集成开发环境的配置说明与ARM的SDRAM、LED、中断硬件原理及源程序
一、实验目的
(1)了解S3C2410X处理器的存储空间分配,学习实验台存储器接口电路原理,并能够对存储区空间进行配置,对存储区空间进行读写访问。
(2)学习实验台地址总线和数据总线的驱动缓冲电路原理,掌握利用S3C2410X处理器地址总线扩展的I/O来点亮LED、驱动蜂鸣器。
(3)掌握S3C2410X处理器中断响应过程,学习实验台外部中断输入电路的原理,掌握ARM中断处理程序的编写方法。
二、实验设备
硬件:EMBEST实验平台,ULINK2仿真器,PC机,串口线。
软件:uVision IDE for ARM集成开发环境。
三、实验内容
编写程序,当未按下实验箱上的按键KEY1或KEY2时,LED为常灭,当用户按下实验箱上的按键KEY1或者KEY2时,进入中断服务子程序。
在中断服务子程序中进行如下操作:驱动蜂鸣器响一声,然后驱动LED按规律的点亮和熄灭,接着程序修改SDRAM存储器地址0x30E00000——0x30F00000处的内容。
LED灯具体亮灭规律如下:LED1亮 —>LED2亮—>LED3 亮—>LED4亮 ->LED1灭—>LED2灭—>LED3灭 —>LED4 灭 —> 全亮—> 全灭—>全亮—>全灭。
修改SDRAM存储器时只对每个地址高半个字处写入1234,低半个字保持原来内容不变。
四、硬件电路原理
(1) 存储控制器特点及存储器连接原理
S3C2410X存储控制器主要特性包括:
a) S3C2410X具有27位地址总线,与8 个片选信号配合可寻址1GB存储空间。
b) 1GB可寻址存储空间划分为8个Bank,每个Bank的存储空间大小为128MB。片选信号线nGCS[0]~nGCS[7]与BANK0~BANK[7]对应。
c) BANK0~BANK5可配接ROM、SRAM类型的存储器;BANK6和BANK7可配接ROM、SRAM、SDRAM类型的存储器。
d) BANK0~BANK6 的起始地址是固定,BANK7的起始地址是可变的。
e) 每个BANK的数据总线宽度可设置,其中BANK0可设置为16/32位宽度;BANK1~BANK7可设置为8/16/32位宽度。
f) 支持NAND FLASH和NOR FLASH两种启动模式,启动模式和BANK0的总线宽度由OM[1:0]引脚决定。
实验箱核心板上有3种类型的存储器, NOR FLASH(一片Am29LV160DB),NAND FALSH(一片K9F1208),SDRAM(2片HY57V561620FTP) 。
NORFLASH的特点是应用程序可以直接在FLASH闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR FLASH的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
而NAND FLASH在芯片面积、单元密度、容量、写入数据速度、功耗、使用寿命和成本等方面具有明显优势,但NAND FLASH需要特殊的管理和控制接口。
SDRAM的存储容量大、读写速度快、支持突发式读写,在本系统中两片HY57V561620FTP并联组成位宽32位、存储容量共64MB的SDRAM存储体,用作主内存。
核心板上BOOT跳线可以选择是NAND FLASH启动还是NOR FLASH启动:BOOT跳线断开时为NOR FLASH启动方式,数据总线宽度为16位;BOOT跳线合上时为NAND FLASH启动方式,数据总线宽度为8位。
NANDFLASH和NOR FLASH两种启动模式的存储空间分配如图4-1所示。
图4-1 存储空间分配图
注:(1)SROM表示存储类型为ROM或者SRAM
(2)本次实验将程序下载到NOR FLASH中运行,所以跳线断开。程序中对地址为0x30E00000——0x30F00000处的内容进行读写访问也即访问SDRAM存储器中内容。
SDRAM的电路连接原理图如图4-2所示:nGCS6(nSCS0)与片选信号相连,表明SDRAM占用BANK6,实际的物理地址为0x30E00000——0x33FFFFFF。
图4-2 SDRAM的电路连接原理图
(2) 地址总线扩展I/O
实验台上有4个状态可编程的LED灯(LED1~LED4)ÿ