HFSS设计研究

1 HFSS设计研究：

一、边界条件（Boundaries）——边界条件定义了求解区域的边界以及不同物体交界处的电磁场特性，是求解麦克斯韦方程的基础。只有在假定场矢量是单值、有界、并且沿空间连续分布的前提下，微分形式的麦克斯韦方程组才是有效的；而在求解区域的边界、不同介质的交界处和场源处，场矢量是不连续的，那么场的导数也就失去了意义。边界条件就是定义跨越不连续边界处的电磁场的特性，因此，正确地理解、定义并设置边界条件，是正确使用HFSS仿真分析电磁场场特性的前提。

边界条件的类型：

理想导体边界（Perfect E）

电场矢量垂直于物体表面，有两种边界被自动设为理想导体边界条件：

1、任何与背景相关联的物体表面将被自动定义为理想导体边界，并命名为outer边界

2、材料设为PEC（理想电导体）的物体表面被自动定义为理想导体边界，并命名为smental理

想磁边界/自然边界（Perfect H）

电场矢量与物体表面相切，磁场矢量与物体表面垂直。

自然边界（Natural）：当理想导体边界和理想磁边界出现交叠时，理想磁边界也称为自然边界

注意：在理想导体边界上叠加理想磁边界将去掉理想导体边界的特性，相当于在理想导体表面开个口，允许电场穿过。

有限导体边界（Finite Conductivity）

有耗导体/非理性导体边界条件，电场垂直于物体表面，在电磁波的传播方向上电场会愈来愈小

用户需要设置的参数：导电率和导磁率

注意：当物体的材料设置为非理想导体（如铜、铝等金属材料）时，其表面自动定义为有限导体

边界条件。

辐射边界（Radiation）

用于模拟开放的自由空间，模拟波辐射到空间的无限远处的情况，常用于天线问题的分析。当结构中包含辐射边界条件时，HFSS会自动计算结构的远区场。（使用Perfect H边界条件模拟开放空间时，不会计算远区场）辐射边界条件是自由空间的近似，这种近似的准确程度取决于波的传播方向与辐射边界之间的角度，以及辐射源与边界之间的距离。辐射边界在各个方向上距离辐射体一般不小于1/4个波长。

对称边界（Symmetry）

模拟理想电壁或理想磁壁对称面，应用对称边界可以构造结构时仅构造一部分，减小结构的尺寸和设计的复杂性，缩短计算时间。

定义对称平面时，需要遵循以下原则：

1、对称平面必须暴露在背景中

2、对称面必须定义在平面表面上，不能定义在曲面上

3、在一个问题上最多只能定义三个正交对称面

决定对称面的类型：

1、如果电场垂直于对称面且对称，使用理想电壁对称面

2、如果磁场垂直于对称面且对称，使用理想磁壁对称面

此外使用对称边界条件需要设置阻抗乘法器：

1、理想电壁对称面将结构分为两部分时，只有一半的电压值和一半的能量被计算，由Zpu=U*U/P计算出的阻抗也只有真实值的一半，所以需要定义2倍的阻抗乘法器。

2、理想磁壁对称面将结构分为两部分时，只有一半的能量被计算，而电压保持不变，由Zpu=U*U/P计算出的阻抗是真实值的2倍，所以需要定义0.5倍的阻抗乘法器。

阻抗边界（Impedance）

用于模拟已知阻抗的边界表面，如薄膜电阻表面；表面的阻抗Zs=Rs+jXs。

阻抗的计算：

number of "Square"=Length(in direction of current flow)/Width

集总RLC边界（Lumped RLC）

类似于阻抗边界条件，利用用户提供的R、L、C值计算出对应的阻抗值与阻抗边界不同的是，集总RLC边界不需要提供以Ohms/Square为单位的电阻和电抗，而是要给出R、L和C的真实值；之后HFSS就能确定任意频率下集总RLC边界以Ohms/Square为单位的阻抗。

分层阻抗边界条件（Layered Impedance）

分层阻抗边界条件是用多层结构将物体表面模拟为一个阻抗表面，其效果与阻抗边界条件相同；

与阻抗边界条件不同的是，对于分层阻抗边界条件，HFSS是根据输入的分层结构数据和表面粗糙度来计算表面电阻和表面电抗的。分层边界条件不支持快速扫频。

无限地平面（Infinite Ground Plane）

在设置理想导体边界、有限导体边界或阻抗边界时有"Infinite Ground Plane"复选框。

将有限大的边界表面模拟成无限大地平面的作用，设置无限大平面边界后，在后处理中会影响近区、远区辐射场的计算。

定义无限大平面时，需要满足以下条件：

1、必须暴露在背景上

2、必须定义在平面上、

3、无限大平面和对称面的总数不超过3个

4、所有无限大地平面和对称面必须相互垂直。

主从边界（Master and slave）

简称为关联边界条件LBC，主要用于模拟平面周期性结构表面，例如阵列天线。包括主边界条件（Master）和从边界条件（Slave），总是成对出现，且主边界表面和从边界表面的形状、大小和方向完全相同，主边界表面和从边界表面上的电场存在一定的相位差，该相位差就是周期性结构相邻单元之间存在的相位差。定义主从边界表面时，用户需要正确设置U、V坐标系，保证主从边界表面大小和方向完全一致。

