二次离子质谱SIMS两种模式的应用特点

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#测试工具 #材料工程 #科技

二次离子质谱SIMS两种模式的应用特点

 

二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）是一种高灵敏度、高分辨率的表面分析技术，广泛应用于材料科学、地球化学、半导体工业、生物学等多个领域。SIMS有两种主要的工作模式：静态SIMS（Static SIMS）和动态SIMS（Dynamic SIMS）。

一、静态SIMS（Static SIMS）

（一）原理

静态SIMS主要关注样品表面最顶层（通常为1-3

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25、快重离子在材料工程中的应用及特性
wine的专栏
11-15 10
本文综述了快重离子（SHI）辐照技术在材料工程中的广泛应用及其作用机制。SHI通过与材料的电子系统相互作用，在原子和纳米尺度上诱导结构改性，形成离子径迹，从而调控材料的光学、电学、热学和磁学性能。重点介绍了SHI在金属-聚合物纳米复合材料、能源材料（如热电材料、析氢材料、储氢材料和太阳能电池）、核材料（如惰性基质燃料）中的应用，展示了其在提升光电流、优化热电性能、增强储氢能力及模拟辐射损伤等方面的显著效果。同时，分析了不同材料中离子径迹的特性差异以及离子种类、能量和注量等参数对材料改性的关键影响，并提出了未
测试干货 | 飞行时间二次离子质谱（ToF-SIMS）技术——微观表面分析应用技术...
元素魔方科研服务
09-10 6602
撰文排版：刘佳审核指导：肖俊灵“研路漫漫，伴你同行”本文较长，建议先收藏后随时查看！以后我们将更新更多此类硬核科普，欢迎关注！飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是一种强大的微观表面分析技术，广泛应用于质量控制、失效分析、故障排除、过程监控以及研发等领域。例如，研究晶圆表面污染时，TOF-SIMS可以帮助我们发现污染物的种类和来源，从而确定污染是否来自于加工步骤中的挥发性物质、油污染，或者其他...
SIMS分析
SemiconductorPhysics
09-01 661
SIMS分析
二次离子质谱SIMS：原理与基本概念
wj45500的博客
12-03 1531
通过高能量的一次离子束轰击样品表面，使样品表面的原子或分子溅射出二次离子，然后通过质谱仪分析这些二次离子，从而获得样品表面的化学成分信息。非弹性碰撞：一次离子与样品表面的原子发生非弹性碰撞，传递部分能量给样品表面的原子，使其发生电离，形成二次离子。弹性碰撞：一次离子与样品表面的原子发生弹性碰撞，传递动能给样品表面的原子，使其获得足够的能量从表面溅射出来。校正曲线：通过测量标准样品的二次离子强度，建立二次离子强度与样品成分之间的校正曲线，从而推算未知样品的成分。
二次离子质谱(SIMS)技术的分析能力应用详解-测试狗
wj45500的博客
10-08 990
二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一种用于深度分析样品表面和亚表面结构的分析技术；它通过将样品表面溅射出二次离子，然后利用质谱仪分析这些离子的质量和浓度，从而获取样品表面和亚表面的化学成分和结构信息。
SIMS(secondary ion mass spectroscopy)二次离子质谱
DAFU123123的博客
10-14 1299
1.仪器介绍 二次离子质谱（SIMS）是一种用于通过用聚焦的一次离子束溅射样品表面并收集和分析喷射的二次离子来分析固体表面和薄膜的组成的技术。SIMS是最灵敏的表面分析技术，元素检测限为百万分之几到十亿分之一。 Schematic of a typical dynamic SIMS instrument. High energy (usually several keV) ion...
技术解读专栏 |动态二次离子质谱：LG-SIMS和Nano-SIMS
qiushireader的博客
08-17 1343
它们的工作原理是电子倍增——离子撞击第一个倍增电极产生二次电子，然后撞击后续的倍增电极，产生电子级联，并在探测器的输出端产生数百万个电子的短脉冲。然后调整磁场，在探测器中收集质量为16的离子，并检查质量为16的其他潜在离子（称为干扰）。首先检测一个（M），然后调整磁场，使得不同质量（M+2）的离子沿着相同的轨迹行进，在收集第一个数据集后到达相同的检测器（黑色矩形）。（C）在位置C拍摄的照片显示了多收集池的内部，显示了多收集轴（A和B中的红色实线）以及带有插入的检测器的可移动小车（A和B中的蓝色标记）。
表征技术：飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）-测试GO
wj45500的博客
09-24 802
​飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是一种结合二次离子质谱与飞行时间质量分析器的表面表征技术。该技术由Beninghoven教授团队于20世纪80年代初首次研制，后经多次迭代升级，在分析性能、数据处理效率及软件操作性方面均取得显著提升。如今，TOF-SIMS已成为成熟且应用广泛的表征手段。
