硅基底碳纳米管阵列，导电碳纸基底上氮掺杂碳纳米管阵列，生长条件控制方法

硅基底碳纳米管阵列，导电碳纸基底上氮掺杂碳纳米管阵列，生长条件控制方法

名称：硅基底碳纳米管阵列
纯度：95%+
存储条件：-20°C，避光，避湿
用途：科研
状态：固体/粉末/溶液
硅基底碳纳米管阵列是一种碳纳米材料结构，其中碳纳米管以阵列形式生长在硅基底表面上。这种结构通常通过化学气相沉积（CVD）等方法制备。

硅基底碳纳米管阵列具有优异的结构一致性、尺寸可控性和电学性能，因此在纳米电子学、传感器、光电子学等领域具有广泛的应用前景。这种结构的制备对于研究碳纳米管的生长机制、电子输运性质等方面也具有重要意义。

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