Base knowledge of semicoonductor2

原子结构：

质子 中子 在外环绕的电子组成

（传说中的同位素，就是质子相同，但是中子数不同。由于原子弹中使用的就是铀的同位素，因为同位素的分离，不同以往的分离方法（萃取、精馏等），所以离心机等设备就成为关键设备，呵呵，有点扯远了，继续半导体）

电子的分布服从一定规律（详细的参阅高中化学）

这里只列举主要的

8电子是稳定结构，当最外层不满足规律时。当小于4时，一般失去电子达到稳定结构，如果>=4个时候，得到电子达到稳定结构（Si失去电子达到稳定结构）。

 

共价键：共价键是一种特殊的稳定结构，失去电子的一方通过电子达到稳定结构，获得电子的一方通过获得电子达到稳定结构（感觉有点像废话，其实就是废话，就像“攻中带防，防中带攻”一样，:-D）。e.g.：HCL

 

龟（硅）Si 属于+4价

自然界中大部分以二氧化硅稳定结构存在（SiO2）

单质硅中，硅以共价键形式（晶体存）每个硅分别失去或者得到4个电子，形成稳定状态。

好了，既然上面的大家没有疑问，那么开始了。

晶体硅从宏观上是好看滴、是稳定滴，;-)，那么微观其实也是好看滴、也是稳定滴，这种稳定，是一种总体上稳定（可能这么说有点糊涂，但是请带着疑问向下看）。

这里就要考虑到一些干扰因素了，世界是现实滴，所以考虑问题就应当方方面面都要考虑到。所谓的干扰因素就是温度。在温度的干扰下，共价键（官方说法，是共价键受到室温的影响，貌似是这么说，有点既不清楚了）上的电子受到激发，脱离共价键，成为自由电子，脱离后，原位置上形成空穴（正电的说）。由于一个自由电子对应一个空穴，所以是成电中性滴。

掺杂了

我们向Si中掺入不同的元素，目的是认为的产生（自由电子和空穴）

总之我感觉共价键像是“我中有你，你中有我”，不知道这种比喻恰当吗…

 

当我们掺入+3价元素的时候，3价元素失去价电子，得到稳定结构，但是硅Si是需要4个电子才能达到稳定结构，所以相邻位置上的可爱的硅Si收到温度的影响，跃迁能（激发能），提供自由电子，是3价元素（3价元素得到硅Si的四个电子成为稳定结构）和硅成为共价键的稳定结构。由于共价键是稳定的（电中性的），同时自由电子和空穴也是数量也是相等的（此处说的不严密，但是意思是这样的），所以掺杂后，还是呈电中性。但是，由于得到自由电子，3价元素成为不能移动的负离子，载流子（导电的）存在在掺入3价元素的Si中是空穴。Postive

 

我们向硅Si掺入5价元素，5价元素获得3个电子成为稳定结构。硅需要4个电子成为稳定结构。所以5价元素作出妥协，失去一个电子，用4个电子和硅Si成为共价键(硅Si得到4个电子达到最外层8个电子的稳定结构)。同志们，自由电子产生了。由于室温收到激发的自由电子和空穴总数上是一样的，又因为，5价元素失去电子成为不能移动的正离子，自由电子相对应。所以掺杂5价元素的硅Si总体上是呈电中性的。Negative

 

各位兄弟姐妹们，掺杂在实际生产中是一瞬间的事，所以，以上所说的，也是一瞬间发生的事情。说的目的，是掌握这种方法，有了自由电子和空穴（相当于正电子）在有能量的差异，那么我们可爱的电流就要产生了。

今天到此为止，this is end。