STT-MRAM辐射软错误跨层分析

自旋转移矩磁阻随机存取存储器的辐射诱导软错误分析：一种从器件到电路的方法

摘要

自旋转移矩磁随机存取存储器（STT‐MRAM）由于其可扩展性、非易失性、高密度、耐久性和高速等众多优势，成为一种极具前景的新型存储技术。然而，由于辐射撞击访问晶体管可能引发1T1MTJ单元的潜在写入和读取失效，STT‐MRAM的可靠性受到环境干扰的严重影响。本文提出了一种综合方法，从器件建模到电路级分析，全面评估辐射引起的软错误。首先基于3D MOS晶体管建模进行仿真，以捕捉辐射引起的瞬态电流脉冲；然后建立磁隧道结（MTJ）的紧凑开关模型，用于分析STT‐MRAM写入失效的各种机制。对1T1MTJ的失效概率（POF）进行表征，并构建成查找表（LUTs）。该方法使设计人员能够考虑辐射强度、写入电流幅值和持续时间等因素对STT‐MRAM存储器阵列软错误率（SER）的影响。同时，针对随机辐射效应和晶体管工艺变化，对完整的写入和读出电路进行评估，以进行误码率（BER）分析，这对于实际STT‐MRAM读取和感知电路的性能优化至关重要。

索引术语

软错误，STT‐MRAM，磁隧道结 (MTJ)，辐射。

一、引言

新兴非易失性存储器（NVM）技术的研究近期取得了进展，引起了电路设计和体系结构领域越来越多的关注。作为未来通用存储器技术的一个有前景的候选者，自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT‐MRAM）兼具高单元密度、纳秒级访问速度和非易失性[1]的优点。与基于电荷存储机制的传统存储器技术相比，磁存储机制使得STT‐MRAM由于对辐射的内在抗性，其技术可扩展性和对辐射引起的软错误的免疫力更优，因为其存储基于电子自旋方向而非电荷。STT‐MRAM的应用已在嵌入式存储器和可重构系统等领域成功实现。

磁性隧道结（MTJ）的物理结构如图1(a)所示，包括一个氧化物势垒层（例如MgO）和两个铁磁层[1]。MTJ电阻由这两个铁磁层的相对磁化方向决定，其中平行磁化表现为低阻态，反平行磁化表现为高阻态。通常，其中一个铁磁层的磁化方向通过与钉扎磁化层耦合而被固定，并定义为参考层；另一个铁磁层的磁化方向可通过施加极化切换电流来改变，并定义为自由层。当切换电流从参考层流向自由层时，MTJ切换至高阻态；当切换电流沿相反方向流过MTJ时，MTJ则切换至低阻态。MTJ切换时间直接受MTJ切换电流的幅度影响：增大MTJ切换电流会导致MTJ切换时间减少。除了连接MTJ的MOS晶体管的驱动能力变化外，热波动对MTJ切换性能的影响也日益显著。已有大量研究分析了各种变化因素对STT‐MRAM操作可靠性的影响[4]。Sumllen等人开发了一种热噪声模型，用于评估切换过程中的热波动MTJ电阻切换过程[5]。Joshi等人对CMOS/MTJ器件变异和热波动的综合影响进行了定量统计分析[6]。然而，这些研究要么未构建完整的模型来表征所有类型的变异及其相互作用，要么需要使用复杂的宏观磁性和SPICE模型进行耗时的蒙特卡洛仿真。

图1(b)展示了流行的单晶体管单MTJ（1T1J）STT‐MRAM单元设计。在STT‐MRAM单元中，数据以磁隧道结（MTJ）器件的不同电阻状态存储，其中低电阻表示‘0’，高电阻表示‘1’。MTJ切换电流的极化由施加到位线（BL）和源线（SL）的电压控制。字线（WL）用于控制NMOS晶体管的栅极并选择STT‐MRAM单元。如写入和读取操作的时序图所示，在进行读取或写入操作时，通过将WL设为高电平使访问晶体管处于导通状态。在对MTJ进行写入时，BL和SL分别设置为高电平和低电平，此时有相对较大的电流流经MTJ和晶体管路径。在读取MTJ中存储的数据时，向该路径施加相对较小的电流，以检测节点BL处获得的电压。而在保持模式下，WL被设为低电平状态，以关断访问晶体管。

软错误是器件可靠性中需要考虑的一个重要因素，尤其是在航天电子设备中。在辐射效应下，当收集到足够的电荷时，以充电状态存储的数据可能发生翻转，导致功能或数据错误。对于STT‐MRAM而言，其磁性数据存储机制使得数据写入MTJ后对辐射引起的软错误具有较强的抗干扰能力。然而，MTJ的切换电流由相连的NMOS晶体管提供。如果在STT‐MRAM写入操作期间，NMOS晶体管发生软错误，则会在MTJ切换电流上产生干扰，从而影响写入过程。为了准确描述辐射条件下MTJ的切换行为，必须同时对MTJ磁化切换和CMOS驱动强度的瞬态过程进行仿真。但是，混合型1T1MTJ单元中采用的访问晶体管仍可能受到辐射粒子的影响，在MTJ切换过程中引发潜在的威胁性干扰。STT‐MRAM的可靠性不仅受到复杂环境中辐射粒子的影响，还受到操作过程中的内在随机性（如热波动[7]）的影响。为了表征辐射对外围晶体管所导致的失效机制，本文首先从MTJ宏观磁性建模推导出发，建立了一个紧凑型MTJ切换模型。该模型可高效地仿真MTJ的统计电学特性，即电阻变化、切换瞬态和切换时间，并最小化运行时间开销。实验结果表明，该模型能够准确模拟由器件变异和/或热波动，或在STT‐MRAM设计中MTJ切换过程期间的间歇性切换电流干扰所引起的写入操作错误。

