闪存的一些基本概念及其技术融合趋势（一）

转自：http://www.cevx.com/blog/user1/638/archives/2007/2007121134939.html

 

    为了提高竞争力，各大半导体厂商都会尽一切努力进行新技术的研发，开发出高速度、大容量、高可靠性以及低功耗、低成本的产品成为各个厂商的共同目标，NAND与NOR的融合也被业界普遍认为是未来的趋势。

　　受益于消费电子产品的旺盛需求，Flash闪存已取代RAM成为存储器家族中最主要的力量，市场规模高速扩张，三星、英特尔、Spansion 等半导体厂商也成为最大的受益者。根据逻辑结构的不同，Flash闪存主要可分为NAND和NOR型两种，前者可提供更大的容量，但不支持代码本地执行， 读速度也较慢(但写入速度较快)；而NOR型闪存支持代码本地运行，读速度也稍快(写入速度稍慢)，但主要缺点在于很难实现较高的存储密度。不同的特性让 这两者分别属于不同的市场：NAND广泛用于数据存储相关的领域，如移动存储产品、各种类型的闪存卡、音乐播放器等，而NOR型闪存主要用于手机、掌上电 脑等需要直接运行代码的场合。两者一向泾渭分明、互不干扰。

　　不过，由于手机市场起步较早(1999年开始全球流行)、整体规模很大，NOR闪存也就长期居于主导地位，出货量占据闪存整体份额的60%以 上；NAND闪存虽然应用领域更为广泛，但受累于数码产品的用户群较小，整体规模反而不如NOR闪存。然而，近两年此种格局悄悄发生了逆转：应用的成熟与 价格平民化让数码相机、音乐播放器、移动存储器快速向主流人群普及，大容量NAND闪存的需求也因此极其强劲，受益于此，NAND闪存市场一直呈现高速增 长态势。但与之形成鲜明对比的是，手机产品从2004下半年开始就陷入相对低迷状态，致使NOR闪存需求的增速减缓。此消彼涨，NAND闪存的市场规模在 2005年最终超过NOR成为闪存家族中的主力军，而掌上电子产品的功能日趋强大，对大存储容量的要求如饥似渴，业界普遍认为NAND的发展潜力将远高于 NOR型闪存，并将击败后者成为闪存家族中的绝对主导。

　　然而，NAND闪存要完全替代NOR闪存并不现实，虽然它的容量远大于NOR，但NAND低速、不够可靠、无法支持代码本地执行的先天缺陷一直 难以克服。如果在手机、掌上电脑产品中只采用NAND，将会出现系统启动速度慢、较容易死机的严重问题，也正因为如此，NOR的地位依然十分稳固。而许多 设备厂商为了在自己的产品中提供较强的数据存储功能，往往采用同时集成NOR(用于运行本地程序)、RAM(用于装载程序运行的数据)以及NAND(用于 个人数据的存放)三种不同类型的存储器件，但此种方案不仅设计复杂，产品的成本也比较高，不利于推广。至于闪存厂商对NAND、NOR之间的壁垒也甚为不 满，多数闪存厂商都希望自己的产品能够满足全方位的需求，以此获取更大的市场份额。开发两者相融合的新型闪存技术就成为业界共识，在这方面，三星与 Spansion走在前面。以NAND业务为主的三星公司在2003年提出OneNAND技术方案，兼顾NAND高容量和NOR快速等优点，希望籍此从 NOR闪存厂商手中抢夺市场份额；而只有NOR业务的Spansion(AMD与富士通闪存业务的合资公司，NOR闪存的第二大厂)也在2004年提出功 能类似的ORNAND技术，希望能够从NAND市场的高增长中分享成果。这样，新一代闪存市场将形成三星OneNAND与Spansion ORNAND对垒的局面。尽管这两项技术提出已久，但在近两年来它们一直都有新的技术发展，OEM市场也从2005年下半年开始逐步接受，业界认为这两者 有希望与传统的NAND、NOR共存，成为闪存家族的又一大主力，这也是我们直到现在才介绍这两项技术的主要理由。

　　闪存的一些基本概念

　　在介绍OneNAND和ORNAND之前，我们非常有必要对NAND、NOR闪存的技术差异和应用作进一步的探讨。

　　NAND、NOR闪存的基本原理

　　无论NAND还是NOR，都是闪存(Flash Memory)家族中的成员，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都完全相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管 (场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND 单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困 住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这 个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。

