STM32的FLASH模拟 EEPROM[以STM32F103C8为例]

提前排坑：

本文代码大小

地址范围问题

代码参照的原子系列的教程，程序功能是可以存储两个菜单设置参数和三个PID参数。

main.c代码如下:

#include "stdlib.h"
#include "stm32f10x.h"
#include "delay.h"
#include "key.h"
#include "sys.h"
#include "oled.h"
#include "adc.h"
#include "usart.h"
#include "stmflash.h"   
#include "timer1.h"
#include "timer2_int.h"
#include "timer3_int.h"

#define FLASH_Sampling_Time_ADDR 		0X0800F000 		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小(0x618C)+0X08000000)
#define FLASH_PWM_Frequency_ADDR  		0X0800F020 		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小(0x618C)+0X08000000)
#define FLASH_Kp_ADDR  					0X0800F040 		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小(0x618C)+0X08000000)
#define FLASH_Ki_ADDR  					0X0800F060 		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小(0x618C)+0X08000000)
#define FLASH_Kd_ADDR  					0X0800F080 		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小(0x618C)+0X08000000)

char 	Str_temp[