由于辐射引起的软错误是一种常见威胁，针对电荷器件的可靠性，基于所提出的MTJ切换模型，进行了全面的跨层分析。尽管MTJ的本征磁性存储特性对辐射具有免疫性，但MTJ的切换电流由MOS晶体管提供，而MOS晶体管仍面临辐射风险：写入操作期间，若MOS晶体管发生软错误，将导致MTJ切换电流受到干扰。此类干扰会改变MTJ的自旋扭矩诱导磁化翻转过程，从而引起写入操作的延迟甚至失效。然而，这一情况在许多关于STT‐MRAM分析与设计的研究中被忽视。尽管已有若干抗辐射存储器/电路设计技术被研究以提升[8][9][10][11][12]中的可靠性，但仍亟需一个系统性的跨层软错误分析框架来提供合理的参考依据。在本研究中，我们还利用所提出的模型，全面分析了辐射对STT‐MRAM鲁棒性的影响，例如NMOS晶体管上发生的软错误。为增强STT‐MRAM单元写入操作的鲁棒性，本文提出了一种从器件建模到电路层级的完整软错误分析流程。首先，通过蒙特卡洛模拟粒子相互作用，并将生成的电子‐空穴对转换为瞬态电流脉冲，获得辐射诱导的瞬态电流脉冲。该感应电流脉冲可存储为查找表（LUT）或近似为双指数函数。随后，将该感应电流施加于1T1MTJ单元，结合MTJ切换变化，计算其失效概率（POF）。为此，采用基于LLG方程的建模方法进行仿真，以准确捕捉动态磁化行为。1T1MTJ单元的POF被表征并存储为POF查找表，进而通过蒙特卡洛仿真计算存储器阵列的单粒子翻转（SEU）率。

二、软错误分析流程

尽管磁隧道结结构在新兴的自旋转移矩磁阻随机存取存储器中对辐射效应不敏感，但入射粒子仍可能影响1T1MTJ存储单元布局中的部分晶体管，导致这些晶体管内部产生电子‐空穴对。受影响晶体管内部产生的电子‐空穴对将引发寄生瞬态电流脉冲，最终可能干扰磁性隧道结翻转操作。

全面的跨层软错误分析对于高可靠性STT‐MRAM设计与优化至关重要。在传统的SRAM软错误分析中，设计人员关注的是存储的数据可能由于辐射撞击敏感晶体管而意外丢失。然而，STT‐MRAM中由辐射撞击引起的软错误主要集中在MTJ切换过程中的动态磁化。目前在电路与逻辑仿真中普遍采用MTJ的近似电阻‐电压模型[13]。然而，这些紧凑模型在辐射诱导写入失效分析方面存在潜在局限性，因为他们无法捕捉动态MTJ行为。我们选择1T1MTJ单元作为中间层，以表征其在物理器件层级与存储器阵列电路层级之间的软错误特性。

整体分析流程如图2所示，包含三个层级：器件级、1T1MTJ单元级和存储器阵列级。在器件级，主要任务是建模访问晶体管在粒子撞击下产生的辐射感应瞬态电流脉冲。通过在与粒子撞击相互作用的器件上执行蒙特卡洛仿真获得辐射感应瞬态电流脉冲，并将生成的电子‐空穴对转换为瞬态电流脉冲。该感应电流脉冲被近似为双指数函数[14]，并构建为查找表（LUT）形式，以便更高级别的仿真方便调用。在1T1MTJ单元级，主要任务是利用基于物理的切换模型，捕捉辐射感应电流影响下的磁隧道结翻转失效。1T1MTJ单元的写入失败特性也针对不同的参数配置构建为查找表（LUT）。在存储器阵列级，我们执行大量蒙特卡洛仿真，基于辐射感应电流查找表和1T1MTJ单元写入失败查找表来估算其单事件发生率。在每次蒙特卡洛仿真中，生成一个随机粒子，并通过考虑存储器布局（每个单元的位置）确定敏感的访问晶体管。然后根据指定的辐射强度、写入电流幅值和持续时间，通过查询查找表获得它们的失效结果。辐射诱导电流建模是在第四节中进行了讨论。1T1MTJ单元和存储器阵列的软错误表征分别在第五节和第六节中描述。

三、紧凑型磁隧道结开关模型

在本节中，我们将阐述基于MTJ宏观磁性建模推导出的、考虑热和工艺变化的紧凑型MTJ切换模型的开发过程。

由于参考层的磁化方向是固定的，磁隧道结（MTJ）中的磁化翻转过程可以通过自由层⃗磁化 Mf的方向变化来描述。通常假设磁化的大小保持恒定，其运动由一个⃗单位方向矢量 m⃗f= Mf Ms 表示，其中 Ms为饱和磁化强度。在任意时刻，矢量 m⃗f与 ⃗ez轴形成夹角 θ ，而 m⃗f所在的平面与 ⃗ex轴形成夹角 φ ，如图3所示。换句话说，m⃗f的运动可以唯一地由坐标(θ, φ)描述。m⃗f所经历的能量景观包括单轴各向异性、易面各向异性、外加磁场和朗之万随机场力矩。

在写入‘1’的STT‐MRAM操作期间，自旋电流沿 −⃗ex方向注入到小磁体中。我们假设自旋极化因子为 η。自旋方向位于 ⃗ey−⃗ez平面内，与 ⃗ez轴成 ϕ角。此处我们忽略电流产生的磁场，假设在小磁体中自旋电流效应占主导地位，这是STT‐MRAM单元中MTJ的正常工作条件。m⃗f的势能为 U1(θ, φ) = UK+ Up。其中 UK= Ksin2θ是单轴各向异性能量，K=1 2 m⃗fHk，Hk是斯通纳‐沃尔夫哈特切换场。Up是 ⃗ey −⃗ez平面内的易面各向异性，其法线方向为 ⃗ex轴。环境能量为 U2(θ, φ) =UH+ UL，其中UH是作用于⃗ey −⃗ez易面内的外加场，与易轴 ⃗ez成 ψ角。UL是与热波动相关的朗之万随机场。在能量景观[15]下，自由层中的 m⃗ f所受力矩可表示为

ΓU lm = −m⃗ f ×∇[U1(θ, φ)+ U2(θ, φ)]

