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。NSG2181替代IR2181。

2024-04-03 16:00:37 675

原创 G2061Q 250V 1.5A 三相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片 QFN-24

G2061Q 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2061Q 的浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。G2061Q 是一组高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/120ns。– 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V。– 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V。

2024-04-03 15:58:58 160

空空如也

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