从硅原子到三极管

从硅原子到三极管

前言

这段时间在项目上接触到了DPD技术—Digital Pre-Distortion，数字预失真技术。这是一个可以让RFPA(射频功率放大器)工作在非线性区也就是饱和区的技术，极大的提升的资源的利用率。这让我对PA的非线性区产生了兴趣。大学里为了通过考试，模电课上背公式已经模糊不清了，所以我准备花点时间整理一下有关晶体管各个工作区的知识，算是给自己科普一下吧。

晶体管是什么？

晶体管主要分为双极结型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(FET)，其中双极结型晶体管就是人们口中所说的三极管，属于电流控制器件，也是本文主要介绍的。而场效应晶体管是电压控制器件，其中MOSFET就是人们所熟知的MOS管。

三极管的构成

三极管主要由两种种类，NPN型和PNP型。上过模电课的同学大多都知道N和P代表了什么。但是为了后文更好的解释某些现象，这里还是重新解释一下。

掺杂

掺杂就是往晶体中掺入杂质的一种工艺。元素周期表上，硅(Si)属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素。每个硅原子的外层都有四个价电子，于是硅原子每个价电子可以两两配对形成四个牢固的共价键。宏观上硅晶体就是这么形成的。由于每个价电子都成键，因此硅晶体没有自由电子，从而是绝缘的。为了让硅晶体导电，我们可以手动向其内部掺入杂质，这个过程就成为掺杂。

杂质类型

为了让硅变为导体，前往提到可以向内部掺杂，目的是让杂质原子与硅原子结合从而获取产生自由电子和空穴。

• N型半导体
  “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即载流子) 主要是带负电的自由电子。掺入杂质一般选择元素周期表上V族元素磷( P )。磷最外层有五个价电子，其中四个与硅原子成键以后，多余出来的一个电就成了自由电子参与导电。N型半导体多子(多数载流子)为电子带负电。

• P型半导体
  P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴。该半导体掺入杂质一般为硼(B)元素。硼的价电子有三个，与硅原子成键后仅有三个的价电子与硅构成共价键键，于是剩余的一个空位，我们称之为空穴。因此P型半导体的多子(多数载流子)为空穴带正电，电子可以通过空穴流动。因此P型半导体也可以导电。

P/N型是否带电？

上文介绍中提到，N型半导体中有自由电子，自由电子带负电。P型半导体中有空穴，空穴带正电。那是否说明掺杂后的半导体带电？

答案肯定是否定的，要是靠掺杂就可以使半导体带电，世界上的核电站都不用烧水了。我们需要注意，拿N型半导体举例说明，掺杂的磷原子使不带电的，掺杂后，磷原子与硅原子成键，失去一个电子(自由电子)。因此，此时的磷原子带正电，与自由电子的负电相互抵消，所以整个导体上还是成电平衡，不带电！P型半导体也是如此。这个知识点很重要，与PN结的构成息息相关。

PN结的形成

将一块硅晶的一边掺入磷元素一边掺入硼元素，再将其包装起来装入导线就构成了一个二极管。如下图，我们定义掺杂磷的部分为N区，掺杂硼的部分定义为P区，在P群中有很多空穴，而在N区中有很多自由电子。

此时，处于N区的电子会向着P区运动区填补P区的空穴，这是由于粒子的浓度差所构成的扩散运动。同理处于P区的空穴也会向N区扩散，但请注意，空穴与电子不同，空穴并不是实际粒子，空穴的扩散是由于处于键上的电子离开了原位去填补了另外一个空穴后，原键位上就形成了新的空穴，看上去好像是空穴在移动，但实际上是电子的移动。

当扩散运动发生后，另外一种运动也同时发生，我们成为漂移运动。漂移运动是指载流子在电场的驱动下运动。而这个电场正是由扩散运动所产生的。

前文指出，单独的P型N型半导体都电荷平衡，也就是不带电。但是当扩散运动发生后，原来处于N区的自由电子进入P区，半导体电荷平衡被打破，失去负电荷于是交界处N区开始带正电。原先处于P区的空穴被自由电子填补。电荷平衡也被打破，增加了带负电的粒子，于是交界处P区上带负电，于是一个电场形成了。电场线方向由N区指向P区。这个电场我们称之为内建电场。

