STC89C52RC、22.1184M晶振，产生11…

     STC89C52RC、22.1184M晶振，产生115200波特率。

    这问题还纠结了很久，因为在普通情况下算出来的T1时间常数带小数点，这样通常会导致通信结果出错。其实通过电源控制寄存器PCON将波特率倍频下就解决问题了。下面简单给出计算过程：

    1、首先T1时间常数X的值为：

       X = 2^8 - 2^SMOD * 晶振频率 / (384 * 波特率)；

    2、电源控制寄存器PCON控制：

                  PCON      D7   D6   D5   D4   D3   D2   D1  D0

                  位符号   SMOD  ——————   GF1  GF0  PD  IDL

    在CHMOS型单片机中，除SMOD位外，其他位均为虚设的，SMOD是串行口波特率倍增位，当SMOD=1时，串行口波特率加倍。系统复位默认为SMOD=0。 各位的定义：

    （1）SMOD：该位与串口通信有关。

          SMOD=0; 串口方式1，2，3时，波特率正常。

          SMOD=1; 串口方式1，2，3时，波特率加倍。

    （2）GF1,GF0：两个通用工作标志位，用户可以自由使用。

          PD:掉电模式设定位。

          PD=0 单片机处于正常工作状态。

          PD=1 单片机进入掉电（Power Down）模式 ，可由外部中断或硬件复位模式唤醒，进入掉电模式后，外部晶振停振，CPU、定时器、串行口全部停止工作，只有外部中断工作。

    （3）IDL：空闲模式设定位。

          IDL=0 单片机处于正常工作状态。

          IDL=1 单片机进入空闲（Idle）模式，除CPU不工作外，其余仍继续工作，在空闲模式下可由任一个中断或硬件复位唤醒。

    3、通过将SMOD置1，可以正常产生115200波特率，由之前公式，可计算出TH1=TL1=X=0xFF；初始化代码如下：  

        UART_init()

        {

            PCON |= 0x80;

            SCON = 0x50;

            TMOD = 0x20;

            TH1  = 0xFF;

            TL1  = 0xFF;

            TR1  = 1;

            ES   = 1;  //串口中断

            EA   = 1;  //总中断

        }