　　虽然基本原理相同，但闪存可以有不同的电荷生成与存储方案。其中应用最广泛的是“通道热电子编程(Channel Hot Electron，CHE)”，该方法通过对控制栅施加高电压，使传导电子在电场的作用下突破绝缘体的屏障进入到浮动栅内部，反之亦然，以此来完成写入或 者抹除动作；另一种方法被称为“Fowler-Nordheim(FN)隧道效应法”，它是直接在绝缘层两侧施加高电压形成高强度电场，帮助电子穿越氧化 层通道进出浮动栅。NOR闪存同时使用上述两种方法，CHE用于数据写入，支持单字节或单字编程；FN法则用于擦除，但NOR不能单字节擦除，必须以块为 单位或对整片区域执行擦除操作，由于擦除和编程速度慢、块尺寸也较大，使得NOR闪存在擦除和编程操作中所花费的时间很长，无法胜任纯数据存储和文件存储 之类的应用，但它的优点是可支持代码本地直接运行；其次，NOR闪存采用随机存储方式，设备可以直接存取任意区域的数据，因此NOR闪存底部有大量的信号 引脚，且每个单晶体管都需要辅助读写的逻辑，晶体管利用效率较低、容量不占优势。而NAND闪存采用FN法写入和擦除，且采用一种“页面-块”寻址的统一 存储方式，单晶体管的结构相对简单，存储密度较高，擦除动作很快，但缺陷在于读出性能平平且不支持代码本地执行。另一个不可忽视的地方在于，NAND闪存 很容易出现坏块，制造商通过虚拟映射的方式将其屏蔽，这一点很类似于硬盘。

　　目前，NOR阵营的厂商主要有英特尔与Spansion，后者为AMD与富士通闪存部门合并成立的新企业，英特尔目前的市场份额稍高，而 Spansion则在技术上具有一定的优势，该公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR闪存，创下NOR的最高容量记录。NAND领域的半导体厂 商主要包括三星、现代(Hynix)、东芝、美国IM快闪科技(英特尔与美光科技近日成立的合资公司)等，其中三星占据的份额超过50%，居绝对的领先地 位，该公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND闪存，但要等到今年下半年才有机会进入实质性的量产阶段。

　　图1 Flash闪存的基本存储单元(Cell)结构示意

　　OEM厂商采用的应用方案

　　NOR与NAND的不同特性决定了两者不可能取代对方。在NAND虎视眈眈的手机领域，各厂商传统上只有NOR+RAM、 NOR+NAND+RAM两种组合模式，它们都是采用NOR作为程序存储及执行的器件，RAM则用于存放运行过程中要用到的数据。由于NOR可以直接执行 代码，无需动用RAM资源，使得对应的手机产品具有启动速度快、操作反应灵敏、功耗低等优点。其中，NOR+RAM多见于欧美品牌、注重商务功能的手机产 品中，而NOR+NAND+RAM方案多出了NAND闪存作为图像、音频、个人数据的存储器件，多见于日系品牌的高端手机和音乐手机产品中。由于娱乐型手 机发展前景看好，控制芯片厂商也普遍在新一代产品中集成了NAND控制功能，这对于NAND的应用非常有助益。

　　然而，NAND阵营显然不满足于此，为了全盘取代NOR，NAND阵营的半导体厂商一直在鼓吹NAND+RAM方案，它的组成架构非常类似于电 脑中的硬盘和内存。NAND用于存储系统程序，采用“代码映射(ode shadowing)”技术运行，也就是代码和数据都必须载入到RAM后方可执行。此种架构乍看起来似乎没什么问题，但代码映射架构要求在NAND和 RAM之间进行大量的代码复制工作，性能无法得到保证，且代码映射带来的高功耗也是一个大问题。采用此种架构的手机产品普遍存在开机短暂暗屏(代码载入时 手机不可操作)、系统操作反应迟滞、电池使用时间不够长等弊病，加之NAND一旦出现坏区，系统就有可能出现运行故障，用户自身又很难修复。尽管NAND 阵营的支持者一直强调NAND在容量和写入速度方面的优势，但在上述问题得到最终克服之前，手机厂商显然不怎么乐意采用这样的方案，这也是NAND阵营在 进入手机市场方面一直雷声大、雨点小的主要缘由。而对三星公司来说，传统型NAND既然无力直接取代NOR，寄希望给OneNAND再自然不过，而事实 上，OneNAND也具有这样的潜力。

