无线电时代的启幕与晶体管的诞生
前面的文章中已介绍了真空二极管和真空三极管，他们的发明正式拉开了无线电时代的帷幕，彻底改变了现代科技的面貌。但是体积大、重量重、耗电大、寿命短、噪声大、制造工艺复杂。因此天生为小型化而生的晶体管应运而生，晶体管的诞生具有重要的意义。世界第一台使用真空管制造的计算机ENIAC，长30.48米，宽6米，高2.4米，占地面积约170平方米。它的重量也非常惊人，达到30英吨（约合181.44吨）。另外，它的功耗为150千瓦。而世界第一台晶体管计算机TRADIC，功率仅为100瓦，体积也相对较小，仅为3立方英尺。它的诞生标志着计算机进入了晶体管时代，为计算机的小型化和低功耗发展奠定了基础。
半导体的发现：导电性的“中间地带”
半导体二极管的发明是基于科学家们对半导体材料性质的研究，特别是PN结的单向导电性的发现。二极管的发明开启了半导体科技的新篇章，也为后来的集成电路和微电子技术的发展奠定了基础。
科学家们发现半导体材料的过程可以追溯到对物质导电性质的研究。在研究过程中，科学家们尝试了各种不同的材料，并观察了它们的导电性质。他们发现，有些材料的导电性质不同于导体和绝缘体，具有一些特殊的性质。这些材料之所以具有特殊的导电性质，是因为它们的电子结构介于导体和绝缘体之间。这些材料具有一定的电子浓度，但不像导体那样拥有大量的自由电子，也不像绝缘体那样几乎没有自由电子。
通过对这些材料的深入研究和改进，科学家们逐渐发现了半导体材料的应用价值，并将其应用于电子器件、电力、通信等领域。因此，可以说科学家们是在研究物质导电性质的过程中，通过实验和观察，逐渐发现半导体材料的。
锗和硅：半导体的“明星元素”
锗和硅都位于元素周期表的第四主族，这一族的元素具有相似的化学性质和电子结构，这使得它们具有类似的半导体性质。元素周期表中的位置反映了元素的原子序数和电子构型，这对于理解元素的性质和预测其可能的用途具有重要意义。
是的，锗和硅刚好位于金属和非金属的交界处，所以表现出半导体特性。在元素周期表中，这个位置的元素具有特殊的电子结构，使得它们的导电性介于导体和绝缘体之间。这是因为这些元素的电子结构使得它们具有一定的电子浓度，但又不像导体那样拥有大量的自由电子。这种特殊的电子结构使得它们具有半导体的性质，如PN结的单向导电性等。
锗和硅本身就是半导体，不需要加入杂质就具有半导体的性质。但是，通过掺入不同种类的杂质，可以改变锗和硅的导电类型和导电性能，从而制作出不同类型的半导体器件。掺入杂质的过程被称为掺杂，通过掺杂可以控制半导体的载流子浓度和类型，从而改变半导体的电阻率、导电性等性质，以满足不同的应用需求。
PN结：半导体技术的基石
PN结是在同一块半导体材料上，通过不同的掺杂工艺形成P型半导体和N型半导体，并在它们的交界面处形成的特殊结构。具体来说，PN结的形成过程如下：
- 在一块本征半导体材料上，通过扩散或离子注入等工艺，掺入受主杂质（如硼）形成P型半导体，掺入施主杂质（如磷）形成N型半导体。
- 在P型半导体和N型半导体的交界面处，由于载流子浓度的差异，电子会从浓度高的N型半导体向浓度低的P型半导体扩散，同时在P型半导体中留下带正电的空穴。
- 扩散的结果使得交界面附近形成了一个空间电荷区，也称为耗尽层。在这个区域内，电子和空穴都很少，形成了一个高阻的区域。
- 空间电荷区的存在形成了一个内建电场，电场方向从N型半导体指向P型半导体。这个内建电场阻止了电子和空穴的进一步扩散，达到了平衡状态。
因此，PN结是通过不同的掺杂工艺在同一块半导体材料上形成的P型半导体和N型半导体的交界面处的特殊结构。
二极管的工作原理：单向导通的奥秘
PN结能单向导通的原因主要与其内部的电荷分布和电场方向有关。当P型半导体和N型半导体紧密接触时，由于两者的载流子浓度差异，电子会从浓度高的N型半导体向浓度低的P型半导体扩散，同时在P型半导体中留下带正电的空穴。这样，在接触面附近形成了一个空间电荷区，也称为耗尽层。空间电荷区的存在形成了一个内建电场，电场方向从N型半导体指向P型半导体。
当外加正向电压时，即P端接高电位，N端接低电位，外加电场方向与内建电场方向相反，削弱了内建电场，使得耗尽层变窄，载流子容易通过，从而形成较大的电流，二极管导通。
当外加反向电压时，即P端接低电位，N端接高电位，外加电场方向与内建电场方向相同，增强了内建电场，使得耗尽层变宽，阻止载流子通过，电流被截止，二极管截止。
因此，PN结的单向导通性是由其内部的电荷分布和电场方向决定的。
结语
半导体二极管的发明不仅推动了电子设备向小型化、低功耗的方向发展，而且为集成电路和微电子技术的进步奠定了基础。今天，我们的生活中充斥着各种半导体器件，它们是现代科技不可或缺的一部分。
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