借鉴flash例程

MSP430F149内部的memory结构，60K Flash+2KRAM。Flash分为主存储区和信息存储区，操作都一样，只是主存储区每个段512字节，而信息存储区为128字节，方便擦写。

当我们有数据要保存到Flash存储器时，要先对目标段进行整段擦除操作，擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。应当注意的是，此flash的操作频率为257kHz 到 476kHz，时钟源可选择，因此我们做时钟分频时应当保证频率在这之间，以下为我编写的参考程序。
void Flash_erase(uint addr)
{//段擦除,512bytes一段
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();//保存当前中断状态
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;
  FCTL1=FWKEY+ERASE;
  *(uchar*)addr=0;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);//恢复中断状态
}

void Flash_write(uint addr,uchar dat)
{//单字节写入
  uchar s;
  s=__get_interrupt_state();
  __disable_interrupt();
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL3=FWKEY;
  FCTL1=FWKEY+WRT;
  *(uchar*)addr=dat;
  while(FCTL3&BUSY);
  FCTL1=FWKEY;
  FCTL3=FWKEY+LOCK;
  __set_interrupt_state(s);
}

void Flash_read(uint addr,uint len)
{//读取到数组，此处堆栈应改大
  uint i;
  for(i=0;i<len;i++)
   *(R+i)=*(uchar*)(addr+i);
}