其中 lm是自由层厚度。势能和环境能量引入了 m⃗ f 的四个分量。第一个是单轴各向异性

Γ1 l m K =(2 sinθ cosθ)[(sinφ)⃗ex −(cosφ)⃗ey]

其余三项均被归一化到单轴各向异性项。第二项的归一化形式为易面各向异性

Γ 2 l m K = −2h p[(cosθ sinθ cosφ)⃗ey −(cosφ sinφsin 2 θ)⃗ez]

归一化的第三项是施加的磁场

Γ 3 l m K = 2h (sinφ cosψ sinθ − cosθ sinψ)⃗ex −(cosφ cosψ sinθ)⃗ey +(cosφ sinθ sinψ)⃗ez

归一化的第四项是朗之万随机场[16]：

Γ4 lm K =(hL,z sinθ sinφ − hL,y cosθ)⃗ex +(hL,x cosθ − hL,z sinθ cosφ)⃗ey +(hL,y sinθ cosφ − hL,x sinθ sinφ)⃗ez

自旋电流产生的力矩可以用矢量形式表示为

Γ5= sm⃗f ×(m⃗s × m⃗f)

其中 s=~ 2eηJ是单位时间角动量沉积[15]。这里~是普朗克常数，e是元电荷。入射电流的自旋方向位于 ⃗ey−⃗ez平面内，并与轴 ⃗ez成角度 ϕ。m⃗s是一个单位矢量，其方向为电流的初始自旋方向。类似于 m⃗f的分量，归一化转矩可以表示为

Γ5 lm K = 2hs  −(sinθ cosφ)(sinθ sinφ sinϕ+ cosθ cosϕ)⃗ex +[ cosθ(sinϕ cosθ − cosϕ sinθ sinφ) +sin2θcos2φ sinϕ ]⃗ey +[sinθ(sinθ cosϕ − sinφ sinϕ cosθ)]⃗ez 

m⃗ f的动态特性可以通过朗道‐利夫希茨‐吉尔伯特（LLG）方程进行模拟

dm⃗ f dt + α(m⃗f × dm⃗ f dt)= 1 2 Ωk 5 ∑ i=1( Γi lmK)

其中 α 是吉尔伯特阻尼常数[17][18]。通过引入新的时间单位 τ= Ω K t 1+α 2 ，我们得到坐标 (θ, φ) 的常微分方程，用于描述磁化矢量的运动。

[ θ′ φ ′]= 5 ∑ i=1[ θ′ i φ ′ i] (1)

其中单轴各向异性项表示为

[ θ ′ 1 φ ′ 1]= −[ α sinθ cosθ cosθ] (2)

易面各向异性项表示为

[ θ ′ 2 φ ′ 2]= −h p (sinφ+ α cosθ cosφ) sinθ cosφ (cosφ cosθ − α sinφ) cosφ

表I 磁隧道结模型中包含的参数和电压变量。

参数	描述	默认值
hp	易面各向异性场	180
hL	朗之万随机场	高斯噪声
h	外加磁场	0
hs	有效自旋电流	100 µA
Hk	单轴各向异性场	100 Oe
α	吉尔伯特阻尼常数	0.01
Ms	饱和磁化强度	1432 emu/cm3
η	自旋极化因子	0.1
lm	自由层厚度	2 nm
Jc	临界阈值电流密度	9.4 × 105 A/cm2
Ic	临界电流 (45nm × 90nm)	30 µA

外加场项表示为

[ θ′ 3 φ′ 3] = −h  cosφ sinψ+ α(sinθ cosψ − cosθ sinφ sinψ) ((sinθ cosψ − cosθ sinφ sinψ) −α cosφ sinψ )/ sinθ  (4)

朗之万随机场项被表示为

[ θ′ 4 φ′ 4] =  α(hL,z sinθ − cosθ(hL,x cosφ+ hL,y sinφ)) +(hL,y cosφ − hL,x sinφ) ( α(hL,x sinφ − hL,y cosφ)+ hL,z sinθ −cosθ(hL,x cosφ+ hL,y sinφ) )/ sinθ  (5)

有效自旋转矩项表示为

[ θ′ 5 φ′ 5] = −hs  sinϕ(α cosφ+ sinφ cosθ)− cosϕ sinθ ((sinϕ(cosφ − α sinφ cosθ))/ sinθ +α cosϕ )  (6)

通过合并方程(1)-(6)，我们得到了一个仅包含两个常微分方程的解析模型，用于模拟磁隧道结随时间变化的动态磁化过程。如前所述，m⃗ f 的四个分量和自旋转矩项均通过 Stoner‐Wohlfarth 单轴各向异性场 Hk 进行归一化。例如，用于模拟薄膜退磁化场[19][20], 的易面各向异性场 h p 定义为

h p = 4πM s H k

在我们的模型中，外加磁场项 h被假设为零。作为磁隧道结翻转中热噪声的表示项，朗之万随机场受环境温度和器件几何尺寸的影响，如[5]所示：

h L,i =√ 2αk B T γM s V X i(t)(i= x, y, z)

其中 T是环境温度，V是自由层的几何体积，α是阻尼常数，γ是旋磁比，kB是玻尔兹曼常数。Xi(t) 是在 x、y 和 z 轴方向上均值为零、单位方差的高斯随机噪声。归一化的有效自旋力矩 hs 表示为

hs= s lm M⃗fHk

所有参数的定义均总结于表I中，并为本研究中的实验配置提供了默认值。

θ的值决定了切换过程中MTJ电阻RMT J的瞬态特性，如[15]所示：

RMT J(t)= R0 1+ p2 cosθ(t)

