stm32f407VET6驱动W25Q16

参考博客：
https://blog.csdn.net/lwb450921/article/details/124695575
一.W25Q16简介

1.8个引脚


MISO脚是DO脚【W25Q16的spi发送脚】
MOSI脚是DI脚【W25Q16的spi接收脚】

1）.片选（/CS）引脚的介绍【高电平时，器件被取消选择】

作用：
SPI 片选 （/CS） 引脚启用和禁用器件操作。
如何使能/禁能：
当 /CS 为高电平时，器件被取消选择，串行数据输出（DO 或 IO0、IO1、IO2、IO3）引脚处于高阻抗状态。取消选择时设备会进入什么状态？
取消选择时，除非正在进行内部擦除、程序或状态寄存器周期，否则设备功耗将处于待机水平。当 /CS 降低时，将选择设备，功耗将增加到活动级别，并且可以向设备写入指令并从设备读取数据。
上电后怎么操作可以让设备进入工作状态？
上电后，/CS 必须先从高电平过渡到低电平，然后才能接受新指令。/CS 输入必须在上电时跟踪 VCC 电源电平（参见“写保护”和图 30）。如果需要，可以使用 /CS 上的上拉电阻器来实现此目的。

2）写保护（/WP）引脚【低电平进入写保护状态，弃用写保护（置为高电平）】

写保护 （/WP） 引脚可用于防止写入状态寄存器。与状态寄存器的块保护（SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0）位和状态寄存器保护 （SRP） 位结合使用，可以对部分或整个存储器阵列进行硬件保护。/WP 引脚处于低电平有效状态。

2.W25Q16的框图

从W25Q16的框图可以了解到，
W25Q16支持写保护，状态寄存器，解析SPI指令，和对于其自身寄存器的控制。

3.mcu和W25Q16通信时可以把mcu配置为全双工spi模式，方便收发；

4.假设mcu使用标准spi和W25Q16通信【这是spi基础知识可以不看】

W25Q80/16/32 可通过 SPI 兼容总线访问，该总线由四个信号组成：串行时钟 （CLK）、片选 （/CS）、串行数据输入 （DI） 和串行数据输出 （DO）。标准 SPI 指令使用 DI 输入引脚将指令、地址或数据串行写入 CLK 上升沿的器件。DO 输出引脚用于从下降沿 CLK 上的器件读取数据或状态。 SPI 总线操作 支持模式 0 （0,0） 和 3 （1,1）。模式 0 和模式 3 之间的主要区别在于当 SPI 总线主机处于待机状态且数据未传输到串行闪存时 CLK 信号的正常状态。对于模式 0，/CS 的下降沿和上升沿的 CLK 信号通常为低电平。对于模式 3，/CS 的下降沿和上升沿的 CLK 信号通常为高电平。

5.写保护功能【略】

6.控制寄存器和状态寄存器
1）状态寄存器

a)busy状态
BUSY 是状态寄存器 （S0） 中的只读位，当设备执行页面程序、扇区擦除、块擦除、芯片擦除或写入状态寄存器指令时，该状态设置为 1。在此期间，设备将忽略除读取状态寄存器和擦除挂起指令之外的其他指令（请参阅 AC 特性中的 tW、tPP、tSE、tBE 和 tCE）。当编程、擦除或写入状态寄存器指令完成后，BUSY位将被清零为0状态，表示器件已准备好接受进一步的指令。

2)写入使能锁存器【略】

写使能锁存器 （WEL） 是状态寄存器 （S1） 中的只读位，在执行写使能指令后设置为 1。当器件被写入禁用时，WEL 状态位被清除为 0。上电时或执行以下任何指令后，将出现写入禁用状态：写入禁用、页面程序、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写入状态寄存器。

