FRAM 铁电存储器

什么是FRAM

FRAM (铁电随机存取存储器) 是被称为 FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM 具有 ROM (只读存储器) 和 RAM (随机存取器)，在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。

关于铁电质 下面的图表解释了 PZT 晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以 “1” 或 “0” 的形式存储。 PZT 晶体结构和 FRAM 工作原理 1、当加置磁场时就会产生极化 (锆/钛离子在晶体中向上或向下移动)。 2、即使在不加置磁场的情况下，也能保持电极。 3、两个稳定的状态以 “0” 或 “1” 的形式存储。 * 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储的信息。 优势 非易失性 即使没有上电，也可以保存所存储的信息 与 SRAM 相比，无需电池(环保产品)     更高速度写入 像 SRAM 一样，可改写 不要求改写命令 对于擦 / 写操作，无等待时间 写入循环时间 = 读取循环时间 写入时间：E2PROM 的 1/30000     具有更高的耐受力 确保最大 1012 循环 (100 万兆循环) / 位的耐久力 耐久力：超过 100 万次的 E2PROM     具有更低的功耗 不要求采用充电泵电路 功耗：低于 1/400 的 E2PROM   FRAM E2PROM Flash SRAM 存储器类别 非易失性 非易失性 非易失性 易失性 晶胞结构 *1 1T1C/2T2C 2T 1T 6T 数据改写方法 改写 擦除+写入 扇面擦除+写入 改写 写入循环时间