其中，R0 是MTJ的原始电阻，p 是铁磁电极的有效自旋极化。常用隧穿磁阻比（TMR）与 p 之间的关系定义为

T MR= 2p2 1 −p2

磁隧道结的高（RH）和低（RL）电阻状态分别等于 R0 1−p2 和 R0 1+p2。

四、辐射诱导电流建模

在本节中，我们对高能粒子轰击MOSFET器件[21]所产生的电子‐空穴对引起的辐射感应电流进行建模。在源极区域与漏极区域之间已有电场的作用下，产生的电子和空穴向相反方向移动。这种运动产生电荷噪声，导致MTJ切换电流的随机瞬态，从而影响MTJ切换性能。本文中，MOS晶体管采用PTM低功耗 45 nm技术[22]实现，且假设MTJ为 45 nm×90 nm椭圆形。

A. 单粒子效应

单粒子效应（SEE）[23]是由电离粒子（如重离子、质子和中子）与电子元器件、电路和系统相互作用所引起的。受影响器件中截面的状态信号可通过入射粒子转移的能量来确定。通常用于衡量粒子沉积能量的指标是线性能量转移（LET）。如果一次相互作用事件的LET大于规定的阈值LET，则该粒子将产生可观测效应。如图4所示，单粒子效应事件中入射粒子释放的电荷通过所谓的漏斗机制被收集。大部分电荷通过结电势的变形在被击中的结处被吸收，其余电荷则在衬底中扩散并被收集[21]。

只有当产生的电荷被敏感节点收集时，粒子撞击才会引起电路扰动。一般来说，反偏p‐n结是最有可能收集电荷的候选结构。由此产生的较大耗尽区该区域具有强电场，因为 p侧的电势低于 n侧。对于静态RAM单元的辐射引起的软错误，包含反向p‐n结的晶体管对粒子撞击敏感。换句话说，存储单元中对辐射敏感的晶体管是处于关断状态的晶体管。当粒子撞击关态 MOSFET的漏极区域时，可能引发单粒子翻转（SEU）。由于释放的电荷在反偏的漏极p‐n结处被收集，被撞击节点的电压趋于下降，并将辐射感应电流转化为电压瞬变。该电流降低漏极节点的电势，如果漏极电势小于单元切换电压，则可能改变初始状态。关断的晶体管对粒子辐射敏感，是因为静态RAM单元中存储的数据在无读或写操作时必须保持锁定以维持数据。然而，由于STT‐MRAM单元具有非易失性，无需锁定存储的数据。因此，在无读写操作时，关断的访问晶体管对辐射不敏感。尽管1T1MTJ单元的访问晶体管在执行读写操作时处于导通状态，但其内部仍存在反偏p‐n结。如果该晶体管受到粒子撞击，仍会产生附加电流脉冲并注入到MTJ中，从而干扰其切换过程。

B. 瞬态电流响应

单粒子翻转取决于入射粒子的LET、入射角 θ（有效 LET= LET/ cos θ）以及被击中的结的电荷收集能力。离子化粒子在MTJ开关电流脉冲上产生的噪声形状由以下因素决定：NMOS晶体管p‐n结的精确几何结构、入射粒子的入射角以及晶体管掺杂分布等。通常，辐射感应脉冲在晶体管驱动电流上的形状可近似为双指数形状，如[14]所示：

I(t)= Qcoll τ α − τ β(e − t τ α − e − t τ β) (7)

其中 Qcoll表示敏感区域中节点收集的总电荷量。τα为收集时间常数，τβ为离子径迹建立时间常数。辐射注入电流 I(t)对晶体管的栅极和漏极电容进行充放电，在MTJ的开关电流或电压上产生瞬态干扰。在瞬态分析中，可采用斜坡近似方法来描述噪声波形。常用的方法是使用梯形或三角形波形来建模电气电压或电流输出端产生的噪声。

通常，通过针对不同入射角、载流子密度和漏源电压配置的三维MOS器件进行蒙特卡罗（MC）仿真，将粒子感应电流分布构建为查找表（LUTs）。可以利用 Geant4工具包[25]评估粒子撞击特定器件结构的影响，该工具包采用蒙特卡罗方法计算由于粒子撞击产生的电子‐空穴对数量，并将其构建成LUTs。获得实际的LUTs需要较长的运行时间。在本研究中，我们采用了电子‐空穴对生成的典型载流子密度值。基于电子‐空穴生成的粒子撞击LUTs，采用TCAD Atlas[26]工具对指定的MOS器件结构进行单粒子翻转仿真，以获取瞬态电流特性。图5展示了由TCAD Atlas模拟的三维NMOS器件在粒子垂直或斜入射、不同载流子密度 ρ以及从漏极区域到源极区域施加不同偏置电压 VDS时的辐射诱导瞬态电流分布。电流分布表明，由于生成的电子/空穴对数量较多，垂直入射的粒子导致更大的瞬态电流脉冲；载流子密度较高的器件产生更大的电流脉冲，而从漏极区域到源极区域的电压偏置有助于增大该瞬态电流的幅度。通常，瞬态电流分布用双指数模型表示，并构建成LUTs。收集电荷 Qcoll 取决于总在敏感节点处收集的电荷可以通过对撞击后流经敏感节点的电流进行积分来计算。随后，通过将电流曲线拟合到双指数模型，可以方便地确定漏斗形成时间和收集时间。所得的收集电荷及时间常数存储在查找表中，以便于访问。

五、单晶体管单磁隧道结单元软错误表征

对于每个位的写入或读取操作，需要施加电流通路通过磁隧道结（MTJ），但不同操作所需的电流大小显著不同。由于存储单元存在热和工艺变化，必须仔细考虑从位线（BL）到源线（SL）的电压偏置以及访问晶体管的尺寸，以确保操作正确性，并优化写入驱动器和读出电路设计[27]。然而，辐射效应仍可能在操作过程中引发潜在的软错误。可能的操作失效包括写入失效和读取失效。当粒子撞击访问晶体管时，可能导致磁性隧道结翻转受到干扰，且产生的切换延迟超过施加的持续时间，从而引起写入失效。读取失效通常包括判决失效和扰动失效。若读取获得的电压超出读出电路的感知裕度，则可能发生读取判决失效；而当流经MTJ的读取电流大于临界电流时，可能导致MTJ状态意外翻转，从而发生读取扰动。根据我们的实验观察，对于设计良好的读出电路，辐射诱发的读取扰动失效极难发生。因此，在本研究中仅评估写入失败和读取判决失效对1T1MTJ单元软错误分析的影响。以往的研究[9][10][12]主要关注读出电路模块中晶体管遭受粒子撞击时的辐射加固技术。然而，由于存储单元中访问晶体管的数量远多于读出电路模块中的晶体管数量，辐射诱导的单粒子翻转（SEU）更可能发生在存储单元的访问晶体管上。因此，本工作主要聚焦于粒子撞击存储单元访问晶体管所导致的软错误分析。

