反激式开关电源的QR工作模式

QR模式也叫反激准谐振模式，其实是DCM的一种， 是指当磁芯能量完全完全释放完毕后，变压器的初 级电感和MOS的结电容进行谐振，MOS结电容放电 到最低值时，初级的开关管导通。 此模式是集DCM的优点及大部分缺点于一起，只是 把其中的一项缺点做了优化从而变成了优点。就是 加了谷底检测功能，改善MOS的开通损耗，从而改 善效率。

QR反激变换器的设计方法

1 输入电压范围：最低输入电压Vacmin，最高输入电压Vacmax；

一般为低输入85～135VAC，高输入176 ～265VAC，全电压输入85 ～ 265VAC ；

2输入频率：fac 输入交流频率，50Hz或60Hz；

3输出电压：Vout；

4 输出电流：Iout；

5 整机效率： η 一般取80%；

6 最低开关频率：fsw 对于反激准谐振这个频率是变化，在设计时应该以最低输入电压， 最大输入功率时的最小频率来确定其它参数。

一般从两个方面来考虑，一方面 为了减小变压器体积，得适当加大频率；另一方面为了降低开关损耗和EMI， 还得适当减小频率；一般折中考虑后通常会取25KHz～100KHz； � 最大输入功率：Pin Pin =（Vout × Iout） ÷ η

确定直流输入电压

50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动的直流电 压，再通过输入滤波电容得到直流高压。在理想情 况下，整流桥的导通范围应为0°～180 °，但由于 滤波电容的作用，仅在接近交流峰值电压处的很短 时间内，才有电流经过整流桥对C充电，导通范围约 为30°～90 °。这里引入一个符号Dch为电容充电 占空比。Dch ≈0.33。

Vbusmax = Vacmax 式中CBUS为输入电容容量

确定反射电压

设计QR时，为了在尽可能大的范围内实现 零电压导通，反射电压VRO尽量取得大一些。 由图十可以看出 VDS=Vbusmax+Vclamp+杂散电感的影响 电压+开关管的电压余量 式中 VDS为MOS管的额定电压 Vbusmax为最大直流输入电压 Vclamp为电容的吸收电路的 嵌位电压， 当Vclamp=1.4 VRO时，吸收电路损耗最 小 杂散电感的影响电压一般取10～20V 为了保证开关管的安全，开关管的电压余 量一般取10% ～ 20%的VDS

 确定最大导通时间

由上图可见一个完整的周T=TON+TOFF+TW 其中TON为MOS导通时间，TOFF为变压 器去 磁时间，TW为震荡时间； 那么根据伏秒法则 Vbusmin ×TON=VRO ×TOFF， TOFF=T－TON －TW将两式化简得 TON=[VRO ×（T-TW）] ÷(Vbusmin ＋ VRO) 式中 T为最小开关周期;

Vbusmin为最低直流 输入电压;VRO为反射电压。 里边只有一个未知量就是TW， 这个值的公式为TW= LP为变压器原边电感量; CP为MOS管漏极电容 （可以通过查MOS管的datasheet得出） 但这里原边电感量没有求出来，所以我们一般取TW为整个最小开关周期的的5%; 把上边的TON公式整理得 TON=[VRO ×（0.95 × T）] ÷(Vbusmin ＋VRO)

确定初级电感量

由上节得出TON的值，那么Dmax=TON÷T �初级峰值电流 Ippk=（Pin ×2）÷（Dmax ×Vbusmin） 式中Ippk为初级峰值电流；单位A Pin为输入最大功率；单位W Dmax为最大占空比； Vbusmin为最低直流输入电压。 单位V �初级电感量LP= (Vbusmin ×TON) ÷Ippk

确定变压器初次级的匝数

上边我们通过AP法找出合适的磁芯，得到磁芯的横截面积Ae  初级的匝数NP=（LP ×Ippk ） ÷（ △B ×Ae） 式中LP为初级电感量; 单位uH Ippk为初级峰值电流; 单位A △B 为磁感应强度变化量; 单位T Ae磁芯的横截面积.单位mm2  次级的匝数NS=（Vout+Vf）×NP ÷VRO 式中Vout为输出电压;单位V Vf为整流管管压降，一般取0.5 ～1V;单位V VRO为反射电压. 单位V

确定次级整流二极管 

输出二极管的反向耐压Vdrev=Vbusmax×N+Vout考 虑到尖峰的影响，一般选取整流二极管的反向耐压为 1.25倍的Vdrev，因此二极管的 Vrrm=1.25×（Vbusmax×N+Vout） 式中N为次级与初级的匝比 NS/NP  上边已经算出次级的电流有效值Isrms，考虑到降额 使用，一般选取输出二极管的正向电流为2 ～3倍的 Isrms，因此二极管的最小正向电流 IF= （2 ～3） × Isrms