NSG2184/IRS2184 SOP-8 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 高低侧驱动系列芯片

最新推荐文章于 2024-06-12 21:15:47 发布
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版权

02产品特性

自举工作的浮动通道

最高工作电压为700V

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑

dV/dt耐受能力可达±50V/nsec

Vs负压耐受能力达-9V

栅极驱动电压：10 V 到 20V

高、低侧欠压锁定电路

–欠压锁定正向阈值8.9V

–欠压锁定负向阈值8.2V

防直通死区逻辑

– 内置 400ns 死区时间

芯片开通/关断传输延时

–Ton/Toff=530ns/130ns

高低侧延时匹配

驱动电流能力：

–拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

符合RoSH标准

03封装形式

SOIC8

NSG2184可替代 IRS2184

04应用范围

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

跑步机

音响电源

BLDC控制器

照明器具

Melissa''
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weixin_54940034的博客
04-03 178
NSG2007 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2007 其浮动通道可用 于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达 250V。NSG2007 采用 SOIC8 封装，可以 在-40℃至 125℃温度范围内工作。
NSG2103/IRS2103 SOP-8 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
04-03 155
NSG2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2103 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2103 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。2 应用范围  电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。
NSG2104/IRS2104 SOP-8 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
03-27 118
NSG2104 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。NSG2104 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2104 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2104 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。2 应用范围  电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。
NSG2008/IRS2004 SOP-8 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
03-27 180
NSG2008 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2008 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2008 其浮动通道可用 于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工 作电压可达 250V。NSG2008 采用 SOIC8 封装，可以 在-40℃至 125℃温度范围内工作。
NSG2106/IRS2106 SOP-8 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
04-03 133
NSG2106 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2106 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2106 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。
NSG2101/IRS2101 700V SOP-8 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
04-03 193
NSG2101 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2101 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。NSG2101 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2101 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动。
NSG2005/IRS2001 SOP-8 250V 集成自举的单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
weixin_54940034的博客
03-27 147
NSG2005 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。NSG2005 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力。NSG2005 其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道 功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。NSG2005 集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化 了芯片外围电路。NSG2005 采用 SOIC8封装，可以在 -40℃至 125℃温度范围内工作。
NSG21867/IRS21867 SOP-8 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片
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NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。
NSG2186/IRS2181 SOP-8 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片
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NSG2186 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。2 应用范围  电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  微型逆变器驱动程序。
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CH340 是一个 USB 总线的转接芯片，实现USB 与串口之间的相互转化。
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