1. 程序在Flash和Ram存储分布
1.1. 存储分布
Code:代码域,编译器生成的机器指令,只存储在Flash区。属于Text段;
RO_Data:只读数据域,只存储在Flash区,例如C语言的const变量。属于DATA段;
RW_Data:可读写数据域,初始化非0的全局变量和static 变量,存储在Flash区,运行时候拷贝到RAM区。属于DATA段;
ZI_Data:初始值为0的全局变量和static 变量数据域,栈空间(Stack)及堆空间(Heap),只在RAM中。属于Bss段;
栈:函数内部定义的局部变量属于栈空间,进入函数的时候从向栈空间申请内存给局部变量,退出时释放局部变量,归还内存空间,后进先出,先进入的最后出来,只在Ram区;
堆:使用malloc 动态分配的变量属于堆空间,只在Ram区。
综上:当程序存储在Flash中时,所占用的大小为Code + RO_data + RW_data 。运行时占用Ram大小为Heap+Stack+RW_Data。
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1.2. 分散加载
硬件资源:
- mcu内部flash起始地址是0x08000000,大小是0x00080000;
- 内部Ram起始地址0x20000000,大小是0x00005000;
- 外扩Ram起始地址0x60005000,大小0x00007000。
目的:使用分散加载技术达到程序优先使用内部ram,堆分配在外部ram的目的。
修改步骤:
- 修改启动文件,进入main前需要初始化FSMC_SRAM_Init函数,确保SRAM能用。
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- 修改分散加载文件,确保*.o(HEAP)在外部SRAM里面,并且新建EXRAM节区在外部的SRAM中
LR_IROM1 0x08000000 0x00080000{ ; load region size_region
ER_IROM1 0x08000000 0x00080000{ ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00005000 { ; 内部SRAM
.ANY (+RW +ZI) ;其余的RW/ZI-data 都分配到这里
}
RW_ERAM1 0x60005000 0x00007000{ ; 外部SRAM
*.o(HEAP) ;选择堆区
.ANY (EXRAM) ;选择EXRAM 节区
}
}
- 应用程序例程
#define __EXRAM __attribute__ ((section ("EXRAM")))//使用宏封装,设置变量定义到“EXRAM”节区的宏
uint32_t testValue __EXRAM =7 ; //使用该宏定义变量到“指定的存储空间” 该变量肯定在外部SRAM中存放
uint32_t testValue2 =7 //定义变量到内部SRAM
uint32_t *pointer = (uint32_t*)malloc(sizeof(uint32_t)*3); //使用malloc 从外部SRAM 中分配空间