随着扩散运动的进行，这个电场不断增强，漂移运动也不断增强。漂移运动会使原本扩散至P区的电子在电场的作用下发生漂移运动回到N区。当扩散运动进行到一定程度，产生的电场足够强使得受电场做漂移运动回去的电子和由于浓度差做扩散运动过来的电子的速率相同的时候，平衡产生了，内建电场不再增强。PN结形成，PN结中间的部分称为耗尽区，耗尽区内自由载流子的数量很小，难以导电。

三极管结构

三极管分两种，NPN型以及PNP型，如下图为一个NPN型三极管的结构。

图中左侧为发射区，NPN型三极管发射区重掺杂，意味着这区域掺杂杂质浓度很高，自由电子密度大。中间P区为基区，基区在工艺上做的很薄，并且为掺杂浓度不高，右侧为集电区，N掺杂。

工作原理

一个NPN型三极管制成之后，会在两个交界处形成PN结。处于发射区一端的我们称为发射结。处于集电区一端的称为集电结。

如果我们只给三极管发射极与集电极加上电压，那么无论电场方向如何，三极管都处于截止状态。如，为集电极加上正电压，发射极加负电压，那么集电极周围会吸引集电区的自由电子聚集，而基区没有自由电子提供给集电区，于是集电结耗尽层增大，管子截止。此时给基极加上正电压，并将负端连到发射极。发射结导通，基区原本空穴中的电子被基极正电吸引流入电路中。

前文提到，发射区重掺杂载流子浓度很高，此时基区每空出一个空穴来，发射区就会有大量电子涌入基区，但空穴只有一个，于是剩余的自由电子在基区内无处可去，由于集电极周围积聚了大量的电子，因此集电结周围剩余处出大量空穴，前文还提到，电子会向低浓度的地区扩散。于是滞留在基区中的自由电子做扩散运动进入集电区空穴，被集电极吸引回电路完成一次流通。集电极的名称也如此般，有收集电子之意(当然发射极就是发射电子啦).

由此可以得出，我们可以通过控制基极电流，也就是控制基极收集基区电子的速率以此来控制从发射极到集电极的电流大小。因此很多课堂上所学的结论也就可以说的通了

公式理解

定义：
发射极为E，集电极为C，基极为B，$U_{TH}$是三极管发射结导通电压(也称死区电压)
$U_{CE}$为发射极到集电极的电压。
$U_{BE}$基极到发射极电压，可视为控制电压，从小到大增大。
那么可以得出以下结论:

• 截止区
  截止区就是发射结没有导通嘛，所加电压小于发射结导通电压，所以基极无法从基区收集空穴中的电子，自然也不会有空穴产生，所以三极管中不会有电流产生。课堂上的截止条件，也由此而来，此时集电结和发射结都处于反偏的状态。
  $$U_{BE}<U_{TH}，I_B=0，I_C=0$$

• 放大区
  放大区，又称可变电阻区。其发射结导通了，发射结正偏，基极可以从基区收集空穴中的电子并产生新的空穴促使发射区电子涌入基区填补空穴，此时基极电压小于集电极电压，因此集电结处于反偏状态
  $$U_{BE}>U_{TH},I_C=\beta I_B$$

• 饱和区（重点！！！）
  饱和区，随着$I_B$的不断增大，$U_{CE}$不断减小。我个人是用能量守恒理解的。三极管作为一个可变负载，在一段时间内电源提供的功率是恒定的，那么其负载功率$P=UI$有个最大值为电源能提供的最大功率$P_{max}$，当$I_C$随着$I_B$的变大而变大后，某一时刻$I_C\ast U_{CE}$得到的输出功率值达到了电源所能提供的峰值，此时若$I_C$继续增大则$U_{CE}$就会减小(负载上的功率不可能超过电源所提供的功率)。此时CE端类似电路中短路的状态。当$U_{CE}$继续减小小于$U_{BE}$时，集电结正偏，此时没有电场里阻止电子的扩散运动，相反此时的电场里还会激发电子的漂移运动，发射结与集电结都导通意味着CE之间的电流达到最大，三极管可以近似看作一根导线此时无论如何增大$I_B$也无法对$I_C$造成较大的影响，因此从集电结正偏之后，三极管进入饱和区。
  $$U_{BE}>U_{CE}$$

总结

因此，放大区的形成正是因为集电结反偏形成的内建电场，这个内建电场就相当于阀门，当阀门完全打开，也就是集电结正偏，内建电场消失，管子就可以进入饱和区。微观上的物理意义还有待理解，但总体来说，三极管的各个工作区域就是这么形成的。

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如何看懂工作曲线，待更新…

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