第五章之芯片封测
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芯片封装
封装的作用:给裸片加上保护壳,引出信号引脚,方便安装和焊接,以及兼顾芯片的散热问题。总结来说:一是防水防潮保护裸片,二是方便安装、焊接和使用,三是通过特殊的封装提高传导散热效率,四是采用金属壳封装屏蔽电噪声、电磁辐射等干扰。
封装的流程(以DIP为例):晶圆切割、裸片放置、引线键合、塑封压模、切筋成型、老化实验、产品检验、激光打标共计8个工序。
1.晶圆切割
晶圆切割(Wafer Dicing)是半导体制造中将完成工艺的晶圆分割成独立芯片(Die)的关键步骤,直接影响芯片良率和性能。在检测好的晶圆上,每颗Die上面都标记好了哪些裸片是良品,哪些是次品。一般根据晶圆的薄厚等因素来决定选用切割方法。晶圆切割方法主要有:刀片切割、激光切割、等离子切割等。
2.裸片放置
晶圆切割后,一般裸片由晶圆搬运机(CBM)搬运到封装机中,封装机将裸片放置在封装头的引线框的特定位置上,裸片与封装头之间一般由真空吸嘴进行吸住,保证裸片在封装过程中不会移动。被标记的非良品的裸片不会被CBM吸取放置。
3.引线键合
裸片在引线框上被牢靠固定住后,封装头会自动将裸片上的引脚与引线框上的引脚用引线通过键合机进行连接,形成电信号互联。引线一般用金丝、铜丝、铝丝等材料。
4.塑封压模
当引线键合完成后,封装头会自动将引线框和裸片一起放入塑封机中,进行塑封。塑封机一般采用热压法,将封装材料(如环氧树脂、陶瓷等)通过加热和压力将裸片和引线框固定在一起,形成完整的封装体。
5.切筋成型
经过前序工艺后。芯片、信号引脚、引线框架、封装外壳都处于一个平面上。接下来就是切割引线框架多余的部分,使芯片和引线框架分离,形成独立芯片。最后对芯片引脚进行引脚成型,使引脚更加牢固,方便焊接。至此一个完整的芯片就制作完成。
6.老化实验
芯片封装完成后还需要对芯片进行功能测试、性能测试和老化实验。这里主要介绍老化实验,后续补充功能和性能测试。芯片老化实验是模拟芯片在长时间使用过程中受到的各种恶劣环境和外部应力的影响,评估芯片的性能和可靠性并推断其使用寿命。老化试验可以为芯片设计、智造、封装技术提供参考数据。老化实验主要包括:高温工作寿命试验(HTOL)、高温保存寿命试验(HTSL)、温湿度高加速应力试验(HAST)等。
7.产品检验
进行外观、功能和性能检验,合格后进行激光打标。
8.激光打标
顾名思义就是在合格的芯片上打上激光标记,包含徽标、公司logo、芯片型号批次等。方便后续的芯片管理、销售、使用等。
封装种类
常规的芯片封装种类有:双列直插封装(DIP)、小外形封装(SOP)、四周扁平封装(QFP)、无引脚芯片载体封装(LCC)、插针阵列封装(PGA)、平面触电阵列封装(LGA)、球阵列封装(BGA)、特殊封装等。
先进封装种类有:立体封装、多芯片和模块封装、系统级封装和晶圆级封装、
1. 双列直插封装(DIP)
封装特点:芯片呈长方形,引脚呈双列排列,引脚间距较大。
2. 小外形封装(SOP)
封装特点:与DIP封装类似,引脚分布两侧,但是引脚方向与芯片同处于同一平面。实现从插装到贴装的形式,有更短小轻薄的特点。
3. 四周扁平封装(QFP)
封装特点芯片四周都引出信号引脚,引脚间距较小,适合贴装。
4. 无引脚芯片载体封装(LCC)
封装特点:芯片四周没有引脚引出,四周信号引脚引出的是金属化触点,适合贴装。提高了引脚密度,进一步减小了芯片体积。
5. 插针阵列封装(PGA)
封装特点:芯片底部引出金属针脚,引脚间距较大,适合插装。用于需要频繁插拔的场合。例如早些年份的AMD的台式机的CPU就是采用PGA封装的。那时候不小心弄歪了针脚有可能就不能正常使用了。
6. 平面触电阵列封装(LGA)
封装特点:在PGA封装的基础上,将金属针脚改为金属触点,适合贴装。也是一中适用于需要频繁插拔的场合。例如:Intel的i9系列CPU就是采用LGA封装的。
7. 球阵列封装(BGA)
封装特点:BGA实现了更高的封装密度和更好的焊接性能,更适用于轻薄的智能手机和移动端开发。并且BGA封装在封装密度、散热性能和电气性能上更加优越,适合高性能、低功耗的芯片。一般焊接此类芯片需要用到热风枪。
8. 特殊封装
封装特点:特殊封装应用在特殊场合如:SIP、ZIP、COB、COF、COG、DFN等。
芯片封装的互联技术
芯片封装的任务之一是实现裸片的信号引出点与封装的信号引脚点的电信号互联。主要采用的电信号互联技术有:引线键合(WB)、倒装芯片(FC)、封装基板(Sub)、中介层(Interposer)、硅通孔(TSV)和硅通孔(TSV)。
1. 引线键合
前面提及过:图示如下
2. 倒装芯片(FC)
即裸片正面朝下,裸片焊接凸点与封装基板焊接凸点通过焊料连接,实现电信号互联。
3. 封装基板(Sub)
