嵌入式开发 - ROM_RAM_Flash

最新推荐文章于 2024-08-15 10:02:12 发布

woshizuopie

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分类专栏：嵌入式文章标签：嵌入式内核 u-boot

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一、嵌入式开发之NorFlash 和NandFlash

ROM，RAM和FLASH在单片中的作用：

一、嵌入式开发之NorFlash 和NandFlash

ROM：只能读不能改，数据由工厂写入，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能做任何修改。

PROM：不可擦除，数据由用户写入。从工厂中制作完成的PROM中没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，机会只有一次且不可修改。

EPROM（Erasable Programmable ROM）：紫外线可擦除，数据由用户写入。完成芯片的擦除操作要用到EPROM擦除器，资料的写入要用到专用的编程器。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦除，数据由用户写入。不需要借助其他设备，是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位。狭义的EEPROM，可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或1。

FLASH：属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位擦写的EEPROM，就叫它Flash。Flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，数据密度更高，成本更低。上M的ROM一般都是flash。近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。分为nor flash和nand flash。

nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）
由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命：nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。比如S3C2440 ARM单片机系统，使用一块2MB的norflash存储boot启动代码，而WinCE、Linux这样的操作系统放在128MB的nandflash中。在启动时单片机先直接执行norflash中的代码将nandflash中的系统复制到ram中，然后才正式启动操作系统，操作系统在ram中运行，根据需要从nandflash中读取需要的数据或代码进行操作。

ROM，RAM和FLASH在单片中的作用：

ROM——存储固化程序的（存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动）。c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）。
RAM——程序运行中数据的随机存取（掉电后数据消失）。整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
FLASH——存储用户程序和需要永久保存的数据。

ROM是只读存储器，CPU只能从里面读数据，而不能往里面写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；
RAM是随机存储器，CPU既可以从里面读出数据，又可以往里面写入数据，掉电后数据不保存。

二、SRAM和DRAM

RAM：

即随机存取存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，俗称内存。通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。可分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）：

SRAM：

一般用作计算机中的高速缓冲存储器，即CPU或GPU内部的Cache。

所谓静态，是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以恒常保持。然而当断电后，其存储的数据还是会消失，这与断电后还能存储资料的ROM或闪存是不同的。

DRAM：

动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

比较：

（1）SRAM的存储元是锁存器（触发器），而DRAM的存储元是由一个MOS晶体管额电容器组成的记忆电路。
（2）SRAM使用的晶体管比DRAM多，因而密集度低，更贵，功耗更大。

SDRAM：

同步动态随机存取存储器（Synchronous Dynamic Random Access Memory）。

同步是指Memory工作需要时钟，动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。

与标准的DRAM相比，最大的不同就是异步和同步。标准DRAM是异步DRAM，也就是说它读/写的时钟与CPU的时钟是不一样的，而SDRAM在工作时的读/写过程是与CPU时钟严格同步的（SDRAM将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟的上升沿便开始传递数据。）。

SDRAM发展到现在已经经历了五代：

	工作电压/V	Prefetch（min burst）	Prefetch buffer（预取缓冲器）
第一代SDR SDRAM	3.3
第二代DDR SDRAM	2.5	2n	2bit
第三代DDR2 SDRAM	1.8	4n	4bit
第四代DDR3 SDRAM	1.5	8n	8bit
第五代DDR4 SDRAM	1.2	8n	16bit

传输速度的提高是通过增加prefetch的位数来做到的。例如，同样是100MHz的核心频率，SDRAM一周期取一次，它和内存控制器的速度是100M T/s（T是传输的意思）；DDR上升沿下降沿各取一次，相当于2次prefetch，bus速度变成200；DDR2变成4n prefetch，bus speed变成400；同理DDR3是8n带来了800。

DDR

DDR是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。

Cache-高速缓存存储器

在主存和CPU之间插入一级或多级SRAM组成。

作用：解决CPU和主存之间速度不匹配而采用的技术。

组成：SRAM和控制逻辑。如果cache在CPU芯片外，它的控制逻辑一般和主存控制逻辑合成在一起，称主存/cache控制器；若cache在CPU内，则由CPU提供它的控制逻辑。

CPU与cache之间的数据交换是以字为单位，而cache与主存之间的数据交换是以块为单位。一个块由若干字组成，是定长的。

地址映射：

为了把主存块放到cache中，必须应用某种方法把主存地址定位到cache中，称作地址映射。

虚拟存储器（暂略）

虚拟存储器系统由主内存和部分硬磁盘构成，主要由操作系统管理。

基本思想：把部分外存空间作为内存使用，以此为用户提供足够大的地址空间。

基本原理：

若访问的信息在内存中，则“命中”；

若不在内存，则根据一定的规则，将硬盘中一块信息调入内存；

若内存无空间，则按一定算法将相关内容调入硬盘。

cache和虚存的异同：

（1）在虚拟存储器中未命中的性能损失要远大于Cache系统中未命中的损失。因为主存和Cache的速度相差5~10倍，而外存和主存的速度相差上千倍。
（2）cache主要解决主存与CPU的速度差异问题，而虚存主要解决存储容量问题。
（3）CPU与cache和主存之间均有直接访问通路，cache不命中时可直接访问主存。而虚存所依赖的辅存与CPU之间不存在直接的数据通路，当主存不命中时只能通过调页解决，CPU最终还是要访问主存。