三星OneNAND技术

　　OneNAND结合了NAND存储密度高、写入速度快和NOR读取速度快的优点，整体性能完全超越常规的NAND和NOR。除了下一代移动电话 外，OneNAND面向的市场还包括数字电视、嵌入式设备、数码相机、便携GPS设备等等，不过三星并不是希望它快速取代传统的NAND，而是将其作为 NOR的竞争者。在具体实现上，OneNAND其实并不复杂，三星并不是采用另起炉灶的方式来设计它，而是巧妙地将NAND与NOR的结构融为一体。 OneNAND采用NAND逻辑结构的存储内核和NOR的控制接口，并直接在系统内整合一定容量SRAM静态随即存储器作为高速缓冲区。这 样，OneNAND就可以在容量指标上与NAND闪存靠拢，目前它的最高密度指标达到4Gb，虽然在容量上略不如NAND但比NOR闪存要高出许多。为满 足不同层次的需求，三星还推出包括512Mb、1Gb和2Gb的多种容量供选择。

　　图2三星OneNAND闪存的逻辑构成

　　OneNAND的特点

　　NAND内核并不具备本地执行代码(XIP)的能力，但这项功能对各种需要快速程序运行终端设备来说非常重要。三星作出的解决办法就是依靠高速 SRAM缓存—在存储器家族中，SRAM(静态随机存储器)的读写速度最快，CPU内的L1 Cache和L2 Cache采用的就是SRAM逻辑，可具备与CPU等速运行的能力。当OneNAND执行程序时，代码必须从OneNAND存储核心载入到SRAM，然后 在SRAM上执行。由于SRAM的速度优势，数据载入动作几乎可以在瞬间完成，用户感觉不到迟滞现象，加上SRAM被直接封装在OneNAND芯片内部， 外界看起来就好像是OneNAND也具备程序的本地执行功能。这种工作模式非常巧妙，并可收到与NOR相同的效果，但缺点是SRAM逻辑的晶体管利用效率 非常低，无法实现较大的容量，三星在OneNAND中只是集成1KB容量的SRAM，因此OneNAND暂时只支持1KB代码长度的XIP—在这方 面，OneNAND显然还无法与NOR闪存相媲美。

　　不过，OneNAND的读写性能相当出众，三星最新的OneNAND产品拥有高达108MBps的数据读取带宽，这已达到与NOR闪存相当的水 准—这个速度也远远超过了现在的7200转桌面硬盘。相比之下，常规NAND闪存的读取性能只有区区17MBps，两者存在巨大的性能差异。其 次，OneNAND的数据写入速度达到9.3MBps，虽然远远不如108MBps的读取速度，但相比NAND闪存的6.8MBps也已经有长足的进步 了。与之形成鲜明对比的是，NOR闪存的写入速度只有可怜的0.14MBps，几乎称得上是慢如蜗牛。在数据擦除方面，OneNAND与NAND的指标相 同，都达到64MBps，而NOR闪存更只有区区0.11MBps，与前两者完全无法相比。从性能角度来看，OneNAND无论读、写还是擦除都明显凌驾 于NAND之上，NOR在写入/擦除方面的性能与之根本不具可比性，对嵌入式设备厂商来说，选择简单的OneNAND来代替NOR+NAND组合的方案是 非常可行的。

　　由于OneNAND采用与NAND相同的存储内核，它也会遭遇存储坏块的问题。如果只是用在数据存储，这个问题似乎没什么大不了，但 OneNAND必须用于系统代码的装载和执行，一旦出现存储坏区且该区正在执行代码访问，造成的后果便是设备死机或者关机，这其实也是NAND进入NOR 应用领域的主要障碍。为了解决这个难题，三星公司为OneNAND闪存量身定做了一款名为“Datalight OneBoot”的嵌入式控制软件。Datalight OneBoot具有高度灵活的特性，可被简单地整合到各种类型的嵌入式系统中。在实际运行时，OneBoot允许设备像使用硬盘一样来调用OneNAND 资源，读写操作的具体算法由OneBoot在底层直接实现。而在关键的坏块管理上，OneBoot通过实时扫描、瞬间屏蔽的方式来隐藏坏块。扫描工作一般 在系统闲置时进行，如果OneBoot检测到存储区的某处存在坏块，那么OneBoot就对该区域作上标注，将坏块屏蔽起来，这样代码运行或数据读写时就 不会访问到这个区域，保证系统运行及个人数据存储的可靠性。这种机制非常有效，往往是坏块刚刚产生就被OneBoot检测到并屏蔽，没有什么机会被程序或 用户所访问。因此尽管OneNAND仍在物理上具备类似NAND的不可靠性缺陷，但三星的OneBoot嵌入式控制软件在很大程度上可以将之消除，该套系 统的可靠性完全可以同搭载NOR闪存的系统相媲美。为了让OneNAND能进入更多领域，三星还在OneBoot基础上发展出增强的 “OneBoot+File”技术，后者除了具备OneBoot所有的功能特性外，还能够明显加快系统的启动速度。OneBoot+File的启动加速技 术有些类似于计算机的“休眠”，它在运行时可以自动保存系统的工作状态，在下一次启动时直接从该状态恢复。三星表示，采用OneBoot+File控制软 件，系统的启动速度可比常规方式快出88%，几乎是即开即用。鉴于掌上设备日趋复杂化，软件功能增加，启动时间也相应延长，而选择三星的OneNAND闪 存与OneBoot+File控制软件方案可很好缓解这些问题，这在智能手机、掌上电脑、高性能数码相机等产品中尤其具有积极意义。

