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转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(六)
<br /> 在关于内存的前面五篇相关介绍文字中,基本上都是关于内存原理性方面的内容,下面介绍点DDR总线匹配方式和信号时序测试方面的实用内容。<br /><br /> ♦DDR总线的匹配方式<br /> SDRAM芯片总线使用的是3.3V LVTTL(Low Voltage Transistor-Transistor Logic)逻辑电平;<br /> DDR芯片总线使用的是SSTL-2(Stub Series Terminated Logic 2.5V
2011-01-10 21:43:00 2628 2
转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(五)
<br /> 这一节我们重点介绍下DDR、DDR2、DDR3的管脚功能和它们之间的差异。<br /> ♦SDRAM芯片引脚及功能如下图所示:<br /><br /> 下图为DDR SDRAM的管脚列表及功能描述,从中可以可以发现,与SDRAM相比,DDR SDRAM多了两个信号线:CLK#与 DQS,CLK#与正常 CLK 时钟相位相反,形成差分时钟信号。而数据的传输在 CLK 与 CLK#的交叉点进行,可见在 CLK 的上升与下降沿(此时正好是 CLK#的上升沿)都有数据被
2011-01-10 21:33:00 1266
转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(四)
<br /> 我们接着来解读下SDRAM的一些参数。<br /><br /> ♦突发长度<br /> 突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths,简称 BL)。<br /> 在目前,由于内存控制器一次读/写 P-Bank 位宽的数据,也就是 8 个字节,但是在现实中小于8 个字节的数据很少见,所以一般都要经过多个周期进行数据的传输。<br /> 上文讲到的读/写
2011-01-10 21:26:00 1313
转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(三)
接下来我们来了解一下SDRAM芯片的初始化及读写时序。 针对内存的操作指令有如下几种: 1).Command INHIBIT(初始化); 2).No Operation(无动作); 3).Active(使指定L-Bank中的指定行有效); 4).Read(从指定L-Bank中的指定列开始读取数据); 5).Write(从指定L-Bank中的指定列开始写入数据); 6).Burst Terminate(突发传输终止);
2011-01-10 21:21:00 1428
转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(二)
♦DRAM的物理BANK与逻辑BANK 我们在进行内存设计选型时会有两种选择:内存颗粒和内存条 1).内存颗粒其实也就是内存芯片,数据位宽通常是8bit,最高的也就是16bit。 2).内存条就是将多颗内存芯片放在一起组成通用标准模块,并在模块中加入管理信号(一般为I2C总线,用来读取厂家信息),然后从标准标准接口引出(就是我们常说的金手指)。 常见的内存条有SIMM和DIMM两种。 SIMM是Single In-line Memor
2011-01-10 20:52:00 1780
转载 (转):内存器件介绍之RAM篇(一)
提到内存,相信大家都不陌生,几乎所有的计算机系统中都有它的身影,按照内存的工作原理划分,可将内存分为RAM和ROM两大类。 RAM(Random Access Memory)存储器又称随机存取存储器,存储的内容可通过指令随机读写访问,RAM中的数据在掉电时会丢失; ROM(Read Only Memory)存储器又称只读存储器,只能从中读取信息而不能任意写信息。ROM具有掉电后数据可保持不变的优点。 RAM和ROM两大类下面又可分很多小类,如下图所示: ♦S
2011-01-10 20:44:00 2042
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