汇编画图题：存储器扩展（重要）

• 北京交通大学戴胜华老师MOOC微机原理与接口技术

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1. 容量字长的扩展

2. 片选信号的产生

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• 地址不连续
  
• 地址连续
  
  
• 混合使用
  
• RAM 和 ROM连续起来，刚好从2000H开始
• 速算，2K 是 11位，一个F是4位，两个F是8位，一个7是3位，7FF加起来总共11位
• 1K 是 10位，一个F是4位，两个F是8位，一个3是2位，3FF加起来总共10位

地址分配后就开始设计译码电路

• 二四译码器A12A11
  
• 第二块1K的A11A10产生片选信号
  
• A13反向，起始地址2000即0010
  
  
• 方法二：用三八译码器，ROM地址连续，RAM地址不连续，得再进行译码，2K拆成1K

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• 一个微机系统的EPROM区的容量为16K，其地址从0000H开始，则该EPROM区的地址范围是
• 16K 是 14位，一个F是4位，三个F是12位，一个3是2位，3FFF加起来总共14位

0000H ~ 3FFFH

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• 某8位微机，地址总线为20位。现有若干片EPROM芯片27256(32K×8b)，若干片EPROM芯片27128(16K×8b)，若干片SRAM芯片62256(32K×8b)，以及若干片DRAM芯片2164A(64K×1b)。设计一个存储器系统，其程序存储区的容量为64KB，要求断电时程序区的程序不会丢失。数据存储区的容量为32KB，要求数据可随机存取，并且数据存取的速度尽可能得快。电路尽可能简单。则选用的芯片种类和数量分别为

• EPROM(紫外线可擦PROM)：用户可多次改写内容，改写方法一般可选用紫外线擦除，再编程写入，有任一位错，都须全片擦除、改写。紫外线照射约半小时，所有存储位复原到1
• SRAM(静态RAM)：存储单元电路以双稳为基础,故状态稳定, 只要不掉电，信息不会丢失。价格较贵，用于高速缓存。
• DRAM(动态RAM)：存储单元电路简单，集成度高，功耗小， 但即使不掉电也会因电容放电而丢失信息，所以需定时刷新