飞行时间二次离子质谱法（TOF-SIMS）在有机材料研究中的应用
qiushireader的博客
09-01 636
如图2所示，聚丙二醇和聚乙烯基甲基醚是一组同分异构体，尽管他们的分子式相同，但在TOF-SIMS分析时，两者在电离过程中化学键的断裂位置以及分子碎片的组合方式却展现出显著的差异。如图5所示，通过构建的TOF-SIMS三维模型，我们不仅能通过特征离子峰确定尼龙与聚乙烯的分布深度，还能观察到两种聚合物在微观层面上的混合程度。TOF-SIMS具有较高的空间分辨率，可以对有机样品进行较高空间分辨的化学成像分析，能够直观地展示有机组分在表面上的空间分布。图1. PET材料在正离子模式下采集的TOF-SIMS质谱图。
XPS和TOF-SIMS在PCB失效分析中的应用.pdf
07-25
X射线光电子能谱仪(XPS)和飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)作为浅表面化学分析的两种重要手段，在PCB失效分析中扮演了至关重要的角色。XPS技术通过使用X射线光子激发出物质表面原子的内层电子，并对其进行能量分析来...
13、单离子注入实现量子计算机开发
u0v1w2x3的博客
10-03 36
本文探讨了基于单离子注入技术实现量子计算机开发的关键路径。重点研究了通过高电荷态离子束与扫描力显微镜结合，实现单个磷原子的精确注入与定位，并分析了在硅中低剂量注入后的激活挑战，指出SiO₂界面会导致磷偏析，而Si₃N₄界面可有效抑制扩散。同时介绍了用于单次自旋测量的单电子晶体管结构及SOI平台的应用前景。展望部分强调通过优化纳米管离子传输、提升对准精度和开发无电介质架构，有望实现5nm以下的放置分辨率，并推动数千量子比特的大规模集成，为未来量子计算的实用化奠定基础。
SpringMVC 请求参数接收
2509_94007132的博客
11-24 450
在浏览器与程序进行交互时，主要分为**1. 建立连接：**将用户（浏览器）和 Java 程序连接起来，也就是访问一个地址能够调用到Spring程序的功能**3. 响应：**在执行了业务逻辑之后，要将程序执行的结果返回给客户，也就是响应在本篇文章中，我们来学习请求（获取参数）这部分内容。
SpringBoot 项目配置
Waller_的博客
11-20 861
7] FilterSecurityInterceptor → 检查权限（.permitAll() 在这里起作用）[3] JWTAuthenticationFilter.doFilterInternal() ← 先执行这个。Spring Security Filter Chain 执行（按顺序）[2] CSRF Filter (已禁用)到达 Controller。jwt认证 + 接口权限控制。方法级注解 控制接口权限案例。
Objective-C 测试（OC 测试）指南 从单元测试到性能调优的多工具协同方法
最新发布
2501_91600889的博客
11-24 658
全面解析 Objective-C 测试方法，结合 XCTest、OCMock、Instruments、KeyMob、PerfDog、Safari Inspector 与 Charles 构建 OC 项目从功能到性能的多工具测试体系。
Springboot项目：使用MockMvc测试get和post接口（含单个和多个请求参数场景）
2509_94006299的博客
11-23 186
使用MockMvc可以做到controller层的测试。在初始化mockMvc的时候:（1）如果想测试单个controller（2）如果想测试所有controller。
SpringMVC新版本踩坑[已解决]
2509_94026613的博客
11-23 571
找了一晚上问题所在，发现可能是新版本调整了参数，而spring会自动帮助设置，导致编译时选项“-参数”被禁用。也就是错误信息中的最后提示：Ensure that the compiler uses the ‘-parameters’ flag.总结：在做参数传递时，需要多留心@PathVariable注解的使用，有时严格按照其使用方法也许是一个好的习惯。大部分场景这个设置生效的，但是进行测试后，发现仍然没有用。但是在尝试后并未发现有作用，于是继续寻找其他解决方法。至此，终于在各种尝试中解决了问题。
SpringMVC的工作流程
2509_94028934的博客
11-23 866
在上述过程中，DispatcherServlet、HandlerMapping、HandlerAdapter和ViewResolver对象的工作是在框架内部执行的，开发人员只需要配置DispatcherServlet，完成Controller中的业务处理并在View中展示相应信息。DispatcherServlet是前端控制器，是整个流程控制的中心。（5） HandlerAdapter会调用并执行Handler（处理器），这里的处理器指的就是程序中编写的Controller类，也被称之为后端控制器。
Appium-移动端自动测试框架详解
HUACE4600的博客
11-24 194
