华邦：串口NAND Flash完胜串口NOR

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华邦：串口NAND Flash完胜串口NOR

华邦电子闪存产品企划经理黄信伟（Wilson）分享了“专为车用存储需求的高速低成本串口NAND方案”。他指出，摩尔定律可能在未来几年内被终结掉，如果套用在存储器领域，也是有这个趋势。1986年Intel发明了第一颗1.5μm的NOR Flash，到2008年演进到45nm的Flash，然而再往后，没有进一步地微缩。

NOR Flash是一种比较可靠的存储器解决方案，适合存小容量代码。NAND Flash在传统上被视为不那么完美，需要进行管理。目前所有的电子产品越来越复杂和强大，NOR需要更大容量的存储，但是它的工艺不会再微缩，所以大容量的成本高。而NAND工艺会持续微缩，从之前的40几nm到30几、20几、10几nm都已量产。因此在大容量存储上，NAND Flash成为主流选择，在可靠性上也可以和NOR比拼。

黄经理从成本考虑、质量角度、读取速度和写入速度几个方面，对串口NAND和串口NOR进行了比较，并解释了“串口NAND需要额外控制器做坏块管理或ECC吗？”的问题。

从成本上看，NOR先天上比NAND大一倍，相同容量上成本比NAND贵。

从质量上看，在半导体存储器里，保存的电子数越多，数据保存越久。华邦46nm的SLC NAND在擦写1000次后，在85℃下可以保存10年，和传统的NOR性能可比。

从功能上看，首先是读取速度。拿自家产品作对比，华邦的STR NOR时脉可以到133MHz，DTR可到80MHz，整体读取速度可达到80MB/s。市面上一般的NAND，时脉只能达到104MHz，达不到前者的速度，但是华邦电子发布了一款全新的串口NAND，其STR NOR时脉可以到166MHz，DTR可以到83MHz，整体读取速度可达到83MB/s。这对于车载应用非常快了，从使用者体验来看，是款非常不错的解决方案。

那这是怎么实现的？华邦独有的读取功能，可以让数据一直读取，而省掉了中间的读取命令。市面上没有这个功能的串口NAND，读取速度只能达20MB/s；并口NAND（可以16个IO并行操作）的速度会快点，但也不超过30MB/s。华邦第一代串口NAND在时脉速度在104MHz的时候可以达到52MB/s。还不够用？华邦又有开发了第二代全新的专为高速而生的产品，速度达83MB/s，可以给用户两种选择。83MB/s如果还不够用，华邦还提供了一种创新解决方案，即将两个83MB/s放在同一个封装上，就可以达到2*83MB/s=166MB/s。

然后是写入速度，串口NAND比串口NOR高很多，写入快至少10倍，擦除快至少100倍。更直观的来看，同样写1Gb数据，NOR大约需400s，NAND耗时只有一点点。串口NAND在写入速度上具有非常大的优势，可节省PCB烧录时间（提高生产线效率）和实现快速在线更新。

串口NAND（被视为不完美的传感器）需要额外的控制器去做坏块管理或ECC吗？请见下图。

最后他强调说，华邦的车规产品在出厂的时候是零坏块出厂，不会麻烦客户去处理坏块管理的问题。16nm是种稳定的工艺，在几千次的擦写状况下，不需要做坏块管理。