　　OneNAND的四套应用方案

　　为了让OneNAND可进入多个领域，三星总共提出了四套不同的OneNAND应用架构，分别针对手机、数码相机/数码摄像机、数字电视/数字机顶盒以及大容量的硬盘MP3播放器，下面我们将分别对此进行分析。

　　手机平台如前所述，现阶段手机一般采用NOR＋NAND＋RAM的方式，由于NOR必须装载系统软件，需要使用较大的容量。引入OneNAND 闪存之后，手机厂商可以先选择NOR＋OneNAND＋RAM的混合模式，其中OneNAND可存放代码运行的中间数据，这样手机厂商就可以适当削减 NOR闪存的容量以降低成本。等到时机成熟，手机厂商完全可以将NOR移除，构成由OneNAND+RAM的简单方案。在这套系统中，OneNAND闪存 既可以承担系统程序运行职能，也将用于数据存储，由于结构简单，手机厂商可以实现产品的轻薄化并使成本得到有效控制。

　　数码相机/数码摄像机平台现有的数码相机/数码摄像机产品的存储系统一般由“NOR＋SDRAM＋NAND闪存卡”构成。NOR用于存放数码相 机/摄像机的嵌入式程序，用户拍摄生成的照片或者视频则必须存储在专门的闪存卡中。如果厂商愿意选择OneNAND，那么该平台的存储架构将变成 “OneNAND+SDRAM”——OneNAND具有较大的容量，可在一定程度承担起用户数据存储职能，厂商只要在产品设计一个闪存卡接口即可，如果用 户有扩展容量的需要，可自行到市面上购买相应标准的闪存卡。对数码相机/摄像机厂商来说，采用OneNAND同样可以降低产品的制造成本，而用户也可具有 更高的自主性，至少不必担忧自己购买大容量闪存卡之后，原先标配的小容量闪存卡就派不上用场。

　　数字电视/机顶盒平台该平台目前多采用NOR＋DDR SDRAM存储方案，NOR用于存储嵌入式系统，DDR内存则用于装载生成的数字电视图像。厂商可以直接用OneNAND闪存来代替NOR。由于 OneNAND有较大的容量，读写速度快，可以存放诸如节目列表、节目记录以及用户截取的电视图像，厂商可以籍此提高产品的人性化功能，增强自身的竞争 力。

　　硬盘MP3播放器iPod的全球流行引发MP3播放器的热潮，尤其是拥有大容量硬盘的产品更是受到广大用户的青睐。目前硬盘MP3播放器多采用 “小容量NOR＋DRAM＋硬盘”的存储方案，NOR只能用于存放播放器的操作系统软件，而DRAM必须在暂存程序数据的同时，存放用户的音乐文件列表。 由于DRAM无法在掉电状态下保存数据，因此为了保存用户的音乐文件列表就必须对DRAM作不断的刷新，且要求DRAM具有较高的容量。这些因素都将导致 系统能耗提升，电池使用时间缩短。如果厂商以大容量的OneNAND来代替NOR，那么音乐文件列表就可以被存放在OneNAND闪存中，DRAM的工作 负荷大大减轻，对容量要求也不那么严格，该部分的能耗就可被有效降低。三星详细列出这两种方案的能耗对比：在NOR＋DRAM的传统组合 中，DRAM(512Mb)要求有200uA的电流供应，而在OneNAND+DRAM的新方案中，DRAM(只需64Mb)系统只要求90uA的电流， 后者在整体上明显要更为节能。

　　图3 OneNAND取代NOR在手机平台中的应用

　　图4 OneNAND取代NOR在数码相机/摄像机平台中的应用

　　图5 OneNAND取代NOR在数字电视/机顶盒中的应用

　　图6 OneNAND取代NOR在硬盘MP3播放器中的应用