FLASH

Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM（同步动态随机存储器）等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

项目	NOR flash	NAND flash
特点	芯片内执行	系统RAM中
传输效率	高	中
写入/擦除操作的时间	5s	4ms
擦除器件时块大小	64～128KB	8～32KB
接口	SRAM接口	I/O口来
寿命(耐用性)	十万次	一百万次

Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过Nor Flash，比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。
另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术，良品率不是很高，而且有效容量也比较低。原厂推出的Flash，容量有88%、92%、96%，96%可以用于MP3产品中，而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。我个人认为其性能比较差，尽量不要使用。现在Renesas已经退出Flash的生产商行列，而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC与MLC的参数对比：

项目	SLC	MLC
电压	3.3V/1.8V	3.3V
生产工艺	0.12um	0.16um
页容量/块容量	2KB/128KB	512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大)	25us	70us
页编程时间(典型)	250us	1.2ms
可否局部编程	Yes	No
擦写次数	100K	10K
数据写入速率	8MB/S+	1.5MB/S

可想而知，SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更数据。这也是MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
为了区分SLC和MLC，我向大家介绍3个方法：
1、 看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、 格式化，看是否稳定：
    目前市场上还流行黑片、白片的说法，这些都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向市场，比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。大部分Downgrade Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方式多数是降低容量出售。可是不论怎样处理，都还是存在问题隐患。但由于价格低廉，Downgrade Flash的市场正在进一步成长。大家购买产品时可要注意了！

Flash Memory存储卡

消费类电子产品必须体积小且携带方便，尽管硬盘是常见的存储设备，但显然它不适合在小型移动设备和消费电子中应用。在消费电子研发之初，开发商就开始设计一种新型永久性、体积小且功耗小的存储媒介来满足消费电子产品的特定需求。 Flash Memory起源于日本，随之巨大的市场前景立即吸引美国的一些传统芯片生产商纷纷投入到该领域，如：美国的Intel公司和AMD 公司等。美国的芯片开发商由于过去在CPU设计和生产领域有先进的技术积累，它们研发的Flash Memory产品很快就占据了相当大的市场份额。

不同的应用领域对Flash Memory有不同的需求。例如：数码相机追求大容量的存储器，以便保存数量巨大的相片；而手机等通信设备则更渴望高速的数据读写速度，从而在无线上网和手机游戏中能吸引更多的用户。为了满足不同应用领域的特定需求，Flash Memory产品和标准目前正在呈多样性发展，产生了多个与之相关术语，如：SM（Smart Media）卡、CF (Compact Flash)卡，MMC（Multi Media Card）卡、SD（Secure Digital）卡和记忆棒（Memory Stick）等[1]。

为了描述和对比各类存储卡之间的差异，表1从存储卡的物理尺寸、工作电压等十多个角度对它们进行了分析和对比。为了描述方便，表1中MP3表示MP3 Player, DC表示Digital Camera, DV表示Digital Video, MP表示Mobile Phone, MM表示Mobile Memory Devices。

表1 Flash Memory Card的比较

SM		CF		MMC		SD		Memory Stick
发布时间	1995年		1994年		1997年		1999年		1997年
发布厂商	东芝		SanDisk		SanDisk 西门子		东芝、松下SanDisk		索尼
物理尺寸(mm)	45*37*0.76		43*36*3.3		32*24*1.4		32*24*2.1		50*21.5*0.28
集成控制器		否		是		是		是
兼容性	差		好		好		好		差
工作电压	3.3V, 5V		3.3V, 5V		2.7V-3.6V		2.7V－3.6V		2.7V-3.6V
公开标准	是		是		是		是		否
适用领域	MP3, DC		MM		MP3,DC,DV,MP		MP3,DC,DV,E-Book		仅索尼公司的产品
支持厂商	东芝、三星、索尼、夏普等		3COM, IBM、HP、佳能、松下等		SanDisk、西门子等		三星等		索尼
其它		操作系统都支持		有MMC和SPI两种模式		数据安全性高 支持物理写保护		索尼公司使用，无其它公司支持

