[嵌入式]存储器管理

存储器管理

5.1  存储器分类

存储器组织结构

在复杂的嵌入式系统中，存储器系统的组织结构按作用可以划分为4级：寄存器、cache、主存储器和辅助存储器，如下图所示。当然，对于简单的嵌入式系统来说，没有必要把存储器系统设计成4级，最简单的只需寄存器和主存储器即可。

 

存储器作用示意图

寄存器包含在微处理器内部，用于指令执行时的数据存放，如：R0,R15等。Cache是高速缓存。主存储器是程序执行代码及数据的存放区，通常采用SDRAM类型的存储芯片。辅助存储器通常是Flash类型的芯片，作用类似通用计算机中的外存。

 

存储单元识别

主存储器和辅助存储器内部的存储单元靠地址来识别，存储器芯片收到的n位地址信号就选定一个具体的存储单元。存储器芯片通常还需一根使能信号引脚，它控制着存储器芯片数据引脚的三态。另外，还需读/写控制信号引脚，它们控制着存储器的数据传送方向。

随机存储器和只读存储器

 存储器根据其存取方式分成两类：随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器。

    随机存储器又分为两大类：

    ·静态随机存储器（SRAM）

    ·动态随机存储器（DRAM）

  ·SRAM读/写速度比DRAM快。

 ·SRAM比DRAM功耗大。

 ·DRAM集成度高，因而存储容量更大。

 ·DRAM需要周期性的刷新，而SRAM不需要。

 

SRAM中的存储单元内容在通电状态下是始终不会丢失的，因而，其存储单元不需要定时刷新。

 

DRAM中的存储单元内容在通电状态下会丢失，需要定期刷新。因此增加RAS(行地址选择)和CAS(列地址选择)信号线，这样可以减少地址引脚，并方便刷新操作。

只读存储器(ROM)

只读存储器（ROM）通常又分成EPROM、EEPROM和闪存（Flash）。目前，闪存作为只读存储器在嵌入式系统中被大量采用，闪存使用标准电压既可擦写和编程，因此，闪存在标准电压的系统内就可进行编程写入。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

NAND Flash和NOR Flash比较

·1988年，Intel首先开发出NOR Flash技术；

·1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构的存储器。

   NAND Flash和NOR Flash比较，有以下特点：

·NOR Flash的读取速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的擦除和写入速度比NOR Flash快很多。

·Flash芯片在写入操作时，需要先进行擦除操作。NAND Flash的擦除单元更小,因此相应的擦除电路更少。

·NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节，可以像其他SRAM存储器那样与微处理器连接；NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法还各不相同，因此与微处理器的接口复杂。

·NAND Flash读和写操作采用512字节的块，这一点类似硬盘管理操作，很自然地，基于NAND Flash的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。