存储器容量的扩充

当单个存储器芯片的容量不能满足系统要求时，需要把多片存储器芯片组合起来，组成更大容量的存储器。所需芯片数为：

d=设计要求的存储器容量/已知芯片存储容量。

1.位扩展

若给定的芯片的字数(地址数)符合要求，但位数较短，不满足设计要求的存储器字长，则需要进行位扩展，让多片给定芯片并行工作。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。

例3.1】利用多片1M×4位的SRAM芯片设计一个存储容量为1M×8位的SRAM存储器。

解：设计的存储器字长为8位，存储器字数不变。所需芯片数 App D3

d=(1M×8)/(1M×4)=2(片)

连接的三组信号线中，地址线、控制线公用，数据线分高4位、低4位，分别与两片SRAM芯片的I/O端相连接，两片同时工作，如图3.7所示。

2.字扩展

若给定的芯片存储容量较小(字数少)，不满足设计要求的总存储容量，则需要进行字扩展，让多片给定芯片分时工作。三组信号线中给定芯片的地址总线和数据总线公用，读写控制信号线公用，由地址总线的高位译码产生片选信号，让各个芯片分时工作。

【例3.2】 利用256K×8位的SRAM芯片设计2048K×8位的存储器。

 

3.字位扩展

若给定的芯片的字数和位数均不符合要求，则需要先进行位扩展，再进行字扩展。