存储器

前言：存储器的种类有很多种，在一个系统中，不同的存储器结合起了，就组成了系统的内存结构；从CPU内部到芯片外部有：寄存器，高速Cache，主存，磁盘硬盘，磁带；速度渐慢，价格渐便宜；
对于DSP处理器来说内存结构分为三级：第一级是寄存器，第二级是L1P和L1DRAM，第三级是L1SRAM；L1和L2是片内RAM，后面的存储器可以通过EMIF接口或者XINTFT接口拓展外部储存；依然是由内到外，速度渐慢；

从用途的角度来说，存储器分为内存和外存；

内存：通常在处理器内部，用于存放当前执行的数据和程序，仅用于暂时存放程序和数据，掉电数据丢失；
外存：在处理器之外，通常是磁性介质或光盘，掉电数据不丢失，用于保存长期数据；

一 RAM
随机存取存储器。按照存储信息的不同RAM分为SRAM（static RAM静态随机存储器）和DRAM（Dynamic RAM动态随机存储器）；
功能：主要用于存储短时间使用的程序；
特点：
（1） 存储单元可以按照需要随意读或写，并且读数据速度与存储单元的位置没有关系。
（2） 掉电丢失数据；

Ⅰ SRAM 静态随机存储器
特点：

1. 不需要刷新电路；
2. 数据不会丢失；
3. 一般不是行列地址复用的；
4. 集成度低，不适合做大容量内存；
5. 读取速度快；
6. 一般在CPU内部一级缓存cache以及内置的二级缓存里；（在S3C2440里的ARM9处理器里就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的数据）
7. 基于SRAM的复杂设计结构，制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多；

Ⅱ DRAM 动态随机存储
特点：

1. 需要刷新电路；
2. 具有行地址复用模式；

SDRAM（Synchronous DRAM 同步动态随机存储器）
特点：

1. SDRAM是DRAM的一种；
2. 对于SDRAM的读写需要时钟同步；
3. 存储单元并不是按线性排列的是分页的；
4. DRAM容量大于SRAM，读写速度不如SRAM；
5. 集成度高；

用途：SDRAM应用广泛，嵌入式产品，电脑内存（DDR SDRAM）等；

刷新电路：刷新不刷新是DRAM相对于 SRAM来说的；通常主板上使用的内存条应该叫做动态DRAM，其中的数据是靠电容特性存储的。由于电容会放电，要维持数据，就要不断的给它充电。给动态DRAM定期充电的机制就叫做数据刷新时钟电路，即内存刷新电路。然而 SRAM是由电阻加存储单元组成的，不需要刷新；

二 ROM
Read-Only Memory，只读存储器

PROM （programable ROM） 可编程只读存储器
只能写入一次数据，如果写错了就完蛋了；

EPROM （Erasable programable ROM）可擦除可编程只读存储器
芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。
擦除和编程的操作如下：
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。 EPROM芯片在空白状态时（用紫外光线擦除后），内部的每一个存储单元的数据都为1（高电平）。

EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦可编程只读存储器）
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦可编程只读存储器)，一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM是可用户更改的只读存储器，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写），即可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息并重新编程。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改，是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。
用途：

1. EPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程
2. 一般用于即插即用（Plug & Play），常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据，也常用在防止软件非法拷贝的”硬件锁”上面。
   Flash （闪存）
   闪存(FLASH)是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 　
   应用实例：
   闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有U盘、SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）。这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
   NAND FLASH和NOR FLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
   NOR FLASH：
   对NOR器件的擦出操作是以64k~128k的块进行，在擦除之前要将目标位写0，对flash闪存内的数据单元进行一次擦除和写入操作的时间为5s；
   NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易的读写存储器中的内一个单元；

NAND FLASH:
擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，对目标存储器块儿的擦除之前不用写0，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须是基于NOR的单元中进行的。）这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡一些各种因素：

**NOR的读速度比NAND快一些；
**NAND的写入速度比NOR快很多；
**NAND的4ms擦出速度远比NOR的5的快；
**大多数的写入操作之前必须先进行擦除操作；
**NAND的擦出单元更小，相应的擦除电路更少；
NAND器件使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能不一样。8个引脚用来传送控制，地址，数据信息；
NAND读写操作采用512字节的块，这有一些像硬盘管理此类操作，基于NAND的存储器可以取代硬盘或其他设备；

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存储器的行地址和列地址：
行地址：用于选择指定行

列地址：用于选择指定行中的指定字

一位前辈给的分析：
http://www.amobbs.com/thread-5477455-1-1.html