TOF-SIMS（飞行时间二次离子质谱）技术在材料科学中用于深度剖析聚合物太阳能电池的表面和亚表面结构。设置时要注意溅射离子与分析离子的区别，溅射面积应大于分析面积以减少边缘效应。电流大小需适中，保持cts/extraction在0.1-0.4之间。在分析过程中，要注意低质荷比信号的误差和探测器饱和情况，同时考虑多种离子的影响。该技术对于理解薄膜太阳能电池的界面性质和组件分布至关重要。
工具
参考https://blog.csdn.net/Jelly_Zhou/article/details/126074177
TOF-SIMS explorer
设置
溅射离子和分析离子不一样。
溅射面积大于分析面积，防止wall effect边缘效应。
离子模式，是正还是负。
电流大小，一般要使得 cts/extraction 在0.1 - 0.4 之间。
分析
低质荷比奇怪的信号是误差导致。
探测饱和：注意探测器的饱和值。
注意多种离子的可能。
ref
https://avs.scitation.org/doi/10.1116/1.5125102
- C. W. T. Bulle-Lieuwma, W. J. H. van Gennip, J. K. J. van Duren, P. Jonkheijm, R. A. J. Janssen and J. W. Niemantsverdriet, Characterization of polymer solar cells by TOF-SIMS depth profiling, Applied Surface Science, 2003, 203-204(547. (DOI: https://doi.org/https://doi.org/10.1016/S0169-4332(02)00756-0)
- K. G. Saw and S. R. Esa, Time-of-flight secondary ion mass spectrometry fragment regularity in gallium-doped zinc oxide thin films, Scientific Reports, 2021, 11(1): 7644. (DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-021-87386-6)
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