反激电源电路电磁干扰抑制措施

上一篇我们已经介绍了反激电源的三大干扰源及其干扰的原理，本文针对三大干扰源的抑制措施进行详细讲解。

（1）针对MOS管

 ①改变栅极驱动电阻

 

这是PWM 波形，从这个图上我们可以看到，驱动信号的边沿速率极快，信号边沿速率越快，高频分量越多。所以通过调整栅极电阻来减小电压变化率du/dt 和电流变化率di/dt，那么，降低了驱动速率，必然会减小高频干扰。

这个是不同边沿信号，边沿时间与频谱包络的关系，横轴是频率，纵轴是幅度，假设驱动方波上升时间为t，则方波频域上高频时转折频率为1/(π*t)，t 越小则高频成分越高。像上面的图，红色线就代表边沿速率快的信号的频谱。

增加电阻后边沿速率减小，电阻越大，边沿速率越小，但是导通时间延长，导通损耗变大发热加剧，会降低开关电源的效率，通常，这电阻选择几欧至几十欧之间，一般大家经常看到栅极加10 欧电阻，就是这个道理。

 ②RCD吸收

给RC 增加二极管后，开关晶体管在截止瞬间电源经由二极管向电容C 充电，由于二极管顺向导通的压降很小，所以对开关晶体管关断时的过电压缓冲吸收效果与单个电容相当。但是，当开关晶体管导通时，二极管的单向导电作用使得电容的放电只能经过串联电阻R 进行，其作用与RC 阻容缓冲吸收电路相当。所以RCD 缓冲吸收比C