Pmos管+电池二串(40V)

  昨天,前天都在想怎样解决PMOS管的问题, PMS的管 子源极是电源P+, 然后再接上一个P+,加上3M电阻和1M电阻,电想电阻应该会降到地时只有10V.而拉到高电平时会到p+.所以就用到这个方法,

但结果却不是这样的,拉到最高CO输出也是P+时, 发现低端管子PMOS管输出会有18.2左右, 而B5第一组输出却是19.94V ,接近20V.  高端管子G极38.5V,  而B10(p+)输出39.8V.    然后就万用表量发现断开不接通时, 然后用万用表量输出也是18.2.   第二组38.5 ,电阻减小输出还会变化.会弯小.  (我想应该是电势高到电势低会产生压降) , 所以

================PMOS管放大图纸后,这里加了一个电阻=======================

=================改成只连压降底的===================

//=============PMOS管改成只接地,测试结果关不了,原因是栅极输出高电平B5时, 然后分压,分压到栅极后VGS有压差,MOS管开关打开了,所以MOS管没有正常关闭.==================

//======PMOS管改成1051芯片输出只走栅极,去掉接地, 但是栅极VGS -20V的耐压, 耐压只能改高耐压的mos管或都高边\低边.把电压改低一些.

//============电压改低一些.加入R55和R54电阻==========================

//=============改电阻两边要配置,改为直接加二极管+电压,加入D5 和D6========================

//=============测试加入二极管的结果,断线时,由于中间的电阻为1M+1M,所以断线 后1051输出低电平后测量二极管后为:24.82V的电压,后面的MOS电平为低,依然导通,所以这个方案还是不行.=======================

//==============最后用以下方式,只有用电阻降压的方法,Vgs电压大于20V时,可能会击穿的风险,测试中,没有发现问题.=======================================================