长短期记忆(Long Short-Term Memory,LSTM)是一种在序列数据分析中广泛应用的循环神经网络(Recurrent Neural Network,RNN)架构。它通过引入门控机制,解决了传统RNN在长序列数据上面临的梯度消失和梯度爆炸的问题,从而能够更好地捕捉序列中的长期依赖关系。本文将详细介绍LSTM的理论原理,并提供相应的Python源代码示例。
LSTM的基本结构由一个细胞状态(cell state)和三个门控单元组成,这些门控单元分别是遗忘门(forget gate)、输入门(input gate)和输出门(output gate)。以下是LSTM的原理解释:
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遗忘门(Forget Gate):遗忘门控制着前一时刻细胞状态中的信息是否需要被遗忘。它接收前一时刻的隐藏状态(h_{t-1})和当前时刻的输入(x_t),通过一个Sigmoid激活函数产生一个0到1之间的值,表示需要遗忘的信息比例。公式如下:
f_t = σ(W_f · [h_{t-1}, x_t] + b_f) -
输入门(Input Gate):输入门决定了当前时刻有哪些新的信息需要被添加到细胞状态中。类似于遗忘门,输入