ECC功能简述及其原理

一 NOR FLASH 和 NAND FLASH的区别

1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点:大存储容量,而且便宜。缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行
(1)NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
(2)擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms
(3)当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
  ●NOR的读速度比NAND稍快一些。
  ●NAND的写入速度比NOR快很多。
  ●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
  ●大多数写入操作需要先进行擦除操作。
  ●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

二 导致nandflash反转的原因

Bit Flip/Bit Flipping/Bit-Flip/Bit twiddling of Nand Flash

Nand Flash由于本身硬件的内在特性,会导致(极其)偶尔的出现位反转的现象。
所谓的位反转,bit flip,指的是原先Nand Flash中的某个位,变化了,即要么从1变成0了,要么从0变成1了。
Nand Flash的位反转现象,主要是由以下一些原因/效应所导致:

1. 漂移效应(Drifting Effects)

漂移效应指的是,Nand Flash中cell的电压值,慢慢地变了,变的和原始值不一样了。

2.编程干扰所产生的错误(Program-Disturb Errors)

此现象有时候也叫做,过度编程效应(over-program effect)。
对于某个页面的编程操作,即写操作,引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。

3.读操作干扰产生的错误(Read-Disturb Errors)

此效应是,对一个页进行数据读取操作,却使得对应的某个位的数据,产生了永久性的变化,即Nand Flash上的该位的值变了。

如果只是对于单个位的跳变,也许问题看起来并不是很严重。然而,如果恰巧是某个重要文件的某位变化了,那么问题就严重了。
如果位反转,只是读取数据出来时候报告出来的位反转,那么很简单,只需要重新再去读取一次数据,即可解决此问题。
但是,如果是Nand Flash物理上的某个位真正的翻转了,那么需要通过对应的ECC校验去解决。

相对Nor Flash来说,Nand Flash中,位反转的现象,相对更加容易发生。因此,Nand Flash厂家都推荐,在使用Nand Flash的时候,最好要应用ECC算法。
当Nand Flash应用于多媒体信息,比如存储音视频文件,那么位反转所造成的问题,并不严重。
当用于存储操作系统,配置文件和其他敏感信息的时候,必须要用ECC,以实现数据的校验,保证数据的正确性

三 NAND FLASH ECC 校验

在芯片手册中得到K9F2G08U0M=2048块Block=128K页Pages=256MB=2Gb

1个设备=2048块Block

1块Block=64页Pages

1页=(2K+64)B (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示 )

其中64B是存放ECC的OOB地址,(ECC:存放判断位反转的校验码)

在这里插入图片描述

Nand Flash 缺点:

读数据容易位反转

可以通过ECC编码器值来判断读数据是否位反转,若位反转则重新读数据

写过程:

1)写页数据
2)然后生成ECC
3)将ECC写入到OBB页地址里(写数据是不会出现位反转)

读过程:

1)读出页数据,然后生成临时ECC(此时ECC可能有错)
2)然后读出OOB页地址里的ECC
3)比较两个ECC,判断是否出现位反转

读OOB方法:

读整个Nand Flash时,是读不出页里面的OBB地址,比如读2049这个地址数据时,是读的第二页上的第2个地址:
在这里插入图片描述
只有读某一页时,才能读出这个页里面的OOB地址, 比如读第0页的2049这个地址数据时,才是读的第0页OOB的第2个地址:
在这里插入图片描述

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Nor Flash代码是一种非易失性存储器的编程语言。Nor Flash是一种常见的闪存技术,用于存储固件、操作系统和其他固化数据。Nor Flash代码使用类似于C语言的语法,它可以用来编写存储在Nor Flash芯片中的程序和数据。以下是一个简单的Nor Flash代码示例: ```c #include <flash.h> // 定义存储位置和大小 #define FIRMWARE_START_ADDRESS 0x100000 #define FIRMWARE_SIZE 0x8000 // 定义固件数据 const uint8_t firmware_data[FIRMWARE_SIZE] = { 0x00, 0x01, 0x02, 0x03, // 在这里添加实际的固件数据 }; // 主程序入口 int main() { // 初始化Nor Flash硬件 flash_init(); // 擦除存储区域 flash_erase(FIRMWARE_START_ADDRESS, FIRMWARE_SIZE); // 写入固件数据 flash_write(FIRMWARE_START_ADDRESS, firmware_data, FIRMWARE_SIZE); // 退出程序 return 0; } ``` 以上是一个简单的Nor Flash代码示例,它首先包含了flash头文件,然后定义了固件在Nor Flash中的存储位置和大小。接着,定义了固件数据的数组,这里只是一个简单的示例,实际情况下应该包含实际的固件数据。然后,在主程序入口函数中,通过flash_init()函数初始化Nor Flash硬件,然后使用flash_erase()函数擦除存储区域,最后使用flash_write()函数写入固件数据。最后,返回0表示程序正常退出。 这只是一个简单的示例,实际应用中可能涉及更复杂的代码和功能。Nor Flash代码可以根据具体需求进行编写和调整,以实现相应的应用功能
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