封装基板是芯片封装的底座或载体,也是实现裸片的信号引出点与封装的信号引脚之间互联的布线层,类似于传统多层印制的电路板(PCB)。封装基板主要提供电信号互联、支撑芯片封装和帮助裸片散热。
4. 中介层(Interposer)
中介层位于裸片和封装基板之间,它是裸片和封装基板之间的专用布线层,引入中介层主要是为更好的解决裸片之间、裸片与封装基板之间的电信号互联问题。中介层一般由硅材料制作而成。
5. 硅通孔(TSV)
硅通孔是芯片封装互联技术的最新成果之一,它通过在芯片内部制造通孔,实现芯片内部信号互联。硅通孔技术可以大大提高芯片的性能和可靠性,同时减小芯片的体积和功耗。
扇入扇出型封装
扇入型封装
可以理解为裸片面积足够所有的信号引出点引出,能够在裸片上排列,芯片封装可以与裸片大小相近。
扇出型封装
可以理解为裸片面积不够所有的信号引出点引出,不能够在裸片上排列,芯片封装需要比裸片面积大,此时需要借助封装基板来扩大封装焊点。
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二维和三维封装(2D和3D封装)
依据裸片堆叠方式的不同,封装分为二维封装和三维封装。
二维封装(2D)
芯片封装壳中仅有一个电路层,所有的裸片堆叠在同一个平面上,它们采用倒装的方式与封装基板连接。
2.D封装
它是二维封装的特殊情况,芯片封装壳中虽只有一个电路层,但电路层与封装基板之间有一个用芯片制造工艺制成的用于布线的硅中介层,它与裸片也形成了堆叠关系。因此称作2.5D封装。
三维封装(3D)
芯片封装壳中由多个电路层堆叠堆叠的芯片,多个裸片堆叠在多个平面上,它们也采用倒装的方式与封装基板连接。
晶圆级封装(Wafer Level Packaging,WLP)
圆级封装不同于传统封装对裸片进行封装,而是对整个晶圆进行封装,相关操作包括重新布线层(RDL)的制作、焊接凸点形成、裸片表面保护等。同样晶圆封装也分有:二维晶圆级封装和三维晶圆级封装。
二维晶圆级芯片尺寸封装(2D Wafer Level Chip Size,2D WLCSP)
维晶圆级芯片尺寸封装首先在整个晶圆上完成封装的相关工艺,然后把晶圆切割成与裸片尺寸大小相近的芯片。
三维晶圆级芯片尺寸封装(3D WLCSP)
三维晶圆级芯片尺寸封装则首先对多个晶圆进行堆叠,然后完成相关封装工艺,最后将堆叠的晶圆切割成与裸片尺寸大小相近的3D芯片。
多芯片封装和模组封装
多芯片封装(MCP)是将多颗裸片封装在一个封装壳年内,封装尺寸一般小而薄。模组封装(MP)是把芯片的裸片和各种电子元器件封装在一个封装壳内,封装尺寸一般较厚大。如果多芯片封装和模组封装内部已构成一个完整的电路系统,则可以称作系统级封装(SIP)。
多芯片封装(Multi-Chip Package,MCP)
多芯片封装(MCP)是将多颗裸片封装在一个封装壳年内,封装尺寸一般小而薄。
模组封装(Module Package,MP)
模组封装(MP)是把芯片的裸片和各种电子元器件封装在一个封装壳内,封装尺寸一般较厚大。
系统级封装(System Package,SP)
如果多芯片封装和模组封装内部已构成一个完整的电路系统,则可以称作系统级封装(SIP)。
芯片测试
这里的芯片测试主要描述制造完成后的芯片测试(封装成型),而不是设计阶段的测试。主要包含三个部分:芯片功能测试、芯片性能测试和芯片可靠性测试。
1. 芯片功能测试
芯片功能测试使用的主要设备是自动化测试设备。芯片功能测试需要依靠扫描测试(Scan Test)来对芯片中的逻辑电路模块进行测试,并依靠存储器内建自测试(MBIST)模块来对芯片中的存储器模块进行测试,以及依靠自动化测试设备(Automatic Test Equipment,ATE)选配的高速通信适配卡来对芯片中的高速数字接口(如 USB 接口、MIPI、PCle接口、SATA等)进行测试。另外,有时还要对芯片中的一些模拟电路模块(如 PLL、LDO、OSC等)进行测试。
2. 芯片性能测试
芯片性能测试的项目和内容根据芯片的类型而定,例如对于CPU、DPU、DSP 等处理器芯片,就要测试芯片的最大工作频率、最低工作电压、功耗等:而对于放大器等模拟芯片,就要测试芯片的放大倍数、信噪比、静态电流和动态电流等。芯片性能测试得到的测试数据通常列在芯片产品说明书的性能参数一览表中。
3. 芯片可靠性测试
芯片可靠性测试是在老化室完成的测试,老化室中一般包括高低温试验箱、加速应力试验台、电源等设备。芯片可靠性测试主要包括高温工作寿命试验(HTOL)、高温保存寿命试验(HTSL)、温湿度高加速应力试验(HAST)等。HTOL用来预估芯片未来长时间正常工作的寿命;HTSL用来评估芯片在设定的高温情况下保存时,经过多长时间仍能保持完好;HAST用来评估芯片在加电情况下,在设定的高温和湿度环境中,经过多长时间仍能正常工作,以检验芯片的可靠性和使用寿命。