A. 写入失效

对于写入失效分析，我们首先讨论粒子轰击下单晶体管单磁隧道结的磁隧道结切换失效机制。然后评估基于物理LLG的切换模型，并根据实现的写入电路提供综合仿真结果。

1) 磁性隧道结翻转失效机制

图6(a)展示了1T1MTJ单元的截面及写入电流通路。对于写入‘1’操作（即自由层从平行态翻转至反平行态），在无离子辐射情况下的理想写入电流 I write 可表示为

I write = V dd R D S + R MT J

其中 V dd是电源电压，R D S 是漏极区域与源极区域之间的金属氧化物半导体沟道电阻

RMT J 是MTJ的电阻。在电离辐射事件发生时，高能离子通过后会形成具有亚微米半径和高载流子浓度的柱状轨迹电子‐空穴对。当生成的离子径迹穿过或接近耗尽区时，电场会快速收集载流子，从而在该节点产生电流/电压噪声。由于存在反偏p‐n结，源极区域对辐射非常敏感。如果粒子撞击源极区域，将引发一条从源极区域到衬底的电流通路，可视为一个临时导电通道，其电阻定义为 RSB。利用基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL），可得到流经MTJ的相应写入电流。

I′ write = V dd RDS+ RMT J(1+ R D S R S B)

因此，由于从源极区域流向衬底的临时导电通道中的感应电流 I SB，写入电流 I′ write 将会减小，即 I′ write ∝ R SB。临时导电通道的电阻 RSB 由辐射强度决定。辐射越强，通道电阻 RSB 越小，随之写入电流 I ′ write 也越小，这可能会导致严重的写入失效。

类似地，对于写入‘1’（表示自由层从反平行态翻转到平行态，如图6(b)所示），也会在漏极区域与衬底之间产生一个临时的辐射诱导通道，其电阻定义为RS B 。流经MTJ的相应写入电流

可以通过以下方式获得

I′ write= V dd RDS ∥ RSB+ RMT J

由于感应的 RSB与 RDS并联连接，写入电流变得更大。该结果将对写入‘0’操作有一定益处。然而，整体写入失效仍可能由写入‘1’状态时引入的写入错误决定。因此，在分析1T1MTJ存储单元的写入失效时，需考虑退化的写入电流。

2) MTJ开关模型验证

有两个主要因素决定了单次辐射对MOS电路可靠性的影响：到达时间以及辐射强度。图7展示了在不同辐射强度攻击下MTJ切换电流近似出现的负向扰动（即负向扰动）示例。图7中还显示了相应的MTJ电阻切换瞬态。随着辐射感应电流噪声幅度的增加，MTJ切换时间显著延迟。即使粒子撞击的持续时间远短于写入电流的持续时间，此类负向扰动仍可能导致MTJ的切换行为退化，即写入性能变差。毫无疑问，若粒子撞击产生的正向电流可能有助于切换过程，则会提升性能。然而，这种现象总是偶然发生，无法预测或利用来改善切换性能。因此，在评估写入性能退化时，更倾向于考虑负向扰动。此外，辐射感应电流的到达时间也会影响切换时间，在表征过程中应予以考虑。

显然，只有当产生的电流噪声位于MTJ的切换窗口内时，辐射才会影响1T1MTJ单元。切换窗口定义为磁化阻尼开始到结束之间的时间段。磁化角度 θ表示 MTJ的状态，该状态从 0◦翻转到 180◦。如图8所示，随着辐射到达时间的变化，MTJ切换时间也会变化。如果辐射发生在MTJ切换窗口的中间阶段，当攻击时间接近延迟的磁隧道结翻转结束时，整体MTJ切换时间会缓慢增加。这一结果是预期之中的，因为在MTJ切换完成之前，磁化状态是由累积场效应决定的，其中自旋电流感应转矩在驱动磁化进入另一个稳态过程中起主要作用。此过程的中断或干扰将导致MTJ切换时间的延迟。然而，如果攻击发生在MTJ切换结束前后或之后，则原始的MTJ切换时间不会受到影响。

如图8所示，在此情况下，MTJ切换时间恢复到其正常水平。此外，MTJ切换电流的增加导致切换过程更短，从而最小化了粒子轰击的影响。与MTJ由较低切换电流驱动的情况相比，自旋电流感应转矩上的噪声对MTJ切换时间的影响相对较小（延迟较短）。对于最小的施加写入电流 50 µA，辐射引起的切换时间延迟更为显著，并且在 7.5 ns时仍未恢复到正常水平。如果写入持续时间定义为 从 3 ns到 7.5 ns，则会发生写入失效。

3) 写入失效评估

为了评估粒子撞击对1T1MTJ单元的实际影响，设计了一个写电路来驱动存储器数据单元，如图9所示。写入使能（WE）输入在读取操作时为高电平，而在写入操作时为低电平。通过使用字线（WL）选择该位单元，WE和WL的高电平状态由与门决定，以导通1T1MTJ单元的访问晶体管。该写电路采用两级反相器驱动每个位单元的位线（BL）和源线（SL）端子，从而在MTJ中形成电流通路。端子

位线和源线分别被驱动为低电平和高电平，以将磁隧道结写入反平行态，或分别被驱动为高电平和低电平以写入平行态。由于从平行态写入反平行态的速度通常慢于从反平行态写入平行态[28],，因此可以增大平行态到反平行态写入电流通路中的晶体管宽度，或通过额外并联MOS来增强写入电流，并进一步消除这种非对称行为。

