存储器的分类及各类型的特点

一、ROM（只读存储器）

ROM的电路结构包括存储矩阵、地址译码器、输出缓冲器三个部分组成。只能读取数据，不能写入，掉电不丢失数据，但访问速度较慢。ROM的类型如下：掩膜ROM、PROM（可编程）、EPROM（可擦除）、EEPROM（电擦除）。

1.掩膜ROM：

此类ROM出厂时已经将数据固化在里面，不能修改。地址译码器的输入会让字线唯一的变成高电平，其余都为低电平。在字线和位线的交点处放置存储单元，则表示对应的点存了高电平（即1），没有放置存储单元的点即为低电平（即0）。输出缓冲器可以提高电路的带负载能力，使输出的电平转换为标准的逻辑电平。存储单元可以是二极管或MOS管。

2.PROM：

PROM在结构上与掩膜ROM一样，不同点在于器件在出厂时每一个字线与位线的交点上都放置存储单元，为了可编程，存储单元一般由三极管和串在发射极的快速熔断丝组成，在写入数据时设法将存入0的那些单元的熔丝烧断即可，但是此类占面积较大。后来又出现了“反熔丝结构”的PROM，将熔丝替换成绝缘连接件，当施加电压后相应的绝缘连接件击穿，导线接通变为0电平。

3.EPROM：

此类与PROM类型差不多，只是存储单元不同。EPROM采用叠栅注入MOS管制作的存储单元。假设存储单元为N沟道增强型MOS管，栅极由控制栅和浮置栅重叠构成，假设浮置栅里注入电荷后，正常的电压不能使MOS管导通（产生不了导电沟道）则为高电平（即1），否则为0。在浮置栅中注入电荷的方法是在控制栅上加入高压脉冲，在山鸡电场的作用下，电荷穿过SiO₂层达到浮置栅。通过紫外线照射30min后可将浮置栅中的电荷去掉，实现擦除。

4.EEPROM：

此类与EPROM管类似，不同点在于EEPROM采用了一种称为浮栅隧道氧化层MOS管（Flotox管），此管在浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的区域，隧道区，当隧道区电场强度达到10^7V以上时，在漏区和浮置栅之间出现一个导电隧道，电子可以双向通过，形成电流。通过施加电压的极性可以实现充放电。浮置栅注入电荷时为1状态，否则为0。另外Flotox管附加了一个选通管，用来控制EEPROM的工作状态，人别为读出状态、擦除状态和写入状态。以此提高擦写的可靠性，并保护隧道区超薄的氧化层。

5.Flash Memory：

由于EEPROM附加了一个选通管，降低了其集成度，为此又提出了Flash Memory。此类管吸收了EPROM管结构简单，编程可靠的优点，又保留了EEPROM的隧道效应擦除特性，集成度很高。不同点在于浮置栅与衬底间氧化层的厚度不同，从EEROM的30nm变到10nm，充放电方法与EEPROM类似。Flash可以一次性批量擦除，这大大提高了擦除的速度。

二、RAM（随机读/写存储器）

RAM工作时可以随时读和写，访问速度比ROM快很多，但是掉电易丢失数据。RAM分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM。

1.SRAM：

SRAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成，存储矩阵由很多行和列存储单元组成，每一个存储单元中都能存储一个二值数据；地址译码器一般分成行地址译码器和列地址译码器，前者通过将地址代码的若干位译出行存储单元，后者通过地址代码的剩余位译出列存储单元，由此选定某一行某一列的存储单元，再经过读写控制单元控制在选出的存储单元进行写或读操作。静态存储单元是在SR锁存器的基础上附加门控管而构成，利用自保功能存储数据。存储单元的工艺为CMOS管时，功耗低，可以用电池供电以使存储器中的数据不丢失；工艺为双极型管时，速度快，但功耗大。

2.DRAM：

DRAM存储单元是利用MOS管删极电容可以存储电荷的原理制成，所以结构可以很简单，便于集成，但是由于删极间存在漏电流，数据不能长期保持，所以需要对存储器进行定期充电刷新，所以刷新电路对DRAM极其重要。目前DRAM的存储单元一般为单管，因为单管的结构最为简单，便于集成。一般在DRAM中设置灵敏的读出放大器，因为存储器中存储的电荷量传输的位线上时，电量从一个几伏的电量变成零点几伏的电量，这是一种破坏性读出，放大器可以将电量放大到原来的电量，并将存储单元里原来存储的信号恢复。DRAM的结构也包含存储矩阵、地址译码器和输入/输出电路组成，地址单元仍按行列排布，并且分块，通过两个分时操作信号控制地址代码译出行或列单元，再通过输入/输出控制器控制存储单元的读/写操作。