【底软】NANDFlash与NORFLASH

1、FLASH器件一共有3种操作：读取、擦除和编程。对于FLASH而言，写0与写1是两个不同的操作，写0称为编程，而写1称为擦除。

2、FLASH的可靠性主要表现在两个方面：（1）耐久性；（2）电荷保持特性；

3、NANDFLASH的两大优势是低成本和高性能，但其弱点是可靠性，影响NAND可靠性的因素有两点：

（1）位翻转；NAND能够比较可靠地保存信息，但是在读取操作时存在一定机率出现位翻转现象，机率不是很高，但比NORFLASH高；

（2）坏块；NAND要保证低成本这个优势，就无法保证出厂时百分之百都是有效块，一般允许有2%坏块，因此需要对NAND器件进行扫描，进行坏块标记；

4、NAND可靠性可以通过三点进行保证：

（1）磨损平衡；避免将文件持续写到同一个block中，使不同block的磨损率相当，从而延长器件寿命；

（2）ECC校验；NAND因为位翻转问题，会较高概率出现单bit错误，通过ECC算法校验可以使出错概率降低好几个数量级；

（3）块坏管理技术；NAND因有坏块存在，必须对坏块进行管理；

5、NAND与NOR差异比较：

（1）NOR读取速度（约35ns）比NAND（约50ns）稍快一些；