如第四节所述，粒子撞击通常被建模为辐射感应电流脉冲来进行评估。然而，简单地在电路节点上添加一个电流源无法准确反映辐射效应的行为。因为通路电流的变化只能通过敏感区域与衬底之间由辐射产生的临时沟道来捕捉，该临时沟道会影响总的有效沟道电阻，进而表现为写入电流的变化。如图9所示，辐射引起的临时沟道被建模为一个晶体管，该晶体管与访问晶体管并联并接地，且由最终施加的电压Rad控制。如果辐射发生在访问晶体管的敏感区域，则通过驱动输入电压Rad使临时NMOS进入导通状态，从而改变通路电阻并相应地调整写入电流。在这种沟道电阻调制效应下，MTJ上的总写入电流是通过访问晶体管的电流和通过临时NMOS的漏电流之和。

本文采用SPINLIB[29]中的STT‐PMA（垂直磁各向异性）MTJ紧凑模型进行写入和读取仿真。如图10所示的仿真结果，Data是待写入MTJ的输入信号，其中高电阻的反平行态表示

存储一位逻辑‘1’，低电阻的平行态相应地表示存储一位逻辑‘0’。通过将Enable设置为高电平，位线BL和源线SL被预充电，从而产生流经MTJ的电流，其方向由输入的Data值决定。一旦写入电流大于临界电流，MTJ的状态将被成功翻转。磁隧道结（MTJ）将切换至表示输入数据值的状态。如图10所示，逻辑‘1’被写入两次，其切换延迟约为5.59 ns。在11 ns处写入逻辑‘0’时，完成切换过程大约需要3.2 ns。然而，在第二次写入逻辑‘0’期间，粒子撞击了访问晶体管，其切换时间约为6.1 ns，原因是写入电流受到辐射诱导电流路径的影响而降低。辐射感应电流约为187 µA，持续时间约为4 ns。如果施加的写入持续时间小于6.1 ns，则会发生写入失效。

B. 读取失败

在读取失效分析中，我们首先演示了粒子轰击下单晶体管单磁隧道结的读取判决失效机制，然后对实际的感知电路进行评估。

1) 判决失效机制

1T1MTJ单元的截面及感知电流路径如图11所示。为了读取存储在磁隧道结中的一个比特数据，会向1T1MTJ施加一个小电流。1T1MTJ上的电压降被感知出来后，通过精心设计的传感放大器与参考电压进行比较，以确定磁隧道结的电阻状态。对于理想读取操作，感知出的电压可以通过

Vsens = I read(RDS + RMT J)

如果在对MTJ进行读取操作时，访问晶体管受到辐射冲击，则会在漏极区域与衬底之间产生一个临时导电通道。由于有附加电流流经该临时导电通道，感应输出电压可能会受到这种意外变化的影响。根据等效电路图，待感应输出的电压 V ′ sens 可以得到

V ′ sens = I read(RDS ∥ RDB + R MT J)

感应产生的临时漏源电阻 RDB 与 RDS 并联连接，可视为沟道效应的调制效应。该效应最终可能导致感应输出电压发生偏移，进而引起潜在的读取判决失效。

假设施加的读取电流 Iread理想地保持在恒定水平，高低感应电压裕度通常定义为从 Iread(RDS+ RAP)到 Iread(RDS+ RP)，而参考电压定义为该裕度的中间值。在沟道电阻调制效应下，其电压感应裕度从Iread(RDS ∥ RDB+ RAP)到 Iread(RDS ∥ RDB+ RP)。因此，由于电阻 RDB的存在，原始感应裕度向下偏移。

对于典型实现，MTJ电阻在2KΩ到6 KΩ之间变化，MOS沟道电阻约为30 KΩ（在PTM低功耗模型[22]中，当VDS大于0.5 V时NMOS管处于饱和区）。辐射调制的瞬态沟道电阻由粒子强度决定，并随时间变化。在典型应用中，我们假设其与MOS沟道电阻相同，为30 KΩ。在施加30 µA且无辐射撞击的情况下读取MTJ时，其感知裕度为960 mV至1080 mV，参考电平设为1020 mV。在辐射效应下，感知裕度为510 mV至620 mV。在读取高阻态时，感应输出电压最终小于620 mV，而MTJ电阻状态将被判定为低，从而导致读取失效。

2) 决策失效评估

在本研究中，采用了一种传统的感应放大器用于1T1MTJ的读取操作，如图12所示，该放大器由一个双支路读出电路、一个带有动态锁存比较器的电压感应放大器[31],以及一个用于数字输出的D触发器组成。读出电路包含用于1T1MTJ数据单元的数据支路和用于1T1MTJ参考单元的参考生成支路。每个支路由负载 PMOS、读使能NMOS和钳位NMOS构成。负载PMOS的源极直接连接到电源电压。通过将RE置为高电平来导通读使能NMOS，以使能读取操作。钳位NMOS施加适当的偏置电压，以确保低电流检测，从而防止潜在的读取扰动。成对单元的访问晶体管共享同一条字线。MTJ电阻状态

参考单元的阻值通常设置在RP和RAP之间，以便正确识别数据单元的反平行态和平行态。由于数据路径电阻与参考路径电阻之间存在差异，数据电流Idata和参考电流Iref之间会产生电流差。由于负载PMOS连接至Vdd，该电流差被转换为Vdata和Vref之间的电压差。SA由一个时钟使能的动态锁存电压比较器实现[31]。在输入时钟信号Vclk的每个上升沿，SA对电压差进行比较，并将互补结果锁存为OutP和OutN。最后，如有需要，在Dclk的每个上升沿，比较结果OutP由D触发器锁存并输出。

如果粒子撞击访问晶体管，感应电流仍被建模为一个与访问晶体管并联并接地的瞬态晶体管，该瞬态晶体管由施加的电压Rad控制，如图12所示。当辐射发生在访问晶体管的敏感区域时，通过将输入电压Rad设为高电平来导通瞬态NMOS。随后，由于引入了瞬态NMOS通路，数据单元的通路电阻降低，并且通过该通路产生瞬态电流Irad。在这种沟道电阻调制效应下，数据单元的读出电流Idata是流经访问晶体管的电流与流经瞬态NMOS漏电流之和。