理想匹配层（PML）

理想匹配层，是能够完全吸收入射电磁波的假想各项异性材料边界。理想匹配层有两种典型的应用：一是用于外场问题中的自由空间截断，二是用于导波问题中的吸收负载。对于导波的吸收负载，理想匹配层模拟导波结构均匀地延申到无穷远处。对于自由空间截断地情况，理想匹配层地作用类似于辐射边界条件，PML表面能够完全吸收入射过来地电磁波。和辐射边界条件相比，理想匹配层因为能够完全吸收入射的电磁波，零反射，因此计算结果更精确；同时理想匹配层表面可以距离辐射体更近（差不过十分之一个波长即可），不需要像辐射边界表面一般需要距离辐射体大约四分之一个波长。

二、HFSS中的激励方式（Excitation）——HFSS中，激励是一种定义在三维物体表面或者二维物体上的激励源，这种激励源可以是电磁波激励、电压源或者电流源，激励端口是一种允许能量进入或流出几何结构的特殊边界条件类型。

激励类型：

波端口（Wave Port）：默认情况下，所有三维物体和背景之间的接触面都是理想导体边界，没有能量可以进出；波端口设置在背景上，用作模型的激励源并提供一个能量进入/流出的窗口。波端口一般设置在背景平面上，不允许端口平面弯曲。

波端口模式（modes）：对于给定横截面的波导或传输线，特定频率下有一系列的解满足相应的边界条件和麦克斯韦方程组，每个解都称之为一种模式，或者说一种波形。通常，模式是根据电场和磁场沿导波系统传输方向上有无分量这一情况来命名的，假设导波系统沿z轴放置，上述分量是指z向的电场分量Ez和磁场分量Hz。

​  对于Ez=0、Hz=0一类的模，称之为横电磁模，即TEM模；

​  对于Ez=0、Hz不为0一类模，称之为横电模，即TE模；

​  对于Ez不为0、Hz=0一类的模，称之为横磁模，即TM模。

端口校准：波端口必须被校准以确保一致的结果；校准的目的有两个，确定场的方向、设置电压的积分路径。

端口平移（Deembed）：是指平移端口的位置，查看其对计算结果的影响；选中使用端口平移功能，只影响数据后处理，HFSS不会重新进行仿真计算。HFSS端口平移中正数表示参考平面向模型内部移动，负数则是向外延申。

终端线（Terminal）：对于终端驱动的求解类型，终端的S参数反映的是波端口节点电压和电流的线性叠加，通过波端口处的节点电流和电压可以计算出端口的阻抗和S参数矩阵。

集总端口（Lumped Por）：集总端口激励和波端口激励是HFSS中最常用的两种激励方式。集总端口激励类似于传统的波端口，与波端口不同的是集总端口可以设置在物体模型内部，且用户需要设定端口阻抗；集总端口直接在端口处计算S参数，设定的端口阻抗即为集总端口上S参数的参考阻抗；另外集总端口不计算端口处的传播常数，因此集总端口无法进行端口平移操作。

集总端口激励的尺寸大小要比波端口小。

Floquet端口（Floquet Port）：与波端口的求解方式类似，Floquet端口求解的反射和传输系数能够以S参数的形式显示。使用Floquet端口激励并结合周期性边界，能够像传统波导端口激励一样轻松的分析周期型结构的电磁特性，从而避免了场求解器复杂的后处理过程。

入射波（Incident Wave）：是用户设置的朝某一特定方向传播的电磁波，其等相位面与传播方向垂直；入射波照射到器件表面和器件表面的夹角称为入射角。入射波激励常用于雷达反射截面（RCS）问题的计算。需要设置的参数有：波的传播方向（Poynting Vector）、电场的强度和方向。

压源激励（Voltage）：电压源激励定义在两层导体之间的平面上，用理想电压源来表示该平面上的电场激励。电压源激励时需要设置的参数有：电压的幅度、相位和电场的方向。

注意：电压源激励所在的平面必须远小于工作波长，且平面上的电场是恒定电场；电压源激励是理想的源，没有内阻，因此后处理时不会输出S参数。

电流源激励（Current）：电流源激励定义于导体表面或者导体表面的缝隙上，用理想电流源来表示该平面上激励。电流源激励需要设定的参数有：导体表面缝隙的电流幅度、相位和方向。

注意：电流源激励所在的平面/缝隙必须小于工作波长，且平面/缝隙上的电流是恒定的；电流源激励是理想的源，没有内阻，因此后处理时不会输出S参数。

磁偏置激励（Magnetic Bias）：创建一个铁氧体材料时，必须通过设置磁偏置激励来定义网格的内部偏置场；该偏置场使得铁氧体中的磁性偶极子规则排列，产生一个非零的磁矩。如果应用的偏置场时均匀的，张量坐标系可以通过旋转全局坐标系来设置如果应用的偏置场时非均匀的，不允许旋转全局坐标来设置张量坐标系。