无线电时代的启幕与晶体管的诞生
前面的文章中已介绍了真空二极管和真空三极管,他们的发明正式拉开了无线电时代的帷幕,彻底改变了现代科技的面貌。但是体积大、重量重、耗电大、寿命短、噪声大、制造工艺复杂。因此天生为小型化而生的晶体管应运而生,晶体管的诞生具有重要的意义。世界第一台使用真空管制造的计算机ENIAC,长30.48米,宽6米,高2.4米,占地面积约170平方米。它的重量也非常惊人,达到30英吨(约合181.44吨)。另外,它的功耗为150千瓦。而世界第一台晶体管计算机TRADIC,功率仅为100瓦,体积也相对较小,仅为3立方英尺。它的诞生标志着计算机进入了晶体管时代,为计算机的小型化和低功耗发展奠定了基础。
半导体的发现:导电性的“中间地带”
半导体二极管的发明是基于科学家们对半导体材料性质的研究,特别是PN结的单向导电性的发现。二极管的发明开启了半导体科技的新篇章,也为后来的集成电路和微电子技术的发展奠定了基础。
科学家们发现半导体材料的过程可以追溯到对物质导电性质的研究。在研究过程中,科学家们尝试了各种不同的材料,并观察了它们的导电性质。他们发现,有些材料的导电性质不同于导体和绝缘体,具有一些特殊的性质。这些材料之所以具有特殊的导电性质,是因为它们的电子结构介于导体和绝缘体之间。这些材料具有一定的电子浓度,但不像导体那样拥有大量的自由电子,也不像绝缘体那样几乎没有自由电子。
通过对这些材料的深入研究和改进,科学家们逐渐发现了半导体材料的应用价值,并将其应用于电子器件、电力、通信等领域。因此,可以说科学家们是在研究物质导电性质的过程中,通过实验和观察,逐渐发现半导体材料的。
锗和硅:半导体的“明星元素”
锗和硅都位于元素周期表的第四主族,这一族的元素具有相似的化学性质和电子结构,这使得它们具有类似的半导体性质。元素周期表中的位置反映了元素的原子序数和电子构型,这对于理解元素的性质和预测其可能的用途具有重要意义。
是的,锗和硅刚好位于金属和非金属的交界处,所以表现出半导体特性。在元素周期表中,这个位置的元素具有特殊的电子结构,使得它们的导电性介于导体和绝缘体之间。这是因为这些元素的电子结构使得它们具有一定的电子浓度,但又不像导体那样拥有大量的自由电子。这种特殊的电子结构使得它们具有半导体的性质,如PN结的单向导电性等。
锗和硅本身就是半导体,不需要加入杂质就具有半导体的性质。但是,通过掺入不同种类的杂质,可以改变锗和硅的导电类型和导电性能,从而制作出不同类型的半导体器件。掺入杂质的过程被称为掺杂,通过掺杂可以控制半导体的载流子浓度和类型,从而改变半导体的电阻率、导电性等性质,以满足不同的应用需求。
PN结:半导体技术的基石
PN结是在同一块半导体材料上,通过不同的掺杂工艺形成P型半导体和N型半导体,并在它们的交界面处形成的特殊结构。具体来说,PN结的形成过程如下:
- 在一块本征半导体材料上,通过扩散或离子注入等工艺,掺入受主杂质(如硼)形成P型半导体,掺入施主杂质(如磷)形成N型半导体。
- 在P型半导体和N型半导体的交界面处,由于载流子浓度的差异,电子会从浓度高的N型半导体向浓度低的P型半导体扩散,同时在P型半导体中留下带正电的空穴。
- 扩散的结果使得交界面附近形成了一个空间电荷区,也称为耗尽层。在这个区域内,电子和空穴都很少,形成了一个高阻的区域。
- 空间电荷区的存在形成了一个内建电场,电场方向从N型半导体指向P型半导体。这个内建电场阻止了电子和空穴的进一步扩散,达到了平衡状态。
因此,PN结是通过不同的掺杂工艺在同一块半导体材料上形成的P型半导体和N型半导体的交界面处的特殊结构。
二极管的工作原理:单向导通的奥秘
PN结能单向导通的原因主要与其内部的电荷分布和电场方向有关。当P型半导体和N型半导体紧密接触时,由于两者的载流子浓度差异,电子会从浓度高的N型半导体向浓度低的P型半导体扩散,同时在P型半导体中留下带正电的空穴。这样,在接触面附近形成了一个空间电荷区,也称为耗尽层。空间电荷区的存在形成了一个内建电场,电场方向从N型半导体指向P型半导体。
当外加正向电压时,即P端接高电位,N端接低电位,外加电场方向与内建电场方向相反,削弱了内建电场,使得耗尽层变窄,载流子容易通过,从而形成较大的电流,二极管导通。
当外加反向电压时,即P端接低电位,N端接高电位,外加电场方向与内建电场方向相同,增强了内建电场,使得耗尽层变宽,阻止载流子通过,电流被截止,二极管截止。
因此,PN结的单向导通性是由其内部的电荷分布和电场方向决定的。
结语
半导体二极管的发明不仅推动了电子设备向小型化、低功耗的方向发展,而且为集成电路和微电子技术的进步奠定了基础。今天,我们的生活中充斥着各种半导体器件,它们是现代科技不可或缺的一部分。