动态RAM刷新技术

预备知识

主存的技术指标

尤其注意：
1. 存取周期指的是连续两次独立的存储操作（读/写）所需的最小间隔时间，后面提到的集中刷新的存取周期为0.5us，而分散刷新的周期为1us是由于每次读/写操作后都有刷新，这样使得连续两次独立的存储操作的间隔时间变成了存取时间的两倍
2. 区分存取时间和存取周期（存取时间往往小于存取周期）

刷新过程

刷新的实质是将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生成过程。

背景

由于存储单元被访问是随机的，有可能某些存储单元长期不能得到访问，不进行存储器的读/写操作，其存储单元内的原信息会慢慢消失。为此，必须采用定时刷新的方法。

规定

1. 在一定时间内必须对动态RAM的全部基本单元进行一次刷新，一般去2ms，这个时间称为刷新周期（再生周期）
2. 刷新是一行行进行的，即刷新一下刷一行

刷新方式

集中刷新

集中刷新是规定在一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作。

死区（死时间）：不能进行读/写操作
死时间率：死区占整个刷新周期的比率

分散刷新

分散刷新是指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成，其中把机器的存取周期分成两段，前半段进行读/写操作或维持信息，后半段进行刷新。这样整个基本存储单元全部被刷新一次的时间间隔比2ms要短得多（下面例子：每个128us就可将整个基本存储单元全部刷新一遍），无死区，但明显多刷新了，存取周期长了，整个系统速度低了。

异步刷新

异步刷新是前面两种方式的结合，它既缩短死时间，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。下面例子中，2ms内只对全部基本存储单元刷新了一次，即2ms内对128行进行一次刷新，每隔15.6us刷新一行，每行刷新时间为0.5us（死区），对于其中一行来说，刷新间隔时间为2ms，对于连续刷新的两行来说，刷新间隔为15.6us

透明刷新

练习