SDRAM和FLASH等外设共享地址线和数据线

最新推荐文章于 2023-03-17 15:19:04 发布
最新推荐文章于 2023-03-17 15:19:04 发布
阅读量3.2k 收藏 1
点赞数
分类专栏： [FPGA] 文章标签： flash 测试 io
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/xgbing/article/details/7602870
版权

调了两星期，终于确定问题出在哪了。为了节省IO，板子设计的是SDRAM和FLASH、LAN共享地址线和数据线。Flash的地址线接到tri_state_bridge，它不管位宽是多少，始终和A0对齐。SDRAM则不是，刚开始看手册看得不明白，经过测试才发现。板子做出来后，单独测试SDRAM、FLASH没有问题，整合在一起时，FLASH总是会有一些错误的读写数据。开始怀疑是FLASH读取的时序有问题，把Datasheet看了几遍，不断地调整时序，运行测试，花了大量时间。不得不说Quartus编译起来太慢了，太耗时间了。确定硬件方案还是要仔细外加小心，最好选用已有的成熟方案，新的想法害死人！

xgbing
关注
专栏目录
ultrascale和arm区别_【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二章 硬件原理图介绍
weixin_32816563的博客
12-29 893
原创声明：本原创教程由芯驿电子科技(上海)有限公司(ALINX)创作，版权归本公司所有，如需转载，需授权并注明出处。简介AXU2CGA/B的特点是体积小并扩展了丰富的外设。主芯片采用Xilinx公司的Zynq UltraScale+ MPSoCs CG系列的芯片，型号为XCZU2CG-1SFVC784E。AXU2CGA的PS端挂载了2片DDR4(2GB，32bit)和1片256Mb的QSPI FL...
计算机组成原理学习笔记(第一部分 总线和存储器)
paleatta的博客
10-13 2369
学习视频 随看随记 图灵停机问题 计算机系统 计算机系统简介 计算机系统主要分为两大部分，硬件和软件。 软件 软件主要分为两个部分 系统软件（用来管理整个计算机系统） 语言处理程序(Linux中的gcc等) 操作系统(Linux) 服务性程序(协调多个进程之间的服务) 数据库管理系统(存储，使用数据等) 网络软件(各种计算机之间的通信) 应用软件 按任务需要编制成的各种程序(日常使用的软件) 硬件 计算机从高级慢慢向底层转换，高级语言->汇编语言->操作系统->机器语
NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。 
二进制模----细微行动改变影响世界
10-26 1811
1)闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合...
SRAM地址线的连接
weixin_43467200的博客
11-18 5583
SRAM地址线的连接 在嵌入式系统设计过程中，由于主控芯片（如ARM、PPC、MIPS等）片上的存储空间不够大，经常需要外接存储器芯片（如ROM、SRAM、SDRAM、DDR2、Nand Flash等），因此，弄清楚主控芯片与外界存储芯片的引脚连接原理至关重要，由于Nand Flash的引脚连接比较简单，不涉及地址线的连接，而SDRAM和DDR2访问原理与ROM和SRAM有一些不同，故以后再专门讲述，这里我将主要介绍ARM与ROM、SRAM这两种存储芯片的连接。 首先，我们看一个电路图。 这个电路图为三星
flash，sdram 和 cpu 是 T形连接（类似于争的板子上flash和sdram的拓扑结构） --- FLASH搭上SDRAM，并不是你想象的那样不用布等长！...
weixin_30889885的博客
01-25 1101
转载于:https://baijiahao.baidu.com/s?id=1581414061128605507&wfr=spider&for=pc 亿万只机 百家号10-1619:40 文|原创：卧龙会 上尉Shonway FLASH在布线的时候，大家都知道只要靠近主控芯片，只要连接上就可以了，并不需要做等长。但有时并不是大家想...
S3C2440与SDRAM NorFlash NandFlash连线分析
ljl1704的专栏
03-20 998
http://blog.163.com/zhoufeng332@126/blog/static/62286701201272502756118/ 一、SDRAM（HY57V561620F）连线分析 1、  S3C2440 有27根地址线ADDR[26:0]，8根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7，当访问bankx 的地址空间，ngcsx引脚为低电平，选中外设。 2
ARM外设flash及SDRAM的地址连接
chinayangbo2011的专栏
01-07 1204
一直对ARM外设FLASH和SDRAM的连接方式和地址的确定有很大疑问，今天总算是明白了一些。就对这发表发表我的理解吧。         一般s3c2410或s3c2440与nor flash相连时，地址线总是偏移几位，比如与AM29L800BB相连时，是CPU的ADDR1~ADDR20连上nor flash的A0~A19。向左偏移了一位。而与SDRAM相连时，就更加奇怪了，比如与两片K4S
S3C2440_SDRAM_连线分析
06-30
AM29LV160DB是一款2MB的NOR Flash，其地址线和数据线是独立的。在本案例中，AM29LV160DB的BYTE#引脚被连接到VCC，意味着数据线宽度为16位（D0-D15）。A0-A19引脚作为地址线，能够支持2^20个地址，即2MB的地址空间，...
