功率MOS的五种损坏模式

第一种 雪崩破坏

  如果在漏极-源极之间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V（BR）DSS ，并超出一定的能量后就发生的破坏的现象。

  在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏极电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

第二种 器件发热损坏

 由超出安全区域引起发热导致的。发热的原因为直流功率和瞬态功率两种

 直流功率原因：外加直流功率而 导致的损耗引起的发热

                 如：1.导通电阻RDS(ON)损耗，高温时RSD（ON）增大，导致一定电流下，功耗增加

                         2.由漏电流IDSS引起的损耗（相对来说比较小）

                         3.负载短路

                         4.开关损耗

                         5.内置二极管的TRR 

第三种 内置二极管破坏

  在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在FLYBACK时功率MOSFET的寄生双极晶体运行，导致此二极管的破坏模式

第四种 由寄生振荡导致的破坏

此破坏方式在并联时容易发生

在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的的栅极寄生振荡。高速反复接通，断开漏极-源极电压时，在由栅极-源极电容Cgd和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件（wl=1/wc）时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs（in）的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压而导致栅极破坏，或者接通，断开栅极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作而引起振荡破坏。

第五种 栅极电涌 静电破坏

  在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端而导致的栅极破坏。