CMOS反相器(非门)基础知识（六）

1、为什么会出现互补的CMOS反相器？

 图一是得到输出低电平 0 和高电平 1 的基础电路：

当输出0时，希望R无穷大，减少功耗；

当输出1时，希望R适当小，提高带负载能力。但是电阻R是一个限流电阻，必须要有。

这就要求R在输出高低电平时是一个可变的（仅仅是一个电阻不可行）

图二是最理想的电路，当需要0时，拉到地；当需要1时，拉到电源

这就需要两个反向的开关，一个P沟道和一个N沟道的MOSFET正好符合其条件

这种结构保证了输出是最高质量的0或1

当Vin为0时，上边的管子导通，下边的截至（等效电阻非常大），Vout输出高电平

当Vin为1时，下边的管子导通，上边的截至（等效电阻非常大），Vout输出低电平

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 2、CMOS反相器的电压电流传输特性

数字电子器件都是用电压控制，有电压不一定有功耗，CMOS电路静态功耗几乎为0；

静态：电子器件处在理想的0和1时

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3、输入噪声容限

数字电子器件的“协议” ：“宽以待人，严于律己”

所有的数字电子器件，可以接受输入一个质量差的0或者1，但是一定会输出一个质量高的0或1

这样就会保证集成电路的可靠性。

        在保证输出高低电平基本不变的情况下，允许输入信号的高低电平有一定的范围：

 提高输入噪声容限：提高电源电压VDD，但是一味的提高VDD，功耗就是增大。

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4、CMOS反相器的静态输入输出特性

CMOS反相器的输入端都会有保护电路：保护二氧化硅绝缘层不被大电压击穿

 所有的数字电路从输出到下一级，都相当于是一个有内阻的电压源

输出特性：

输出低电平时

       要得到更低的低电平，VGS要增大，但是VDD也要增大，VDD增大意味功耗增大

输出高电平时

        要得到更高的高电平，VGS要增大，即MOSFET的沟道电阻减小，占的压降减少，输出的电压增大。但是VDD也要对应升上去，VDD增大意味功耗增大

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5、CMOS反相器的动态输入输出特性

传输延迟时间：

“所有的电子只要在电路中流过，一定会在时间上留下痕迹——延迟”

 动态功耗：

        静态功耗：保持标准的低电平或高电平时，几乎没有电流，功耗几乎为0

        动态功耗：处在标准的低电平和高电平中间的电压跳变时的功耗，CMOS工艺的总功耗主要                              是动态功耗

 扇出：

扇出：以数字表示一个电路的输出端能够驱动同类型负载电路输入端的数目