在读取处于MTJ平行态（P state）的数据单元‘0’时，由于其低电阻值，Vdata应小于Vref。辐射感应电流可增强两个支路之间的电流差，从而使产生的电压差增大，使得操作可正确完成。但在读取处于反平行态（AP state）的数据单元‘1’时，由于其高电阻值，Vdata应大于Vref。在辐射效应下，由于数据单元通路电阻的瞬时退化，Idata将增大。因此，负载PMOS上的电压降将增大，而Vdata变小。特别是当退化的Vdata不再

当感应输出电压比Vref更长或更大时，将导致错误的比较结果。综合仿真结果如图13所示，用于读取处于反平行态的MTJ的一个比特‘1’。Vclk和Dclk分别是电压比较器和输出D触发器的输入时钟。负载PMOS的偏置电压设置为Vload= 500 mV，钳位NMOS的偏置电压设置为Vclamp= 900 mV。数据单元分别从5 ns和25 ns开始进行两次读取。在第一次读取中，Vdata约为1055 mV，Vref约为1024 mV。比较结果OutP和OutN分别显示为高电平和低电平。在Dclk于10 ns处的上升沿之后，最终结果正确地显示为高电平，表明第一次读取按预期完成。在25 ns之后的第二次读取期间，从27 ns到31 ns发生了辐射诱发的单粒子翻转。不幸的是，Vclk和Dclk的上升沿在辐射持续时间内启动，以比较并锁存电压差。流经数据单元路径的电流Vdata退化至约962 mV，小于Vref。OutP和OutN的比较结果分别显示为相反的电平。最终读取的结果为‘0’，表明读出了错误的值，产生了读取失效。

C. 构建1T1MTJ单元的失效概率

我们首先构建单个1T1MTJ单元的辐射诱导失效概率（POF）。如上所述，含有反向p‐n结的晶体管对粒子撞击敏感。在读/写操作期间，1T1MTJ单元中的访问晶体管仅在处于导通状态时对辐射敏感。如果访问晶体管受到粒子撞击，则会产生寄生电流脉冲，这最终可能导致写/读操作发生变化。

瞬态电流脉冲形状对故障概率的影响也进行了评估，一些先前的结果[32]表明，故障概率对电流脉冲形状没有显著的敏感性。但相似的电荷会导致几乎相同的故障概率。因此，收集电荷量的变化也被作为构建故障概率的重要参数之一。1T1MTJ单元的失效概率是辐射感应电流脉冲幅度、入射到达时间、写入电流幅值和持续时间的函数。对于每一次特定的操作，失效概率是一个确定性二进制值，可能导致操作失效或不发生失效。事实上，入射到达时间事先未知，通常在每次操作期间随机生成。因此，通过针对可能的到达时间进行蒙特卡洛仿真来获得失效概率。这些1T1MTJ单元失效特性的故障概率被构建成针对不同入射幅度、写入电流幅值和持续时间的布尔查找表。对于磁性隧道结翻转失效，需执行大量蒙特卡洛仿真以获得延迟切换时间。如果延迟切换时间超过规定的持续时间，则会发生写入失效。

六、存储器阵列的软错误分析

在本节中，我们首先利用基于物理的MTJ切换模型展示分析流程和故障间隔时间（FIT）评估结果。然后对读取和感知电路的实际实现进行误码率（BER）分析评估。

A. 故障间隔时间（FIT）率估算

在本小节中，阐述了估算整个STT‐MRAM阵列单粒子翻转率（SER）的方法。由于一次粒子撞击可能同时影响多个1T1MTJ单元中的不同MOS晶体管，因此我们在评估单粒子翻转率时需考虑存储器阵列布局。为了估算粒子撞击引起的总体单粒子翻转率，我们提供了若干步骤，以获得简单存储器阵列中各个单元的故障概率（POFs），具体如下：

步骤1：生成一个具有随机方向和位置的随机粒子，并可根据晶体管在存储器布局中的位置确定被击中的晶体管。

步骤2：针对每个被击中的晶体管评估其单元操作模式，并确定处于写入操作状态的单元中的被击中晶体管为敏感晶体管。同时计算出相对辐射到达时间。

步骤3：对于每个敏感晶体管，从辐射感应电流瞬态电流波形的查找表中获取双指数模型的拟合参数。

步骤4：如下所示，根据单个1T1MTJ单元的故障概率计算STT‐MRAM阵列的总失效概率：

POFtot = 1 −∏ i (1 − POF(cell i))

其中，POF(cell i) 是单元 i 的失效概率，而POFtot是整个存储单元的总失效概率，表示至少有一个单元发生失效。

步骤5：对具有不同方向和到达时间的粒子，迭代执行上述步骤。通过对所有迭代次数进行平均，得到自旋转移矩磁阻随机存取存储器阵列的整体故障概率。

B. 使用物理模型的软错误验证

在本小节中，使用基于物理的MTJ切换模型展示仿真结果。NMOS晶体管通过Silvaco TCAD Atlas[26]进行仿真，以捕捉由于辐射撞击引起的瞬态电流响应，同时根据不同的撞击强度和角度构建相应的查找表（LUTs）。一个1T1MTJ单元的软错误失效概率（POF）通过紧凑型MTJ切换模型进行表征，考虑了不同辐射到达时间（1 ps时间步长）、写入电流幅值和持续时间的影响。在本实验中，我们假设粒子必定击中所研究存储器阵列的布局。通过在固定写入电流和持续时间条件下评估写入延迟来确定失效概率，即如果所需的写入延迟超过给定的持续时间，则判定为失效。在获得1T1MTJ单元的POF查找表后，执行一千万次迭代的蒙特卡洛仿真（MC simulations），以估算一个示例8 × 8 STT‐MRAM阵列的单粒子翻转率（SER）。需要注意的是，整个流程的运行时间约为数十小时。该阵列规模已足够大，可用于说明我们方法获取真实SEU比率的有效性，无需显式考虑更大的阵列。

