STM32103C8T6 FLASH模拟EEPROM实验

最新推荐文章于 2024-05-03 13:38:21 发布
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STM32F030模拟eeprom：https://www.cnblogs.com/HongYi-Liang/p/9047255.html

 

 

《STM32中文手册》根据芯片想型号找存储地址。我是用是STM32F103C8T6 那么我需要查看表3，同时需要记得每页为1K字节

  STM32F103C8T6 属于中容量产品，但是flash是64K的而不是128K的。内存参照表3但是不完全一样。

  表3 ：存储的数据比较少，我选择地址为62页（0x0800 F800  -0x0800 FBFF）和63页 （0x0800 FC00  -0x0800 FFFF）

  共2K的flash.

 

flash的编程参照   https://my.oschina.net/390871020/blog/661981

卤煮小鱼
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stm32f103c8t6 FLASH模拟EEPROM
sam的博客
05-21 1747
1.使用FLASH模拟EEPROM示例 1.写入 #define Rat_FLASH_SAVE_ADDR 0X0800FF40 /** *调试模式 *@param *@careful *@return */ void Bluetooth(void) { u8 pBufUp[8]; float f_ju = 0.00; //设置--速比 else if(uart2._buffer[0] == 'S' && uart2._buffer[1]
stm32c8t6-flash模拟eeprom
03-07
修改自正点原子官方例程，注意”#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000“头文件定义的flash起始地址，超过芯片存储区间则程序出错
STM32的FLASH模拟 EEPROM[以STM32F103C8为例]
Baby_Qi的博客
03-23 2364
提前排坑： 地址范围问题 代码参照的原子系列的教程，程序功能是可以存储两个菜单设置参数和三个PID参数。 main.c代码如下: #include "stdlib.h" #include "stm32f10x.h" #include "delay.h" #include "key.h" #include "sys.h" #include "oled.h" #include "adc.h" #include "usart.h" #include "stmflash.h" #include "timer
STM32——基础篇
最新发布
weixin_52706451的博客
05-03 3770
技术笔记！
STM32F103C8T6通过内部Flash写入读取数据，模拟EEPROM（附代码）
snaygo
10-11 4335
STM32F103C8T6通过内部Flash写入读取数据，模拟EEPROM（附代码） 优点： 1. 模块化编程，方便移植，集成度高； 2. 拿来直接用 Flash空间定定义 主函数初始化已经Flash的读取与写入 Flash写入数据，自加 Flash读取数据 但是Flash的擦除次数有使用寿命，但是正常使用没有问题吧。 这次代码运行已经读取近1000次。 附代码：百度网盘链接 提取码：8888 肯定下载直接运行，使用与STM32F103C8T6单片机，如果采用C6T6单片机则需要将Flash的数
STM32F10x Flash 模拟 EEPROM
文森特
02-20 2365
STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microco
HAL库之读写STM32F103内部的FLASH空间
乐享的博客
09-13 5462
在此声明——本文摘自这里： 【码神岛】STM32F0x HAL库学习笔记（5）片内FLASH的读写操作 本文开发环境 MCU型号：STM32F103C8T6 IDE环境： MDK 5.25 代码生成工具：STM32CubeMx 5.0.1 HAL库版本：v1.9.0 本文内容 MCU片内Flash（闪存）的擦除与读写 一个Flash读写例子 /*main.c中的代码*/ void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t n); uint32_t FLASH_EEPROM_Read(
STM32F103C8T6使用内部Flash的第63页保存参数
豪哥的博客
06-30 9189
STM32F103C8T6使用内部Flash的第63页保存参数 1. 概述 STM32的FLASH是用来存储主程序的，ST公司为了节约成本，没有加入 EEPROM，但是许多场合下我们需要用EEPROM；不过FLASH的容量还是可观的，我们可以利用FLASH模拟EEPROM。 根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，FLASH除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。s...
stm32flash模拟EEPROM保存adc
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11-29 918
本程序采用STM32F103C8T6，flash模拟EEPROM，使用外部中断，以按键触发可以将此时的3个通道的adc数据保存到flash中，掉电保存不丢失数据。 程序如下： adc.h文件 #ifndef __ADC_H #define __ADC_H #include "sys.h" void Adc_Init(void); u16 Get_Adc(u8 ch); u16 Get_Adc_...
FLASH模拟EEPROM实验
love12fly@sina.com
08-14 884
一、简介 STM32F407ZGT6 的 FLASH 容量为 1024K 字节，STM32F40xx/41xx 的闪存模块组织如图所示： STM32F4 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分组成。 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。分为 12 个扇区，前 4个扇区为 16KB 大小，然后扇区 4 是 64KB 大小，扇区5~11 是 128K 大小，不同容量的 STM32F4，拥有的扇区数不一样，比如我们的 STM32F407ZGT6，
STM32F103 Flash 模拟EEPROM
08-26
STM32F103 Flash 模拟EEPROM
STM32 FLASH模拟EEPROM
08-03
基于STM32 HAL库的 flash 模拟 EEPROM 实例，工程使用IAR EWARM7.60平台编译，如果使用低版本的IAR 平台打开可能会有警告提示，实例来自真实项目的一个温度控制子系统，mcu使用了stm32f103tb。
STM32的FLASH模拟EEPROM程序，亲测可用
11-26
STM32的FLASH模拟EEPROM程序，亲测可用。内有详细注释和说明文档，很好的参考资料。
STM32F10X FLASH模拟eeprom心得（原创）
02-21
花了几天时间研究stm32用Flash模拟EEPROM的问题，终于彻底弄懂了这种机制，下面将我学习的思路简单整理一下，希望能帮助到需要的人。
使用STM32F103C8T6实现EEPROM（使用AT24C01~AT24C256芯片均可），已经过实物测试
07-18
总之，这个项目展示了如何利用STM32F103C8T6微控制器通过I²C协议与外部AT24CXX EEPROM芯片进行通信，实现非易失性数据存储。提供的代码资源包含了I²C驱动、初始化以及读写函数，方便用户快速集成到自己的项目中。...
stm32f103c8t6原理图.pdf
09-05
STM32F103C8T6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器，广泛应用于嵌入式系统设计。在电路设计中，了解其电源和接口配置至关重要。 1. **电源管理**： - **VDD**：这是微...
STM32F103C8T6核心板原理图/最小核心板原理图
02-11
从原理图中可以看到，STM32F103C8T6微控制器具有EEPROM和Flash存储器，可以用来存储程序和数据。 STM32F103C8T6核心板原理图展示了微控制器的各项特点和接口，可以为设计嵌入式系统提供有价值的参考。
STM32F103C8T6配套程序源码-IIC通信实验.zip_IIC_t6代码_程序员t6什
09-20
在压缩包内的"STM32F103C8T6配套程序源码-IIC通信实验"文件中，我们可以期待找到以下内容：初始化IIC的相关代码、发送和接收数据的函数、错误处理机制以及可能的示例应用，如读写EEPROM、传感器或者其他支持IIC协议...
stm32f103c8t6 flash模拟eeprom 例程
10-04
对于STM32F103C8T6芯片来说，通过使用其内置的Flash模块，可以实现模拟EEPROM的功能。 首先，我们需要使用ST官方提供的STM32Cube软件包，该软件包包含了一些例程和配置工具，使用这个软件包可以大大简化开发过程。 ...

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