7.W25Q16支持的指令

W25Q80/16/32 的指令集由 15 条基本指令组成，这些指令完全通过 SPI 总线进行控制（参见指令集表）。指令从片选 （/CS） 的下降沿开始。时钟输入到 DI 输入的第一个数据字节提供指令代码。DI输入端的数据在时钟的上升沿进行采样，最高有效位（MSB）首先进行采样。指令的长度从单个字节到多个字节不等，后面可能跟着地址字节、数据字节、虚拟字节（不在乎），在某些情况下，还可以是组合。指令通过边沿 /CS 的上升沿完成。每条指令的时钟相对时序图包含在图 4 到 19 中。所有读取指令都可以在任何时钟位之后完成。但是，写入、编程或擦除的所有指令都必须在字节边界上完成（在完成完整的 8 位时钟后，CS 驱动为高电平），否则指令将被终止。此功能进一步保护设备免受意外写入。此外，在对存储器进行编程或擦除时，或在写入状态寄存器时，除读取状态寄存器外的所有指令都将被忽略，直到编程或擦除周期完成

CS为高，即/CS为低。

二.阅读数据手册

三.原理图

四.软件设计流程
1.写使能
时序如图所示：
1）先拉低/CS；
2）然后SPI发数据（等待发送完成）；
3）最后拉高/CS；

写使能的步骤：
1）/CS拉低
2）SPI发送0x06
3) /CS拉高

2.写禁用
时序如图所示：
1）先拉低/CS；
2）然后SPI发数据（等待发送完成）；
3）最后拉高/CS；

写禁能的步骤：
1）/CS拉低
2）SPI发送0x04
3) /CS拉高
为了减少操作步骤；不实现写禁能的代码；

3.读状态寄存器
时序：

操作步骤：
1）拉低/CS
2）发送0x05,0x35
3)mcu读取W25Q16的1字节数据（状态值）

4.mcu从w25q16读数据

读取数据指令允许从内存中按顺序读取另一个数据字节。
该指令是通过将 /CS 引脚驱动至低电平，
然后将指令代码“03h”后跟一个 24 位地址 （A23-A0） 移至 DI 引脚来启动的。
代码位和地址位锁存于 CLK 引脚的上升沿。
接收到地址后，寻址内存位置的数据字节将在 CLK 下降沿的 DO 引脚上移出，最高有效位 （MSB） 优先。
在移出每个字节的数据后，地址会自动递增到下一个更高的地址，从而允许连续的数据流。这意味着只要时钟继续，就可以通过一条指令访问整个内存。
该指令是通过将 /CS 驱动为高电平来完成的。
Read Data 指令序列如图 8 所示。如果在擦除、编程或写入周期 （BUSY=1） 时发出读取数据指令，则该指令将被忽略，并且不会对当前周期产生任何影响。读取数据指令允许从 DC 到最大 fR 的时钟速率（请参阅交流电气特性）。

简述步骤：
1）/CS拉低
2）mcu通过spi发送4字节数据：data[0]=0x03,data[1]~data[3]为24位地址。
3）mcu的spi接收数据；
4）不想再接收数据时，把/CS拉高来“结束读取”

5.mcu向w25q16写数据
Page Program 指令允许在先前擦除 （FFh） 内存位置对 1 个字节到 256 个字节（一页）的数据进行编程。在设备接受寻呼程序指令（状态寄存器位 WEL= 1）之前，必须执行 Write Enable 指令。
1）通过将 /CS 引脚驱动为低电平，
2）然后将指令代码“02h”后跟一个 24 位地址 （A23-A0）【 和至少一个数据字节移至 DI 引脚，从而启动该指令。】
3）具体的带写入的数据（至少1字节）【在向设备发送数据时，/CS 引脚必须在整个指令长度内保持低电平】
4）结束写入操作时，要把/CS拉高

注意：写入的完整流程为：写使能–>写操作
即：

软件编程步骤：
1）写使能
2）写操作【/cs拉低–>写指令（四字节）–>写数据（N字节）—>/CS拉高（结束写操作）】

其中，写使能的流程在前面介绍过

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五.软件实现

六.测试