NAND Flash虚拟层设计概述

已于 2024-09-30 18:26:05 修改
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分类专栏： NAND Flash虚拟层研究 文章标签： 开发语言 c 驱动开发
于 2024-09-30 18:24:18 首次发布
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        NAND Flash虚拟层的建立需要对NAND Flash虚拟层进行初始化，根据相应的NAND Flash的物理结构参数建立逻辑结构，并建立索引表来管理逻辑虚拟层与物理虚拟层之间的联系；而在NAND Flash虚拟层运行过程中需要对NAND Flash虚拟层进行相应的垃圾回收、坏块管理和平滑处理操作，从而提高NAND Flash的性能和寿命，以下是对NAND Flash虚拟层的主要模块进行简要介绍：

初始化

       主要完成对NAND Flash虚拟层硬件初始化、扫描NAND Flash以获取其物理结构参数、NAND Flash虚拟层索引表的查找与建立、NAND Flash逻辑虚拟层初始化、NAND Flash虚拟层重要数据结构的初始化，例如索引表、缓存页等结构；

索引表机制

       在NAND Flash虚拟层中对于索引表的操作，主要包括在初始化过程中对于索引表的查找与重建的操作、在读写过程中对于如何获取与读写操作对应的块索引表与页索引表；

垃圾回收机制

       NAN

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[元带你学: eMMC协议 5] NAND flash和NOR flash详解
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05-19 5397
​Flash是一种非易失性（掉电数据不会消失）的存储器。在手机、平板中用做内部存储空间，用来存系统、应用、图片、视频等。 根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。许多业内人士也分不清NAND Flash 和 NOR Flash 的区别。 ​
【保姆级教程】“Flash闪存”介绍 及 “SD NAND Flash”产品的测试含例程
程龙的博客
09-03 1596
Flash是近些年应用最广、速度最快的只读存储器，原理是从 EEPROM 基础上改进发展来的，特点是擦除和编程速度快，因此得名为闪速（或闪烁）存储器，简称闪存。NOR Flash 和 NAND Flash 是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。
NAND FLASH 原理
jiajinkui1988的专栏
08-27 1692
NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再 次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。
[SSD NAND 4.2] Flash 原理 | NOR Flash 和 NAND Flash 闪存详解
串起点滴
11-12 8626
智能手机有一个可用的存储空间（如苹果128G），电脑里有一个固态硬盘空间(如联想512G)， 这个空间是啥呢? 这个存储空间就是闪存设备（Flash Memory). Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。许多业内人士也分不清NAND Flash 和 NOR Flash 的区别.
NOR Flash与NAND Flash区别
MUYI的博客
05-15 416
NOR FLASH:NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NANDFLASH:Nand-flash内存是fl...
“Flash闪存”基础 及 “SD NAND Flash”产品的测试
Bit_Dong的博客
11-02 2338
FLASH闪存是属于内存器件的一种，“Flash”。闪存则是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。NAND 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的
汽车IVI中控OS Linux driver开发实操（十九）：Nand Flash驱动的实现
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nand flash从硬件连接上看，如下图，有专用接口，数据线有8或16根。Nand Flash按每个存储单元Cell内存储比特个数不同可分为 SLC（Single-Level Cell存储1个比特）、MLC（Multi-Level Cell存储2个比特） 、 TLC（Triple-Level Cell存储3个比特）、QLC（Quad-Level Cell存储4个比特）四大类，比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但成本更低。
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