ntag21x的内存结构类似于EEPROM,按页访问,一个页4个字节,容量越大的ntag,页数也越大,内存结构也有点不同.
一.下面是nta216内存结构:
图:01
2.序列号也就是UID一共有七个在page0, page1中, 内存结构如下
图:02
1.其中UID0~UID2在page0中的前三个字节,第四个字节是卡类型CT与前3个字节的UID的BCC异或校验.UID3~UID6在page1中.UID3~UID6的BCC校验在page2的第一个字节
图:03
二,静态锁
1.page2的第2,3个字节为静态锁控制区,设置页的写权限.所谓静态的意思就是被设置后就无法再次设置(有点类似于OTP), 它控制的范围是 page03~15(page03是容量信息字节,前3个字节是不能改变的)
page2结构如下图所示:
图;04
2.如图04,第2个字节的第0bit是控制第3bit CC,然后CC控制page3的写权限(设置1为阻止写), 第1个bit是控制
第4bit
到第3个字节的第1bit
, 一旦第1bit被设置, 相应的控制就无法被改变.第2个字节的第2bit跟第1bit类似.控制的是L10到L15
三,动态锁
图:05
动态锁控制字节可以自由任意配置,根据容量不同所在的位置也不同,一个位控制页数也不同.上图是tag216的字节控制图, 一个位控制控制相应的位置和页数也有变化,动态锁控制配合PWD页一起控制内存的读写功能.
ntag21x的内存结构类似于EEPROM,按页访问,一个页4个字节,容量越大的ntag,页数也越大,内存结构也有点不同.
一.下面是nta216内存结构:
图:01
2.序列号也就是UID一共有七个在page0, page1中, 内存结构如下
图:02
1.其中UID0~UID2在page0中的前三个字节,第四个字节是卡类型CT与前3个字节的UID的BCC异或校验.UID3~UID6在page1中.UID3~UID6的BCC校验在page2的第一个字节
图:03
二,静态锁
1.page2的第2,3个字节为静态锁控制区,设置页的写权限.所谓静态的意思就是被设置后就无法再次设置(有点类似于OTP), 它控制的范围是 page03~15(page03是容量信息字节,前3个字节是不能改变的)
page2结构如下图所示:
图;04
2.如图04,第2个字节的第0bit是控制第3bit CC,然后CC控制page3的写权限(设置1为阻止写), 第1个bit是控制
第4bit
到第3个字节的第1bit
, 一旦第1bit被设置, 相应的控制就无法被改变.第2个字节的第2bit跟第1bit类似.控制的是L10到L15
三,动态锁
图:05
动态锁控制字节,根据容量不同所在的位置也不同,一个位控制页数也不同.上图是tag216的字节控制图, 一个位控制控制相应的位置和页数也有变化,动态锁控制配合PWD页一起控制内存的读写功能.
ntag21x的内存结构类似于EEPROM,按页访问,一个页4个字节,容量越大的ntag,页数也越大,内存结构也有点不同.
一.下面是nta216内存结构:
图:01
2.序列号也就是UID一共有七个在page0, page1中, 内存结构如下
图:02
1.其中UID0~UID2在page0中的前三个字节,第四个字节是卡类型CT与前3个字节的UID的BCC异或校验.UID3~UID6在page1中.UID3~UID6的BCC校验在page2的第一个字节
图:03
二,静态锁
1.page2的第2,3个字节为静态锁控制区,设置页的写权限.所谓静态的意思就是被设置后就无法再次设置(有点类似于OTP), 它控制的范围是 page03~15(page03是容量信息字节,前3个字节是不能改变的)
page2结构如下图所示:
图;04
2.如图04,第2个字节的第0bit是控制第3bit CC,然后CC控制page3的写权限(设置1为阻止写), 第1个bit是控制
第4bit
到第3个字节的第1bit
, 一旦第1bit被设置, 相应的控制就无法被改变.第2个字节的第2bit跟第1bit类似.控制的是L10到L15
三,动态锁
图:05
动态锁控制字节,根据容量不同所在的位置也不同,一个位控制页数也不同.上图是tag216的字节控制图, 一个位控制控制相应的位置和页数也有变化,动态锁控制配合PWD页一起控制内存的读写功能.