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华邦:串口NAND Flash完胜串口NOR
华邦电子闪存产品企划经理黄信伟(Wilson)分享了“专为车用存储需求的高速低成本串口NAND方案”。他指出,摩尔定律可能在未来几年内被终结掉,如果套用在存储器领域,也是有这个趋势。1986年Intel发明了第一颗1.5μm的NOR Flash,到2008年演进到45nm的Flash,然而再往后,没有进一步地微缩。
NOR Flash是一种比较可靠的存储器解决方案,适合存小容量代码。NAND Flash在传统上被视为不那么完美,需要进行管理。目前所有的电子产品越来越复杂和强大,NOR需要更大容量的存储,但是它的工艺不会再微缩,所以大容量的成本高。而NAND工艺会持续微缩,从之前的40几nm到30几、20几、10几nm都已量产。因此在大容量存储上,NAND Flash成为主流选择,在可靠性上也可以和NOR比拼。
黄经理从成本考虑、质量角度、读取速度和写入速度几个方面,对串口NAND和串口NOR进行了比较,并解释了“串口NAND需要额外控制器做坏块管理或ECC吗?”的问题。
从成本上看,NOR先天上比NAND大一倍,相同容量上成本比NAND贵。
从质量上看,在半导体存储器里,保存的电子数越多,数据保存越久。华邦46nm的SLC NAND在擦写1000次后,在85℃下可以保存10年,和传统的NOR性能可比。
从功能上看,首先是读取速度。拿自家产品作对比,华邦的STR NOR时脉可以到133MHz,DTR可到80MHz,整体读取速度可达到80MB/s。市面上一般的NAND,时脉只能达到104MHz,达不到前者的速度,但是华邦电子发布了一款全新的串口NAND,其STR NOR时脉可以到166MHz,DTR可以到83MHz,整体读取速度可达到83MB/s。这对于车载应用非常快了,从使用者体验来看,是款非常不错的解决方案。
那这是怎么实现的?华邦独有的读取功能,可以让数据一直读取,而省掉了中间的读取命令。市面上没有这个功能的串口NAND,读取速度只能达20MB/s;并口NAND(可以16个IO并行操作)的速度会快点,但也不超过30MB/s。华邦第一代串口NAND在时脉速度在104MHz的时候可以达到52MB/s。还不够用?华邦又有开发了第二代全新的专为高速而生的产品,速度达83MB/s,可以给用户两种选择。83MB/s如果还不够用,华邦还提供了一种创新解决方案,即将两个83MB/s放在同一个封装上,就可以达到2*83MB/s=166MB/s。
然后是写入速度,串口NAND比串口NOR高很多,写入快至少10倍,擦除快至少100倍。更直观的来看,同样写1Gb数据,NOR大约需400s,NAND耗时只有一点点。串口NAND在写入速度上具有非常大的优势,可节省PCB烧录时间(提高生产线效率)和实现快速在线更新。
串口NAND(被视为不完美的传感器)需要额外的控制器去做坏块管理或ECC吗?请见下图。
最后他强调说,华邦的车规产品在出厂的时候是零坏块出厂,不会麻烦客户去处理坏块管理的问题。16nm是种稳定的工艺,在几千次的擦写状况下,不需要做坏块管理。