由表1不难发现，不同存储卡在内部结构、实现技术、物理外观和工作电压等方面都有较大差异，且不同标准之间的兼容性很差，甚至来自不同生产商之间的同类存储卡之间的兼容性都比较差，最突出的如SM。从表1还不难发现，来自日本的电子公司在该领域具有雄厚的技术实力和标准垄断能力，具有和美国公司抗衡的能力。这在美国的产品一支独秀的信息技术领域是罕见的，当然这与日本在电子和制造领域一直具有有较高水平、以及他们最早进入Flash Memory领域是分不开的。

NAND与NOR

Flash Memory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，但目前以NAND和NOR为主流。NOR技术是由Intel公司 1988年首先推出，NAND技术是由东芝公司1989年发明。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，NOR则是为了满足程序代码的高速访问，并且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈，各种观点很多。客观来看，二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高；而NAND则写回速度快、芯片面积小，特别是容量大有很大优势。

页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512个字节，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或者32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。 根据 Flash Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8MB存储器，页大小常为512B、块大小为8KB，块内页面数为 16。而2MB的存储器的页大小为256 B、块大小为4KB，块内页面数也是16。NAND存储器由多个块串行排列组成。实际上，NAND型的Flash Memory可认为是顺序读取的设备，它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据。NAND在读和擦写文件、特别是连续的大文件时，速度相当快，但随机存取速度则比较慢，因为它不能按字节写。NAND型存储器的价格如今已经不算昂贵，512MB芯片单价在最近是4.39美元，且仍呈下降趋势。 NAND Flash设备易有坏块，为了补偿可能存在的坏块，通常在设计、生产时在规定的存储容量外另附加约2%大小的额外存储空间。NAND Flash用一个控制器管理坏块，当出现坏块控制器将数据转移到预定空闲存储区间，该过程对用户是透明的。

NOR的存储构架与PC机中的内存条技术类似，是一种并行的构架。由于单个芯片的存储容量提高困难，整个NOR芯片的存储容量较同时期的NAND小。过去NOR多采用单层存储单元排列，如今Intel公司采用多层存储单元 (multi-level cell)排列技术，以此提高单位面积存储器的容量。另外 Intel还计划采用提高芯片集成度的方法来提高NOR类型存储器的容量。NOR中多个存储单元是并行连接起来，可以允许特别快的实现随机字节访问。通常 NAND在容量上占优势，NOR适合在容量要求小、但随机字节读写快的应用领域。

由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异，二者的寻址方式差异较大。NAND 的地址分为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问，NAND一般是经过三次寻址，先后确定块号、块内页号和页内字节号，至少占用三个时钟周期，因此随机字节读写速度慢。而NOR的地址线足够多，且存储单元是并列排布，可以实现一次性的直接寻址。另外，由于NOR的数据线宽度很大，即使容量增大，它的数据寻址时间基本上是一个常量，而NAND则比较困难。总之在数据传输速度上，NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都比NAND快，但相对而言，在连续大数据传输速度上，二者差异较小。从产品成本来看，NOR Flash的平均每MB成本是NAND Flash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异，导致NOR容量增长比NAND困难。NOR Flash适用代码高速访问与执行，因此移动电话是NOR最常见的应用环境。

最近一年来NOR和NAND技术的竞争很激烈。支持NAND技术的公司主要是美国的SanDisk、日本的东芝公司和韩国的三星公司等。由于市场对大容量存储器的需求大于对数据读写速度的需求，目前NAND的销售量比NOR大，且增长速度也高一些。三星公司是目前全世界最大的Flash Memory提供商、东芝是第三大提供商。NAND 提供商在固守传统NAND应用领域的同时，开始追求传统的NOR应用领域，如：手机、PDA和电视机的机顶盒系统。相反NOR 支持者，如英特尔和AMD，正在通过加强整合蜂窝结构和毫微工艺来维护NOR应用领域。二者竞争激烈且开发商都有取代对方的欲望，但客观的评价是：由于 NOR和NAND在技术上具有互补性，二者将长期共存。

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的优点，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

 

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 (NOR Flash 容量小，但可以直接读取；NAND Flash 容量大，但不能直接读取)

 

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。