CdSe量子点/氧化石墨烯复合物|CdSe/GO纳米复合材料的紫外-可见吸收光谱显示

CdSe量子点/氧化石墨烯复合物|CdSe/GO纳米复合材料的紫外-可见吸收光谱显示

采用一种简单的化学沉淀法成功合成了CdSe量子点与氧化石墨烯(GO)的复合材料.紫外-可见吸收光谱显示,CdSe量子点和CdSe/GO纳米复合材料的吸收边分别出现在583和556nm处.与纯CdSe量子点相比,GO层上的CdSe量子点的尺寸减小,由于量子限制效应,CdSe/GO纳米复合材料的光吸收波长在蓝移,从而拓宽了CdSe/GO纳米复合物的光吸收范围.PL光谱图显示CdSe量子点的可见光区的强宽发光峰出现在缺陷态的603nm,而在576nm处观察到CdSe/GO纳米复合材料的发射峰,峰位蓝移,光猝灭.GO表面上CdSe量子点的修饰改变了GO层间相互作用的范德华力和CdSe量子点与GO片相互作用的静电作用力.这些相互作用导致能级的变化,使得CdSe/GO纳米复合的发射峰蓝移.由于复合物中电子-空穴对的复合被抑制,CdSe/GO纳米复合材料的光致发光强度低于CdSe量子点,此对应于CdSe量子点到GO板的界面电荷转移.PL研究表明,GO修饰CdSe可促进电子-空穴对的分离.EIS测量方法进一步研究了CdSe量子点和CdSe/GO纳米复合材料的电荷输运行为.结果显示,加入GO后,CdSe量子点的阻抗值减小,表明GO的引入降低了电荷转移电阻,促进了其界面电荷转移.因此,CdSe/GO纳米复合材料具有较高的电荷分离效率,可以提高其光催化活性。

 

 

 
量子点定制产品目录：
  CdTe/CdS量子点负载PEI-MWCNTs
CdTe/CdS量子点修饰TiO2纳米管
L-半胱氨酸修饰碲化镉量子点CdTe QDs
氨基化葫芦脲修饰的碲化镉量子点CB[6]/CdTe QDs和CB[7]/CdTeQDs
精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸(RGD)修饰碲化镉(CdTe)量子点
核糖核酸酶(RNase A)修饰碲化镉(CdTe)量子点
3-巯基丙酸(MPA)包覆碲化镉量子点(CdTe QDs)
水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰碲化镉量子点(NAC-CdTe)
巯基化壳聚糖修饰碲化镉量子点CdTe QDs
巯基乙酸修饰的碲化镉量子点(TGA-CdTe-QDs)
石墨烯-碲化镉量子点复合材料(G-CdTe QDs)
氧化石墨烯-碲化镉量子点(rGO-CdTe QDs)
碲化镉量子点功能化碳纳米球(CNS/CdTe QDS)
巯基丙酸包覆碲化镉CdTe量子点(CdTe QDs)
环糊精修饰碲化镉CdTe量子点
聚乙烯吡咯烷酮修饰硫化镉量子点(PVP/CdS)
硫化镉量子点修饰AIE荧光探针分子
羧甲基纤维素钠修饰硫化镉(CdS)量子点
L半胱氨酸修饰硫化镉量子点(LCys@CdS)
锰掺杂硫化镉量子点CdS QDs
硫化镉量子点-二氧化钛(CdS QDs/TiO2)复合材料
水溶性锗掺杂硫化镉量子点(Ge:CdS d-dots)
硫化镉量子点修饰多孔碳氮化物(pg-CN/CdS QDs)
本文来自小编axc.2022.