所得的8×8 STT‐MRAM阵列在随机粒子撞击下的POFs（介于0.0和1.0之间）如图14所示，其中写入电流幅值从50 µA变化到100µA，持续时间从4 ns变化到9 ns。如图所示，降低写入电流幅值或缩短持续时间均会导致整体单粒子翻转率上升。该现象可通过施加电流带来的总能量引起的MTJ动态翻转行为加以解释。这表明，在自旋转移矩磁阻随机存取存储器的写电路设计中，应将单粒子翻转率作为权衡因素予以考虑。

C. 实际实现的评估结果

为了评估图9和图12所示的写入和读出电路，采用Cadence General 45 nm PDK[33]进行MOS晶体管实现。MTJ单元在SPINLIB[29]中使用PMA‐MTJ紧凑模型。PMA‐MTJ形状为40 nm × 40 nm，TMR= 150%，IC0 ≈ 60 µA和面积产品R.A= 5 Ω · µm2。为了评估工艺偏差对读取和感知可靠性性能的影响，对MOS晶体管和磁隧道结（MTJ）均进行了蒙特卡洛仿真。我们采用3σ最坏情况下的晶体管参数概率分布，包括Vth、沟道长度和宽度。对于磁隧道结（MTJ），采用了1.0%的偏差，包括IC0、TMR比值和R.A。

实际上，辐射诱导的单粒子翻转（SEU）最可能发生在存储器阵列的访问晶体管上，因为访问晶体管的数量远大于写入驱动器和读出电路中的晶体管数量。因此，最终的存储器规模FIT分析未包含写入驱动器和读出电路的可靠性。为了建模辐射诱发的瞬态电流，在访问晶体管旁边并联一个连接到地的NMOS晶体管，并通过施加瞬态电压偏置来控制。在蒙特卡洛仿真中，Rad电压源被实现为VerilogA模型，用于生成随机的辐射到达时间和随机的辐射持续时间。辐射强度根据临时NMOS晶体管沟道宽度的变化随机生成。由于在随机理论中，到达事件通常被描述为泊松过程，因此事件的到达间隔满足指数分布。在我们的仿真中，采用指数分布模拟辐射到达时间，其他随机变量则采用正态分布。所有仿真均在Virtuoso ADE XL平台上使用Cadence Spectre和蒙特卡洛仿真进行，共进行1000个样本的仿真。

由于辐射诱导写入故障是通过指定的持续时间周期计算的，我们在图9中展示了写入1T1MTJ单元所需的切换时间。针对不同的MOS尺寸配置，在考虑随机辐射效应和工艺偏差的情况下，其仿真结果如图15所示。MOS沟道长度固定为45 nm，而宽度则因不同配置而异。末级反相器和访问晶体管的MOS沟道宽度分别表示为Finv和Facc，对应特定的指状数目（每个指状宽度为120 nm）。以下是五种MOS尺寸配置：

A: Finv= 2, Facc= 2
B: Finv= 2, Facc= 4
C: Finv= 2, Facc= 8
D: Finv= 4, Facc= 2
E: Finv= 4, Facc= 4
F: Finv= 4, Facc= 8

如图15所示，蓝色虚线Orig.表示未考虑工艺偏差时的写入性能。红色虚线表示均值µ和标准差σ，并同时绘制了对应的最大/最小值。实验结果表明，与增大访问晶体管尺寸相比，提升反相器的驱动能力对改善写入性能更为显著。同时，较小的MOS尺寸配置在切换时间上的变化具有更大的偏差。对于特定的写入持续时间，可根据切换时间分布获得写入失败情况。这些结果可用于在不同性能要求和特定约束下优化写电路设计。

为了分析图12中读出电路的读取判决失效，我们评估了偏置电压的影响

在MOS晶体管尺寸固定为典型值的情况下考虑工艺偏差。由于感知性能主要由负载PMOS和钳位NMOS的偏置电压决定，我们指定了它们上的几组偏置电压，以评估读取判决操作的误码率（BER）[34]。对于每一对指定的偏置电压，我们在工艺偏差和随机辐射撞击条件下进行蒙特卡洛仿真。仿真结果如图16所示，其中负载偏置电压Vload从0.4 mV变化到0.5 mV，钳位偏置电压Vclamp从0.7 mV变化到1.2 mV。注意到对于Vload = 0.4 mV，当Vclamp较大时，误码率增加；但对于Vload = 0.6 mV，当Vclamp较大时，误码率减小。此外，对于Vload = 0.5 mV，误码率随着Vclamp的变化并非单调递增或递减。这些观察表明，误码率的综合表现

在优化读出电路以提高读取性能时，必须评估这些特性。通常，在位线上施加较大的钳位电压Vclamp可以增大读出电流，从而改善感知裕度。然而，Vclamp不能设计得过大，以免引起潜在的读取扰动。仿真结果表明，辐射诱导的随机电流可能会进一步对偏置电压与感知性能之间的关系引入更复杂的影响。因此，我们可以将辐射诱导软错误分析集成到电路设计优化流程中。

七、结论与未来工作

在本研究中，我们提出了一种针对STT‐MRAM的辐射诱导软错误分析的综合框架。通过使用三维TCAD仿真器对粒子撞击器件进行仿真，以建模所产生的电流脉冲。利用我们开发的紧凑型MTJ切换模型，获得了MTJ的统计电学和磁学特性，即电阻切换瞬态和切换时间。基于1T1MTJ单元的软错误表征，设计人员可采用跨层建模与仿真方法，准确捕捉辐射效应对MTJ翻转的影响，并估算存储器阵列的潜在故障概率。同时，对STT‐MRAM实际写入和读出电路的全面评估结果表明，辐射诱导软错误在变异性容忍和无干扰的STT‐MRAM设计中将发挥重要作用。