要实现App的自动化测试，实现Appium工具的入门：1-首先在windows下安装jdk，Android-sdk环境2-安装appium桌面工具3-安装模拟器（比如雷电模拟器），或者使用真机4-安装python的依赖包（Appium-Python-Client）5-启动appium服务器，启动模拟器，然后在pycharm中运行demo脚本，即可看到运行效果接下来可以学习下常用的appium的api、学习如何进行元素定位、然后再学习PO模式的封装，即可完成appium工具的入门和使用。
TOF-SIMS如何实现逐层剥离样品表面
06-20
<think>我们正在讨论TOF-SIMS如何实现逐层剥离样品表面以进行深度分析。根据用户的问题，重点在于实现方法。结合之前的回答和引用，我们需要详细说明TOF-SIMS的逐层剥离机制。引用[1]中提到：D-SIMS（动态SIMS）采用DC模式（直流模式）的离子源，深度剖析时分析和溅射同时进行，而S-SIMS（静态SIMS）采用脉冲模式，分析和溅射交替进行。但用户问的是TOF-SIMS（属于静态SIMS的一种），所以我们需要明确TOF-SIMS的实现方式。实际上，TOF-SIMS进行深度剖析时，通常采用双束模式（dual-beammode）：-一个束用于溅射（通常是连续离子束，如Cs+或O2+，或者大束流的簇离子束），用于剥离表面层。-另一个束用于分析（通常是脉冲初级离子束，如Bi+或团簇离子），用于产生二次离子并进行质谱分析。这样，溅射和分析交替进行，但溅射束和分析束可以是分开的。在溅射阶段，溅射束移除一层材料；然后分析束在溅射后的新表面上进行数据采集。通过重复这个过程，实现逐层分析。因此，实现方法可以概括为：1.使用溅射离子束（如Cs+、O2+或Ar簇离子）对样品表面进行溅射，移除一定厚度的材料（深度由溅射时间、离子束流和溅射产率决定）。2.关闭溅射束，切换到分析离子束（如脉冲的Bi+束），在溅射后的新表面上进行TOF-SIMS分析，采集二次离子质谱。3.重复上述两个步骤，直至达到所需深度。深度分辨率受到多种因素影响，包括溅射过程的均匀性、界面粗糙度、离子混合效应等。为了提高深度分辨率，通常采用低能量的溅射离子和较大的溅射角度（如45度以上）。另外，引用[2]提到：通过逐层溅射样品表面并结合2D成像，生成三维化学组成图。这意味着在每一层溅射后，可以进行二维扫描，从而获得三维数据。现在，我们按照用户要求的格式进行回答。</think>### TOF-SIMS逐层剥离实现深度分析的方法详解 #### **1. 双束交替溅射机制** TOF-SIMS采用**双离子束系统**实现逐层剥离： - **溅射束**：连续直流（DC）离子束（如 $ \ce{Cs+} $、$ \ce{O2+} $ 或 $ \ce{Ar^{n+}} $ 簇离子）持续轰击样品表面，移除材料层 - **分析束**：脉冲式离子束（如 $ \ce{Bi^{n+}} $ 团簇）在溅射间歇期进行质谱分析 ```mermaid graph LR A[溅射束移除表层] --> B[分析束采集质谱] --> C[深度增加] --> A ``` 该交替过程实现**纳米级深度控制**（单层溅射厚度可低至0.1-1nm）[^1]。 #### **2. 深度分辨率优化技术** $$ R_d \propto \frac{1}{E_p \cdot \cos\theta} $$ 其中 $ E_p $ 为溅射束能量，$ \theta $ 为入射角。关键优化措施： - **簇离子束应用**：$ \ce{Ar^{500+}} $~$ \ce{Ar^{5000+}} $ 大团簇离子减少样品损伤，提升有机材料深度分辨率至**3nm**[^2] - **入射角控制**：采用60°-80°高入射角降低离子混合效应 - **低温样品台**：-120℃低温抑制热扩散导致的界面模糊 #### **3. 三维数据重建流程** 1. **层间同步校准**： - 通过 $ \ce{Si^{++}} $/$ \ce{SiO^-} $ 等基体信号强度突变点标定界面位置 - 溅射速率公式：$ v_s = \frac{k \cdot I_s \cdot Y}{n} $（$ Y $为溅射产率，$ n $为原子密度） 2. **信号叠加算法**： $$ I_{total}(x,y,z) = \sum_{i=1}^{n} I_i(x,y) \cdot \delta(z - z_i) $$ 其中 $ z_i $ 为第 $ i $ 层深度坐标，$ \delta $ 为深度校正函数[^2]。 #### **4. 典型参数配置** | **参数** | **无机材料** | **有机材料** | |----------------|-------------------|-------------------| | 溅射束能量 | 0.5-2 keV Cs⁺ | 10-20 keV Ar₂₀₀₀⁺ | | 溅射速率 | 0.5-2 nm/s | 0.1-0.5 nm/s | | 深度分辨率 | <1 nm (Si/SiO₂) | 3-5 nm (聚合物) | | 分析循环周期 | 0.5-2 s/layer | 2-5 s/layer | > **案例**：半导体掺杂分析中，通过 $ \ce{B^-} $ 信号梯度突变点定位PN结界面，深度误差<±0.3nm[^1]。 ---
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