ARM的SDRAM、LED、中断硬件原理及源程序
ckfckf123的专栏
04-29 1608
基于MDK的ARM基本接口实验报告 一、实验目的 （1）了解S3C2410X处理器的存储空间分配，学习实验台存储器接口电路原理，并能够对存储区空间进行配置，对存储区空间进行读写访问。 （2）学习实验台地址总线和数据总线的驱动缓冲电路原理，掌握利用S3C2410X处理器地址总线扩展的I/O来点亮LED、驱动蜂鸣器。 （3）掌握S3C2410X处理器中断响应过程，学习实验台外部中断输入电路的原
2020年秋招联发科小米等20家公司面经总结
m0_72444380的博客
09-25 776
  友情提示：公司名字后面的日期代表投递日期，面试批次后面的时间代表面试时长和面试日期。  20200805接到通知，0806早上九点半面试。邮件中写的是用Webex Meet，之前都没听过的一个软件，网上找了半天才找到，而且软件没有简体，只好调成繁体了。邮件中写的是等待通知后再连入，大概9.40的时候接到了电话，要我加入会议中。 面试官是个女的，首先让我自我介绍下，然后开始看我的简历。介绍完了直接问项目。一面（35min，8.5）  不是，师兄师姐之前主要做的是理论研究。我本人所做的是硬件的设计和软件代码
嵌入式技术的工程法课件：Flash 和 SDRAM 共享数据线、地址线、控制线的解决方案.ppt
09-21
嵌入式技术的工程法课件：Flash 和 SDRAM 共享数据线、地址线、控制线的解决方案.ppt
计算NandFlash要传入的行地址和列地址
Ailson Jack的专栏
02-26 2604
      By:Ailson Jack       Date:2015.11.25       个人博客:www.only2fire.com       最近在学习NandFlash相关的知识，NandFlash的操作貌似比NorFlash的操作还要复杂些，这里讲讲NandFlash的地址计算以及如何将物理地址转换为NandFlash所要求的格式，以下内容参考了网友的总结，对那位网友表示感...
STM32 QSPI双闪存操作
weixin_43166744的博客
01-13 5201
@STM32 QSPI双闪存操作 使用CubeMX或者CubeIDE生成框架 使用野火的开发板，MCU型号为stm32h750/743，他们家核心板上使用了QSPI挂了2片FLASH，型号为W25Q256，但是提供的例程里只有单个FLASH的QSPI操作例程。根据了解，他们本来计划在核心板上只保留1片FLASH的，只是我买的比较早了 。 在开发板上的原理图接线如上，其中PB2为时钟，PG6为片选，两片FLASH共用。 QSPI双FLASH模式的配置注意把片选设置为1个片选选中2片FLASH就可以了，其他
PCB LAYOUT高速信号走线指南
最新发布
weixin_48518775的博客
03-17 1万+
TF card电路兼容SD2.0/3.0，模块供电为输出可调的VCC_SD，默认为3.3V供电。当插入SD 2.0存储卡时，模块供电与TF卡供电均为 3.3V，TF卡正常工作。当插入SD 3.0存储卡时，主控芯片识别其为SD 3.0存储卡，调节VCC_SD供电为1.8V，以满足高速卡信号要求；同时TF卡供电VCC_SD通过卡片内部LDO，生成1.8V为TF卡提供电源。SD卡走线为单端线，控制阻抗50欧姆；1）VCC_SD的滤波电容靠近卡座引脚放置，遵循先大后小的原则。
STM32之内存分布与总线
YellowMax
05-14 1万+
1、总线系统结构系统包括一个由多个互相连接的32位AHB总线组成的矩阵 8个主总线 – Cortex-M4 with FPU core I-bus, D-bus and S-bus – DMA1 memory bus – DMA2 memory bus – DMA2 peripheral bus – Ethernet DMA bus – USB OTG
关于flash地址线的计算方式
will_king0308的博客
07-26 2914
一颗flash存储空间大小不一样，地址线位宽也是不一样的。 比如：一颗flash存储空间为64Mbit，每个地址内存储1byte（8bit）数据，共8Mbyte空间。地址分为 128 扇区（sector）、每个扇区包含 256 页（page）、每一页包含256 字节（byte）， 因此该 Flash 芯片需要用到 23 位地址线 扇区地址：128 = 2^7 页地址：256 = 2^8 字节地址：256 = 2^8 所以地址线为：23=7+8+8 ...
SPI Flash为何需要24位地址线？
u010743406的博客
03-04 1294
128M bit = 16M byte = 0X100 0000, 这样需要24位地址线就可以访问16M空间了。刚开始误以为flash时128M字节的大小，算了下128MB=0x800 0000, 地址线至少需要27位.由于现在的SPI 协议手册里都是24位地址线宽度，就限制了flash的最大存储容量只能是16M。以W25Q128 flash为例，芯片手册规定对于flash的读写地址长度位24bit。后来发现芯片手册里写的flash容量是128M bit。
RAM、ROM、Flash
m0_61276100的博客
09-11 405
Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0；对于nand Flash的数据的写入1，就是控制External Gate去充电，使得存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。用来存储和保护数据。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值